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1. 发明专利

TW201804014A 基板處理方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201804014A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106111742
申请日：2017-04-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 高橋哲朗 , TAKAHASHI, TETSURO
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/302 , H01L21/3065
摘要：提供一種在以複數個處理部對複數片被處理基板分別進行處理時，可一面使排氣機構共通化，一面高精度地施予不同氣體條件的基板處理之基板處理方法及基板處理裝置。在使用基板處理裝置而施予預定處理之際，進行第1模式，其次，進行第2模式，在第1模式之際，阻止處理部(11a)，(11b)中產生壓力差，該基板處理裝置，係具備有：2個處理部(11a)，(11b)，分別對2片被處理基板施予基板處理；氣體供給機構(14)，對處理部(11a)，(11b)獨立地供給氣體；及共通之排氣機構(15)，將處理部(11a)，(11b)內的氣體總括地排氣，該第1模式，係對處理部(11a)供給HF氣體及NH3氣體，並對處理部(11b)不供給HF氣體，該第2模式，係以相同氣體條件來對處理部(11a)，(11b)供給HF氣體及NH3氣體。
简体摘要：提供一种在以复数个处理部对复数片被处理基板分别进行处理时，可一面使排气机构共通化，一面高精度地施予不同气体条件的基板处理之基板处理方法及基板处理设备。在使用基板处理设备而施予预定处理之际，进行第1模式，其次，进行第2模式，在第1模式之际，阻止处理部(11a)，(11b)中产生压力差，该基板处理设备，系具备有：2个处理部(11a)，(11b)，分别对2片被处理基板施予基板处理；气体供给机构(14)，对处理部(11a)，(11b)独立地供给气体；及共通之排气机构(15)，将处理部(11a)，(11b)内的气体总括地排气，该第1模式，系对处理部(11a)供给HF气体及NH3气体，并对处理部(11b)不供给HF气体，该第2模式，系以相同气体条件来对处理部(11a)，(11b)供给HF气体及NH3气体。

2. 发明专利

TW201621999A 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體审中-公开
简体标题：蚀刻方法、蚀刻设备及记忆媒体
公开(公告)号：TW201621999A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104120002
申请日：2015-06-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 高橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31111 , H01L21/67069 , H01L21/67109
摘要：在直至到達下層前之中途階段，蝕刻藉由壁部(62)區隔出蝕刻區域的SiO2層(61)時，改善粗糙度及微負載。對載置於處理容器(1)之晶圓W，間歇地供給預先混合了HF氣體與NH3氣體的混合氣體。以間歇地供給混合氣體的方式，由混合氣體與SiO2之反應生成物所形成的保護膜，係在混合氣體的供給停止期間，藉由真空排氣而昇華(揮發)。因此，不論圖案之疏密，蝕刻速度皆為一致，從而改善微負載。又，以預先混合HF氣體與NH3氣體而供給至晶圓W的方式，可抑制附著於晶圓W表面之HF濃度之偏差，改善粗糙度並且能夠實現微負載之更進一步的改善。
简体摘要：在直至到达下层前之中途阶段，蚀刻借由壁部(62)区隔出蚀刻区域的SiO2层(61)时，改善粗糙度及微负载。对载置于处理容器(1)之晶圆W，间歇地供给预先混合了HF气体与NH3气体的混合气体。以间歇地供给混合气体的方式，由混合气体与SiO2之反应生成物所形成的保护膜，系在混合气体的供给停止期间，借由真空排气而升华(挥发)。因此，不论图案之疏密，蚀刻速度皆为一致，从而改善微负载。又，以预先混合HF气体与NH3气体而供给至晶圆W的方式，可抑制附着于晶圆W表面之HF浓度之偏差，改善粗糙度并且能够实现微负载之更进一步的改善。

3. 发明专利

TWI675420B 蝕刻方法有权
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TWI675420B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104129783
申请日：2015-09-09
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 旭健史郎 , ASAHI, KENSHIROU , 髙橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI , 出道仁彦 , DEMICHI, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67

4. 发明专利

TWI668749B 蝕刻方法、蝕刻裝置及記憶媒體有权
简体标题：蚀刻方法、蚀刻设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI668749B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104120002
申请日：2015-06-22
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 高橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065

5. 发明专利

TW201612976A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201612976A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104119586
申请日：2015-06-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 髙橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , G05B19/18
CPC分类号： H01L21/31116 , G05B19/182 , H01L21/6708
摘要：提供一種可藉由不在腔室內生成電漿的手法，相對於氮化矽膜而以高選擇比來蝕刻氧化矽膜之蝕刻方法。在腔室內配置被處理基板(該被處理基板，係在表面具有氧化矽膜，且鄰接於氧化矽膜而具有氮化矽膜)，對腔室內供給HF氣體或HF氣體及F2氣體，與醇氣體或水蒸氣，與惰性氣體，藉由此，相對於氮化矽膜而選擇性地蝕刻氧化矽膜。
简体摘要：提供一种可借由不在腔室内生成等离子的手法，相对于氮化硅膜而以高选择比来蚀刻氧化硅膜之蚀刻方法。在腔室内配置被处理基板(该被处理基板，系在表面具有氧化硅膜，且邻接于氧化硅膜而具有氮化硅膜)，对腔室内供给HF气体或HF气体及F2气体，与醇气体或水蒸气，与惰性气体，借由此，相对于氮化硅膜而选择性地蚀刻氧化硅膜。

6. 发明专利

TW201907473A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201907473A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116536
申请日：2018-05-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：笹原麗紅 , SASAHARA, REIKO , 戶田聡 , TODA, SATOSHI , 阿部拓也 , ABE, TAKUYA , 黃祖虹 , HUANG, TSUHUNG , 小澤淑恵 , OZAWA, YOSHIE , 中込健 , NAKAGOMI, KEN , 中畑賢一 , NAKAHATA, KENICHI , 旭健史郎 , ASAHI, KENSHIROU
IPC分类号： H01L21/306
摘要： [課題]提供一種可相對於氧化矽膜、矽及矽鍺，以高選擇性蝕刻氮化矽膜的蝕刻方法。　　[解決手段]在腔室內配置具有氮化矽膜、氧化矽膜、矽及矽鍺之被處理基板，將前述腔室內的壓力設成為1333Pa以上，對前述腔室內供給氟化氫氣體，相對於前述氧化矽膜、矽及矽鍺，選擇性地蝕刻前述氮化矽膜。
简体摘要： [课题]提供一种可相对于氧化硅膜、硅及硅锗，以高选择性蚀刻氮化硅膜的蚀刻方法。　　[解决手段]在腔室内配置具有氮化硅膜、氧化硅膜、硅及硅锗之被处理基板，将前述腔室内的压力设成为1333Pa以上，对前述腔室内供给氟化氢气体，相对于前述氧化硅膜、硅及硅锗，选择性地蚀刻前述氮化硅膜。

7. 发明专利

TWI648790B 蝕刻方法有权
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TWI648790B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW104119586
申请日：2015-06-17
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 高橋信博 , TAKAHASHI, NOBUHIRO , 髙橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , G05B19/18

8. 发明专利

TWI619166B 真空裝置及閥控制方法有权
简体标题：真空设备及阀控制方法
公开(公告)号：TWI619166B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW103112995
申请日：2014-04-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 斉藤英樹 , SAITOH, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/3065

9. 发明专利

TW201624564A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201624564A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104129783
申请日：2015-09-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 旭健史郎 , ASAHI, KENSHIROU , 髙橋宏幸 , TAKAHASHI, HIROYUKI , 出道仁彦 , DEMICHI, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/30604 , H01L21/30621 , H01L21/311 , H01L21/32135
摘要：提供蝕刻方法，使藉由原子層沈積法成膜的氧化矽膜相對於以熱氧化膜等其他手法形成的氧化矽膜，可以高選擇比進行蝕刻。將被處理基板配置於腔室內，該被處理基板係於表面具有藉由原子層沈積法形成的第1氧化矽膜，並具有和第1氧化矽膜鄰接，藉由原子層沈積法以外的其他手法形成的第2氧化矽膜；於腔室內供給HF氣體或HF氣體與F2氣體、以及醇類氣體或水蒸氣，藉此而使上述第1氧化矽膜相對於上述第2氧化矽膜進行選擇性蝕刻。
简体摘要：提供蚀刻方法，使借由原子层沉积法成膜的氧化硅膜相对于以热氧化膜等其他手法形成的氧化硅膜，可以高选择比进行蚀刻。将被处理基板配置于腔室内，该被处理基板系于表面具有借由原子层沉积法形成的第1氧化硅膜，并具有和第1氧化硅膜邻接，借由原子层沉积法以外的其他手法形成的第2氧化硅膜；于腔室内供给HF气体或HF气体与F2气体、以及醇类气体或水蒸气，借此而使上述第1氧化硅膜相对于上述第2氧化硅膜进行选择性蚀刻。

10. 发明专利

TW201511125A 真空裝置及閥控制方法审中-公开
简体标题：真空设备及阀控制方法
公开(公告)号：TW201511125A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103112995
申请日：2014-04-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶田聡 , TODA, SATOSHI , 斉藤英樹 , SAITOH, HIDEKI
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明之目的，係提供一種可對應到以大流量使用處理氣體之製程的真空裝置。電漿處理裝置(100)，係在連接於處理容器(1)之排氣管(53)中的4根第1排氣管(53A)中，將APC閥(55A)設定為開合度300(30%)，在剩餘的4根第2排氣管(53B)中，將APC閥(55B)設定為開合度1000(100%)。藉此，如曲線C所示，在將APC閥(55)之開合度設定為300時的曲線A與將APC閥(55)之開合度設定為1000時的曲線B之間，可在處理容器(1)內進行壓力控制與處理氣體的流量控制。相較於曲線A，即使在相同的壓力P1下，曲線C亦能夠對更大流量的處理氣體進行排氣(Q1
简体摘要：本发明之目的，系提供一种可对应到以大流量使用处理气体之制程的真空设备。等离子处理设备(100)，系在连接于处理容器(1)之排气管(53)中的4根第1排气管(53A)中，将APC阀(55A)设置为开合度300(30%)，在剩余的4根第2排气管(53B)中，将APC阀(55B)设置为开合度1000(100%)。借此，如曲线C所示，在将APC阀(55)之开合度设置为300时的曲线A与将APC阀(55)之开合度设置为1000时的曲线B之间，可在处理容器(1)内进行压力控制与处理气体的流量控制。相较于曲线A，即使在相同的压力P1下，曲线C亦能够对更大流量的处理气体进行排气(Q1

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