专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200618112A 半導體裝置的製造方法及電漿氧化處理方法审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200618112A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094127573
申请日：2005-08-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：壁義郎 KABE, YOSHIRO , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/045 , H01J37/32192 , H01L21/28061 , H01L21/28247 , H01L21/32105
摘要：於藉由電漿處理裝置100而進行閘極電極的選擇氧化處理時，係將形成了閘極電極的晶圓W載置於處理室1內的承受器2上，從氣體供給系16的Ar(氬)氣體供給源17、H2(氫)氣體供給源18、及O2(氧)氣體供給源19，經由氣體導入構件15，將Ar氣體、H2氣體及O2氣體，如成為H2氣體與O2氣體的流量比H2／O2為1.5以上、20以下，理想為4以上、較理想為8以上的導入處理室1內，處理室內壓力作為3～700Pa，例如作為6.7Pa(50mTorr)。
简体摘要：于借由等离子处理设备100而进行闸极电极的选择氧化处理时，系将形成了闸极电极的晶圆W载置于处理室1内的承受器2上，从气体供给系16的Ar(氩)气体供给源17、H2(氢)气体供给源18、及O2(氧)气体供给源19，经由气体导入构件15，将Ar气体、H2气体及O2气体，如成为H2气体与O2气体的流量比H2／O2为1.5以上、20以下，理想为4以上、较理想为8以上的导入处理室1内，处理室内压力作为3～700Pa，例如作为6.7Pa(50mTorr)。

2. 发明专利

TW200425230A 半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置失效
简体标题：半导体设备之制造方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TW200425230A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：TW093103507
申请日：2004-02-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28247 , H01L21/0217 , H01L21/28044 , H01L21/31654 , H01L29/4941
摘要：本發明係在矽晶圓101上之閘極氧化膜102上形成多晶矽膜以形成多晶矽電極層103(第一電極層)。在該多晶矽電極層103上形成鎢層105(第二電極層)。另外，在形成鎢層105之前，事先將導電性障壁層104形成於多晶矽電極層103上。之後，將氮化矽層106當作蝕刻遮罩並進行蝕刻處理。然後，在剝離出之多晶矽層103露出面上利用電漿氧化處理以形成氧化絕緣膜107。藉此，不會使鎢層105氧化而可對多晶矽電極層103進行選擇性的氧化處理。
简体摘要：本发明系在硅晶圆101上之闸极氧化膜102上形成多晶硅膜以形成多晶硅电极层103(第一电极层)。在该多晶硅电极层103上形成钨层105(第二电极层)。另外，在形成钨层105之前，事先将导电性障壁层104形成于多晶硅电极层103上。之后，将氮化硅层106当作蚀刻遮罩并进行蚀刻处理。然后，在剥离出之多晶硅层103露出面上利用等离子氧化处理以形成氧化绝缘膜107。借此，不会使钨层105氧化而可对多晶硅电极层103进行选择性的氧化处理。

3. 发明专利

TWI300249B 基底絕緣膜之形成方法有权
简体标题：基底绝缘膜之形成方法
公开(公告)号：TWI300249B
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：TW092107430
申请日：2003-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：菅原卓也 SUGAWARA, TAKUYA , 多田吉秀 TADA, YOSHIHIDE , 中村源志 NAKAMURA, GENJI , 尾崎成則 OSAKI, SHIGENORI , 中西敏雄 NAKANISHI, TOSHIO , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU , 松山征嗣 MATSUYAMA, SEIJI , 長谷部一秀 HASEBE, KAZUHIDE , 中島滋 NAKAJIMA, SHIGERU , 藤原友紀 FUJIWARA, TOMONORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/31604 , H01L21/31645 , H01L21/31662 , H01L28/56 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要：本發明提供一種基底絕緣膜之形成方法,本發明係在配置於電子裝置用基材上的絕緣膜表面,照射根據含至少含氧原子氣體的製程氣體之電漿,使基底膜形成於該絕緣膜與電子裝置用基材之界面。如此即可在絕緣膜與電子裝置用基材間之界面製得可改善該絕緣膜特性之優質基底膜。
简体摘要：本发明提供一种基底绝缘膜之形成方法,本发明系在配置于电子设备用基材上的绝缘膜表面,照射根据含至少含氧原子气体的制程气体之等离子,使基底膜形成于该绝缘膜与电子设备用基材之界面。如此即可在绝缘膜与电子设备用基材间之界面制得可改善该绝缘膜特性之优质基底膜。

4. 发明专利

TW200727346A 半導體裝置的製造方法及電漿氧化處理方法失效
简体标题：半导体设备的制造方法及等离子氧化处理方法
公开(公告)号：TW200727346A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095103481
申请日：2006-01-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28247 , H01J37/32192 , H01J37/32935 , H01L21/28061 , H01L21/32105
摘要：本發明係關於一種半導體裝置的製造方法及電漿氧化處理方法;也就是說,本發明係進行:在半導體基板上,形成閘極絕緣膜之製程;在該閘極絕緣膜上,形成至少將多結晶矽層和包含高熔點金屬之金屬層予以含有之層積體之製程;對於該層積體進行蝕刻處理而形成閘極電極之製程;以及,藉由在具有複數個溝槽之平面天線來導入微波至處理室內而產生電漿之電漿處理裝置,在處理壓力133.3~1333Pa、處理溫度250~800℃,來使用至少包含氫氣和氧氣之處理氣體,進行電漿處理,呈選擇性地氧化前述閘極電極中之多結晶矽層之製程。
简体摘要：本发明系关于一种半导体设备的制造方法及等离子氧化处理方法;也就是说,本发明系进行:在半导体基板上,形成闸极绝缘膜之制程;在该闸极绝缘膜上,形成至少将多结晶硅层和包含高熔点金属之金属层予以含有之层积体之制程;对于该层积体进行蚀刻处理而形成闸极电极之制程;以及,借由在具有复数个沟槽之平面天线来导入微波至处理室内而产生等离子之等离子处理设备,在处理压力133.3~1333Pa、处理温度250~800℃,来使用至少包含氢气和氧气之处理气体,进行等离子处理,呈选择性地氧化前述闸极电极中之多结晶硅层之制程。

5. 发明专利

TW200713449A 選擇性電漿處理方法失效
简体标题：选择性等离子处理方法
公开(公告)号：TW200713449A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW095135199
申请日：2006-09-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/3144 , H01L21/3185
摘要：本發明提供一種選擇性電漿處理方法,係在電漿處理裝置的處理室內,對表面具有矽與氮化矽層的被處理體,使含氧電漿作用,以將矽選擇性地進行氧化處理,使氮化矽層中所形成之氮氧化矽膜之膜厚,相對於所形成之氧化矽膜之膜厚的比例為20%以下。
简体摘要：本发明提供一种选择性等离子处理方法,系在等离子处理设备的处理室内,对表面具有硅与氮化硅层的被处理体,使含氧等离子作用,以将硅选择性地进行氧化处理,使氮化硅层中所形成之氮氧化硅膜之膜厚,相对于所形成之氧化硅膜之膜厚的比例为20%以下。

6. 发明专利

TWI256069B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI256069B
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW092132600
申请日：2003-11-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 TOSHIHISA NOZAWA , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU , 井上雅司 MASAJI INOUE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4404
摘要：本發明之電漿處理裝置至少包含：電漿處理室，其對被處理體進行電漿處理者；被處理體保持機構，其將該被處理體配置於上述電漿處理室內者；及電漿產生機構，其使該電漿處理室內產生電漿者。上述電漿處理室內璧之至少一部分以基於前處理電漿之氧化膜覆蓋。本發明可提供一種電漿處理裝置及電漿處理方法，其一面抑制對被處理體之污染，一面亦有效防止電漿處理室內壁之濺鍍及蝕刻。
简体摘要：本发明之等离子处理设备至少包含：等离子处理室，其对被处理体进行等离子处理者；被处理体保持机构，其将该被处理体配置于上述等离子处理室内者；及等离子产生机构，其使该等离子处理室内产生等离子者。上述等离子处理室内璧之至少一部分以基于前处理等离子之氧化膜覆盖。本发明可提供一种等离子处理设备及等离子处理方法，其一面抑制对被处理体之污染，一面亦有效防止等离子处理室内壁之溅镀及蚀刻。

7. 发明专利

TW200531160A 基板處理裝置之處理室清淨化方法,基板處理裝置,及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备之处理室清净化方法,基板处理设备,及基板处理方法
公开(公告)号：TW200531160A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094102789
申请日：2005-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石塚修一 ISHIZUKA, SHUUICHI , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU , 高橋哲朗 TAKAHASHI, TETSURO , 前川浩治 MAEKAWA, KOJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035
摘要：將於處理室收容處理基板，對上述處理基板施加特定處理的基板處理裝置中的處理室，加以清淨化，其中係交互執行於處理室內形成含氧氣體之電漿的工程，和於處理室內形成含氮氣體之電漿的工程。
简体摘要：将于处理室收容处理基板，对上述处理基板施加特定处理的基板处理设备中的处理室，加以清净化，其中系交互运行于处理室内形成含氧气体之等离子的工程，和于处理室内形成含氮气体之等离子的工程。

8. 发明专利

TW200525702A 半導體裝置、半導體裝置之製造方法、半導體製造裝置及電腦記錄媒體 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND COMPUTER RECORDING MEDIUM 失效
简体标题：半导体设备、半导体设备之制造方法、半导体制造设备及电脑记录媒体 SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE AND COMPUTER RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TW200525702A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093129060
申请日：2004-09-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/3185 , H01L21/321 , H01L21/3211 , H01L21/67011 , H01L27/10852
摘要：本發明提供一種半導體裝置，無須增加膜的厚度而可達到抑制電容器容量減低之目的。在具備電容器之半導體裝置中，該電容器包括：下部電極；上部電極；以及絕緣膜，被夾於該下部電極與該上部電極之間。下部電極的絕緣層該側的表面氮化。當下部電極是多晶矽時，藉由表面的氮化，可使在後步驟進行熱處理時的耐氧化性提昇。尤其是就DRAM來說，因為可使電容器的容量更大，所以效果更為顯著。此外，亦可減少電容器內部漏電流的現象。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，无须增加膜的厚度而可达到抑制电容器容量减低之目的。在具备电容器之半导体设备中，该电容器包括：下部电极；上部电极；以及绝缘膜，被夹于该下部电极与该上部电极之间。下部电极的绝缘层该侧的表面氮化。当下部电极是多晶硅时，借由表面的氮化，可使在后步骤进行热处理时的耐氧化性提升。尤其是就DRAM来说，因为可使电容器的容量更大，所以效果更为显着。此外，亦可减少电容器内部漏电流的现象。

9. 发明专利

TW200405582A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW200405582A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092113335
申请日：2003-05-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松山征嗣 MATSUYAMA, SEIJI , 菅原卓也 SUGAWARA, TAKUYA , 尾崎成則 OSAKI, SHIGENORI , 中西敏雄 NAKANISHI, TOSHIO , 佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31662 , H01J37/32082 , H01J37/32935 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3144
摘要：本發明揭示一種基板處理方法，其包含：在矽基板表面上形成氧化膜的步驟；及在介以平面天線所導入之微波而形成之電漿中，將上述氧化膜暴露於在電漿中受激發之氮原子自由基，而將氮原子導入上述氧化膜中之步驟。
简体摘要：本发明揭示一种基板处理方法，其包含：在硅基板表面上形成氧化膜的步骤；及在介以平面天线所导入之微波而形成之等离子中，将上述氧化膜暴露于在等离子中受激发之氮原子自由基，而将氮原子导入上述氧化膜中之步骤。

10. 发明专利

TW200739730A 電漿氧化處理方法及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：等离子氧化处理方法及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW200739730A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096106851
申请日：2007-02-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木勝 SASAKI, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7881 , H01J37/32192 , H01L21/02164 , H01L21/0223 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/28247 , H01L21/28273 , H01L21/31662 , H01L27/115 , H01L29/513 , H01L29/66825
摘要：對於具有矽層與高融點金屬含有層的構造體,以進行包括:使用至少含有氫氣與氧氣的處理氣體,以處理壓力1.33~66.67Pa進行第1電漿氧化處理;以及在第1電漿氧化處理進行後,使用至少含有氫氣與氧氣的處理氣體,以處理壓力133.3~1333Pa進行第2電漿氧化處理之電漿氧化處理方法的方式,形成氧化矽膜。
简体摘要：对于具有硅层与高融点金属含有层的构造体,以进行包括:使用至少含有氢气与氧气的处理气体,以处理压力1.33~66.67Pa进行第1等离子氧化处理;以及在第1等离子氧化处理进行后,使用至少含有氢气与氧气的处理气体,以处理压力133.3~1333Pa进行第2等离子氧化处理之等离子氧化处理方法的方式,形成氧化硅膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式