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1. 发明专利

TWI443719B 基板處理方法、程式及記錄程式之記錄媒體失效
简体标题：基板处理方法、进程及记录进程之记录媒体
公开(公告)号：TWI443719B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW095138422
申请日：2006-10-18
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 若林哲 , WAKABAYASHI, SATOSHI , 山內晉 , YAMAUCHI, SUSUMU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/768 , C23C16/14 , H01L21/3205 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67184 , C23C16/54 , H01L21/02063 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/67745 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76864

2. 发明专利

TWI392762B 氣體供給裝置及基板處理裝置有权
简体标题：气体供给设备及基板处理设备
公开(公告)号：TWI392762B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW096128618
申请日：2007-08-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 若林哲 , WAKABAYASHI, SATOSHI , 齋藤哲也 , SAITOU, TETSUYA
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574

3. 发明专利

TWI579975B 形成保形金屬矽化物膜之方法有权
简体标题：形成保形金属硅化物膜之方法
公开(公告)号：TWI579975B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102102872
申请日：2013-01-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 歐米拉大衛L , O'MEARA, DAVID L. , 盧森克葛雷特J , LEUSINK, GERRIT J.
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181

4. 发明专利

TWI403607B Ｔｉ系膜之成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：Ｔｉ系膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI403607B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW096106511
申请日：2007-02-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 若林哲 , WAKABAYASHI, SATOSHI , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/52 , G05B15/02
CPC分类号： C23C16/14 , C23C8/36 , C23C16/4405 , C23C16/56

5. 发明专利

TW201631203A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201631203A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104133877
申请日：2015-10-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：廣瀬勝人 , HIROSE, KATSUHITO , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 鈴木健二 , SUZUKI, KENJI , 篠原猛 , SHINOHARA, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45506 , C23C16/4554 , H01L21/285
摘要：本發明提供一種能夠穩定進行良質之成膜作業的成膜裝置及成膜方法。該成膜裝置，係具備：載置部(2)(載置台)，其是設置於處理容器(1)內，可供基板(晶圓)(W)載置；及頂部，其是與載置部(2)對向配置；以及反應氣體供應部(GS1、321、322)，其是連通於載置部(2)與頂部(31)之間的處理空間，在載置部(2)的外周部與頂部(31)的外周部之間，係環於此等的圓周方向，存在有俯視觀察(從Z方向觀察的情況)呈環狀的間隙，從反應氣體供應部經由頂部(31)而供應至處理空間內的反應氣體，係經由環狀的間隙，朝向處理空間之外部流出，在施予間隙的頂部(31)之外周部，係設置有複數個氣流牆幕形成用的氣體流路(H)。
简体摘要：本发明提供一种能够稳定进行良质之成膜作业的成膜设备及成膜方法。该成膜设备，系具备：载置部(2)(载置台)，其是设置于处理容器(1)内，可供基板(晶圆)(W)载置；及顶部，其是与载置部(2)对向配置；以及反应气体供应部(GS1、321、322)，其是连通于载置部(2)与顶部(31)之间的处理空间，在载置部(2)的外周部与顶部(31)的外周部之间，系环于此等的圆周方向，存在有俯视观察(从Z方向观察的情况)呈环状的间隙，从反应气体供应部经由顶部(31)而供应至处理空间内的反应气体，系经由环状的间隙，朝向处理空间之外部流出，在施予间隙的顶部(31)之外周部，系设置有复数个气流墙幕形成用的气体流路(H)。

6. 发明专利

TW201349391A 形成保形金屬矽化物膜之方法审中-公开
简体标题：形成保形金属硅化物膜之方法
公开(公告)号：TW201349391A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102102872
申请日：2013-01-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 歐米拉大衛L , O'MEARA, DAVID L. , 盧森克葛雷特J , LEUSINK, GERRIT J.
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181
摘要：提供一種在基板上形成金屬矽化物層的方法。根據一實施例，本方法包含在處理室中提供基板，在第一基板溫度下使該基板暴露於產生自包含金屬前驅物之沉積氣體的電漿，其中該電漿暴露於自限處理中在該基板上形成保形的含金屬層。該方法更包含缺少電漿的情況下，於第二基板溫度下使該含金屬層暴露於還原氣體，其中暴露步驟係交替地執行至少一次以形成該金屬矽化物層，且該沉積氣體並未包含該還原氣體。本方法提供在深凹槽中具有高深寬比之保形金屬矽化物形成。
简体摘要：提供一种在基板上形成金属硅化物层的方法。根据一实施例，本方法包含在处理室中提供基板，在第一基板温度下使该基板暴露于产生自包含金属前驱物之沉积气体的等离子，其中该等离子暴露于自限处理中在该基板上形成保形的含金属层。该方法更包含缺少等离子的情况下，于第二基板温度下使该含金属层暴露于还原气体，其中暴露步骤系交替地运行至少一次以形成该金属硅化物层，且该沉积气体并未包含该还原气体。本方法提供在深凹槽中具有高深宽比之保形金属硅化物形成。

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