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热词
    • 2. 发明专利
    • 成膜方法、成膜裝置及記錄媒體
    • 成膜方法、成膜设备及记录媒体
    • TW201546877A
    • 2015-12-16
    • TW104108250
    • 2015-03-16
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 鈴木啟介SUZUKI, KEISUKE村上博紀MURAKAMI, HIROKI菱屋晉吾HISHIYA, SHINGO門永健太郎KADONAGA, KENTARO小幡穰OBATA, MINORU
    • H01L21/02H01L21/67
    • C23C16/30C23C16/4408C23C16/45529C23C16/45531
    • 本發明旨在提供一種成膜方法,於真空氛圍中使含有摻雜元素之薄膜成膜,其特徵在於包含:吸附程序,將原料氣體自原料氣體供給部供給到呈真空氛圍之處理容器內,使基板吸附該原料氣體之原料;摻雜程序,重複複數次「將含有摻雜元素之摻雜氣體自摻雜氣體供給部供給到該處理容器內,於該處理容器內封入摻雜氣體之步驟,與使該處理容器內真空排氣之步驟」;反應程序,自反應氣體供給部對該處理容器內供給「與該原料反應而產生反應產物之反應氣體」;及置換程序,介在於該各程序間而進行,置換該處理容器內之氛圍;且自該原料氣體供給部、該摻雜氣體供給部及反應氣體供給部,對該處理容器內流入防止逆流用氣體,同時進行該摻雜程序。
    • 本发明旨在提供一种成膜方法,于真空氛围中使含有掺杂元素之薄膜成膜,其特征在于包含:吸附进程,将原料气体自原料气体供给部供给到呈真空氛围之处理容器内,使基板吸附该原料气体之原料;掺杂进程,重复复数次“将含有掺杂元素之掺杂气体自掺杂气体供给部供给到该处理容器内,于该处理容器内封入掺杂气体之步骤,与使该处理容器内真空排气之步骤”;反应进程,自反应气体供给部对该处理容器内供给“与该原料反应而产生反应产物之反应气体”;及置换进程,介在于该各进程间而进行,置换该处理容器内之氛围;且自该原料气体供给部、该掺杂气体供给部及反应气体供给部,对该处理容器内流入防止逆流用气体,同时进行该掺杂进程。
    • 3. 发明专利
    • 使用氣體噴嘴之成膜裝置
    • 使用气体喷嘴之成膜设备
    • TW201604960A
    • 2016-02-01
    • TW104108714
    • 2015-03-19
    • 東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 本山豊MOTOYAMA, YUTAKA福島講平FUKUSHIMA, KOHEI松永正信MATSUNAGA, MASANOBU戶根川大和TONEGAWA, YAMATO鈴木啟介SUZUKI, KEISUKE
    • H01L21/31C23C16/455
    • C23C16/45563C23C16/4412C23C16/45546C23C16/45578C23C16/458
    • 本發明提供一種成膜裝置,在呈真空氣體環境之縱型的反應容器內,以配置有成棚架狀地保持複數片基板之基板保持具的狀態,對該反應容器內交互地供給原料氣體、及與該原料氣體反應而生成反應生成物的反應氣體,以於該基板上成膜,具備:第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴,沿著該基板之配置方向延伸設置,在與各該基板彼此間的間隙分別對應之高度位置,形成朝向該基板的中央部噴吐該原料氣體之複數之氣體噴吐孔;反應氣體供給部,供對該反應容器內供給該反應氣體所用;第1原料氣體供給路與第2原料氣體供給路,分別和該第1原料氣體噴嘴與第2原料氣體噴嘴連接;第1槽與第2槽,分別設置於該第1原料氣體供給路之中途與第2原料氣體供給路之中途,供在將該原料氣體升壓的狀態下儲存該原料氣體所用;閥,分別設置於該第1槽之上游側與下游側、該第2槽之上游側與下游側;以及排氣口,供將該反應容器內真空排氣所用;在配置該基板之高度區域裡,於配置方向的中央之高度區域,配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴雙方之氣體噴吐孔,於該中央之高度區域以外,配置該第1原料氣體噴嘴及該第2原料氣體噴嘴中至少任一方之氣體噴吐孔。
    • 本发明提供一种成膜设备,在呈真空气体环境之纵型的反应容器内,以配置有成棚架状地保持复数片基板之基板保持具的状态,对该反应容器内交互地供给原料气体、及与该原料气体反应而生成反应生成物的反应气体,以于该基板上成膜,具备:第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴,沿着该基板之配置方向延伸设置,在与各该基板彼此间的间隙分别对应之高度位置,形成朝向该基板的中央部喷吐该原料气体之复数之气体喷吐孔;反应气体供给部,供对该反应容器内供给该反应气体所用;第1原料气体供给路与第2原料气体供给路,分别和该第1原料气体喷嘴与第2原料气体喷嘴连接;第1槽与第2槽,分别设置于该第1原料气体供给路之中途与第2原料气体供给路之中途,供在将该原料气体升压的状态下存储该原料气体所用;阀,分别设置于该第1槽之上游侧与下游侧、该第2槽之上游侧与下游侧;以及排气口,供将该反应容器内真空排气所用;在配置该基板之高度区域里,于配置方向的中央之高度区域,配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴双方之气体喷吐孔,于该中央之高度区域以外,配置该第1原料气体喷嘴及该第2原料气体喷嘴中至少任一方之气体喷吐孔。