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1. 发明专利

TWI428976B 半導體裝置之製造方法、半導體裝置之製造裝置、電腦記憶媒體及記憶有處理程式之記憶媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法、半导体设备之制造设备、电脑记忆媒体及记忆有处理进程之记忆媒体
公开(公告)号：TWI428976B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW096127562
申请日：2007-07-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA , 出道仁彥 , DEMICHI, KIMIHIKO , 吹野康彥 , FUKINO, YASUHIKO
IPC分类号： H01L21/306

2. 发明专利

TWI683022B 成膜方法、鎢膜之成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：成膜方法、钨膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI683022B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105102604
申请日：2016-01-28
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU , 丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA , 饗場康 , AIBA, YASUSHI
IPC分类号： C23C16/08 , C23C16/455 , H01L21/285

3. 发明专利

TW201810379A 鎢膜之成膜方法审中-公开
简体标题：钨膜之成膜方法
公开(公告)号：TW201810379A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106109749
申请日：2017-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木健二 , SUZUKI, KENJI , 堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU , 丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA , 那須勝行 , NASU, MASAYUKI , 宮原準 , MIYAHARA, JUNYA , 前川浩治 , MAEKAWA, KOJI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/285 , H01L21/3205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/76843
摘要：提供一種可使用氯化鎢氣體作為原料氣體，一面抑制基底膜的蝕刻，一面形成鎢膜之鎢膜之成膜方法。具有：對形成有基底膜之被處理基板施予SiH4氣體處理的工程；及其後，挾持腔室內之沖洗，將氯化鎢氣體及還原氣體依序供給至前述腔室內而形成主鎢膜的鎢膜成膜工程。亦可在SiH4氣體處理後進行氯化鎢氣體處理，或亦可在鎢膜成膜工程中，供給氯化鎢氣體之際，抑制還原氣體的存在。
简体摘要：提供一种可使用氯化钨气体作为原料气体，一面抑制基底膜的蚀刻，一面形成钨膜之钨膜之成膜方法。具有：对形成有基底膜之被处理基板施予SiH4气体处理的工程；及其后，挟持腔室内之冲洗，将氯化钨气体及还原气体依序供给至前述腔室内而形成主钨膜的钨膜成膜工程。亦可在SiH4气体处理后进行氯化钨气体处理，或亦可在钨膜成膜工程中，供给氯化钨气体之际，抑制还原气体的存在。

4. 发明专利

TWI608516B 電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI608516B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW102142271
申请日：2013-11-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹野康彥 , FUKINO, YASUHIKO , 丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA
IPC分类号： H01J37/32

5. 发明专利

TW201700763A 成膜方法、鎢膜之成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜方法、钨膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201700763A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105102604
申请日：2016-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成嶋健索 , NARUSHIMA, KENSAKU , 堀田隼史 , HOTTA, TAKANOBU , 丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA , 饗場康 , AIBA, YASUSHI
IPC分类号： C23C16/08 , C23C16/455 , H01L21/285
摘要：提供一種藉由使用WCl6氣體來作為原料氣體之ALD法，便可以高生產性來成膜出填埋性良好之鎢膜的鎢膜之成膜方法。在藉由收納有被處理基板，且保持為減壓氛圍下的腔室內，摻雜著腔室內之沖淨而交互地供給作為鎢原料氣體之氯化鎢氣體以及將氯化鎢氣體還原之還原氣體的ALD法來於被處理基板表面成膜出鎢膜時，於供給氯化鎢氣體時，以ALD反應為主體的方式添加還原氣體。
简体摘要：提供一种借由使用WCl6气体来作为原料气体之ALD法，便可以高生产性来成膜出填埋性良好之钨膜的钨膜之成膜方法。在借由收纳有被处理基板，且保持为减压氛围下的腔室内，掺杂着腔室内之冲净而交互地供给作为钨原料气体之氯化钨气体以及将氯化钨气体还原之还原气体的ALD法来于被处理基板表面成膜出钨膜时，于供给氯化钨气体时，以ALD反应为主体的方式添加还原气体。

6. 发明专利

TW201435963A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201435963A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102142271
申请日：2013-11-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹野康彥 , FUKINO, YASUHIKO , 丸山智久 , MARUYAMA, TOMOHISA
IPC分类号： H01J37/32
摘要： [課題]提供一種不需使用整流壁或自由基消耗量較多的犧牲材，就可減低被處理基板之周邊部的反應性並進行均勻之電漿處理的電漿處理裝置。[解決手段]具備：處理容器(2)，用於收容基板(G)並施予電漿處理；基板載置台(4)，在處理容器(2)內載置基板(G)；處理氣體供給機構(20，28)，對處理容器內供給處理氣體；排氣機構(30)，對處理容器(2)內進行排氣；高頻電源(14a)，作為在處理容器(2)內生成處理氣體之電漿的電漿源；及捕集氣體供給機構(16，19)，對基板載置台(4)上之基板(G)的周邊部供給捕集電漿中之活性種的捕集氣體。
简体摘要： [课题]提供一种不需使用整流壁或自由基消耗量较多的牺牲材，就可减低被处理基板之周边部的反应性并进行均匀之等离子处理的等离子处理设备。[解决手段]具备：处理容器(2)，用于收容基板(G)并施予等离子处理；基板载置台(4)，在处理容器(2)内载置基板(G)；处理气体供给机构(20，28)，对处理容器内供给处理气体；排气机构(30)，对处理容器(2)内进行排气；高频电源(14a)，作为在处理容器(2)内生成处理气体之等离子的等离子源；及捕集气体供给机构(16，19)，对基板载置台(4)上之基板(G)的周边部供给捕集等离子中之活性种的捕集气体。

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