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1. 发明专利

TWI667720B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI667720B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW104133953
申请日：2015-10-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI , 風間和典 , KAZAMA, KAZUNORI , 岩渕紀之 , IWABUCHI, NORIYUKI , 戶田聰 , TODA, SATOSHI , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065

2. 发明专利

TWI492266B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI492266B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW100111328
申请日：2011-03-31
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：米澤亮太 , YONEZAWA, RYOTA , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO , 大崎良規 , OSAKI, YOSHINORI , 鈴木公貴 , SUZUKI, KOUKI , 齊藤智博 , SAITO, TOMOHIRO , 山下潤 , YAMASHITA, JUN , 佐藤吉宏 , SATO, YOSHIHIRO , 鹽澤俊彥 , SHIOZAWA, TOSHIHIKO , 山崎幸一 , YAMAZAKI, KOICHI , 古木和弘 , FURUKI, KAZUHIRO
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/16 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J2237/166

3. 发明专利

TW201804014A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201804014A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106111742
申请日：2017-04-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/302 , H01L21/3065
摘要：提供一種在以複數個處理部對複數片被處理基板分別進行處理時，可一面使排氣機構共通化，一面高精度地施予不同氣體條件的基板處理之基板處理方法及基板處理裝置。在使用基板處理裝置而施予預定處理之際，進行第1模式，其次，進行第2模式，在第1模式之際，阻止處理部(11a)，(11b)中產生壓力差，該基板處理裝置，係具備有：2個處理部(11a)，(11b)，分別對2片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構(14)，對處理部(11a)，(11b)獨立地供給氣體；及共通之排氣機構(15)，將處理部(11a)，(11b)內的氣體總括地排氣，該第1模式，係對處理部(11a)供給HF氣體及NH3氣體，並對處理部(11b)不供給HF氣體，該第2模式，係以相同氣體條件來對處理部(11a)，(11b)供給HF氣體及NH3氣體。
简体摘要：提供一种在以复数个处理部对复数片被处理基板分别进行处理时，可一面使排气机构共通化，一面高精度地施予不同气体条件的基板处理之基板处理方法及基板处理设备。在使用基板处理设备而施予预定处理之际，进行第1模式，其次，进行第2模式，在第1模式之际，阻止处理部(11a)，(11b)中产生压力差，该基板处理设备，系具备有：2个处理部(11a)，(11b)，分别对2片被处理基板施予基板处理；气体供给机构(14)，对处理部(11a)，(11b)独立地供给气体；及共通之排气机构(15)，将处理部(11a)，(11b)内的气体总括地排气，该第1模式，系对处理部(11a)供给HF气体及NH3气体，并对处理部(11b)不供给HF气体，该第2模式，系以相同气体条件来对处理部(11a)，(11b)供给HF气体及NH3气体。

4. 发明专利

TW201633422A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201633422A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104133953
申请日：2015-10-16
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI , 風間和典 , KAZAMA, KAZUNORI , 岩渕紀之 , IWABUCHI, NORIYUKI , 戶田聰 , TODA, SATOSHI , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67017 , H01L21/6719
摘要：提供一種可在對複數片被處理基板，以複數處理部來分別進行處理時，將排氣機構共通化，並施予相異氣體條件之基板處理的基板處理裝置及基板處理方法。具備有：複數處理部，係對複數片被處理基板施予基板處理；排氣機構，係從複數處理部來將氣體共通地排氣；氣體供給機構，係對複數處理部獨立供給氣體；以及控制部；控制部係在對複數片被處理基板施予基板處理時，以從複數處理部來將氣體總括地排氣的方式來控制排氣機構，並對複數處理部獨立供給處理氣體，且以阻止複數處理部中產生壓力差的方式來控制氣體供給機構。
简体摘要：提供一种可在对复数片被处理基板，以复数处理部来分别进行处理时，将排气机构共通化，并施予相异气体条件之基板处理的基板处理设备及基板处理方法。具备有：复数处理部，系对复数片被处理基板施予基板处理；排气机构，系从复数处理部来将气体共通地排气；气体供给机构，系对复数处理部独立供给气体；以及控制部；控制部系在对复数片被处理基板施予基板处理时，以从复数处理部来将气体总括地排气的方式来控制排气机构，并对复数处理部独立供给处理气体，且以阻止复数处理部中产生压力差的方式来控制气体供给机构。

5. 发明专利

TWI608536B 蝕刻方法及記憶媒體有权
简体标题：蚀刻方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI608536B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103113974
申请日：2014-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO , 守谷修司 , MORIYA, SHUJI , 松本雅至 , MATUMOTO, MASASI , 松永淳一郎 , MATSUNAGA, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116

6. 发明专利

TW201612973A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201612973A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104116481
申请日：2015-05-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO , 清水昭貴 , SHIMIZU, AKITAKA , 長倉幸一 , NAGAKURA, KOICHI , 藤剛 , SAITO, TAKESHI , 宇田秀一郎 , UDA, SHUICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065
摘要：將被處理基板(W)(該被處理基板，係在表面具有氮化矽膜，並具有鄰接於氮化矽膜的矽及/或氧化矽膜)配置於腔室(40)內，且將含氟氣體、醇氣體、O2氣體、惰性氣體在激發的狀態下，供給至腔室(40)內，並藉此相對於矽及/或氧化矽膜來選擇性地蝕刻氮化矽膜。
简体摘要：将被处理基板(W)(该被处理基板，系在表面具有氮化硅膜，并具有邻接于氮化硅膜的硅及/或氧化硅膜)配置于腔室(40)内，且将含氟气体、醇气体、O2气体、惰性气体在激发的状态下，供给至腔室(40)内，并借此相对于硅及/或氧化硅膜来选择性地蚀刻氮化硅膜。

7. 发明专利

TW201501200A 蝕刻方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：蚀刻方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201501200A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103113974
申请日：2014-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO , 守谷修司 , MORIYA, SHUJI , 松本雅至 , MATUMOTO, MASASI , 松永淳一郎 , MATSUNAGA, JUNICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116
摘要：將表面具有氮化矽膜，並具有鄰接設置於氮化矽膜之多晶矽膜及/或氧化矽膜的被處理基板配置於腔室內，而在腔室內，將含F氣體與O2氣體在至少激發O2氣體之狀態下來加以供給，並藉此來相對於多晶矽膜及/或氧化矽膜將氮化矽膜進行選擇性地蝕刻。
简体摘要：将表面具有氮化硅膜，并具有邻接设置于氮化硅膜之多晶硅膜及/或氧化硅膜的被处理基板配置于腔室内，而在腔室内，将含F气体与O2气体在至少激发O2气体之状态下来加以供给，并借此来相对于多晶硅膜及/或氧化硅膜将氮化硅膜进行选择性地蚀刻。

8. 发明专利

TWI384539B 基板處理裝置之處理室清淨化方法，基板處理裝置，及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备之处理室清净化方法，基板处理设备，及基板处理方法
公开(公告)号：TWI384539B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW094102789
申请日：2005-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：石塚修一 , ISHIZUKA, SHUUICHI , 佐佐木勝 , SASAKI, MASARU , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO , 前川浩治 , MAEKAWA, KOJI
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035

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