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1. 发明专利

TW201342468A 具有減小的側壁間隔物薄型化之高選擇性間隔物蝕刻程序审中-公开
简体标题：具有减小的侧壁间隔物薄型化之高选择性间隔物蚀刻进程
公开(公告)号：TW201342468A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101148721
申请日：2012-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：萊利安潔莉丹尼斯 , RALEY, ANGELIQUE DENISE , 森琢哉 , MORI, TAKUYA , 大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/283 , H01L21/3115 , H01L29/6656
摘要：本發明敘述一種執行間隔物蝕刻製程的方法。該方法包括：將間隔物材料保形地塗佈在基板上之閘極結構上方；以及執行間隔物蝕刻製程序列以便從閘極結構之覆蓋區域、以及基板上鄰近閘極結構的基部之基板區域部份移除間隔物材料，而保留位於沿著閘極結構之側壁的間隔物側壁。間隔物蝕刻製程序列可包括：氧化間隔物材料之曝露表面以形成間隔物氧化層；執行第一蝕刻製程以便從在基板上之基板區域處的間隔物材料、以及在閘極結構之覆蓋區域處的間隔物材料非等向移除間隔物氧化層；以及執行第二蝕刻製程以便從基板上之基板區域、以及閘極結構之覆蓋區域選擇性移除間隔物材料，從而在閘極結構之側壁上留下間隔物側壁。
简体摘要：本发明叙述一种运行间隔物蚀刻制程的方法。该方法包括：将间隔物材料保形地涂布在基板上之闸极结构上方；以及运行间隔物蚀刻制程串行以便从闸极结构之覆盖区域、以及基板上邻近闸极结构的基部之基板区域部份移除间隔物材料，而保留位于沿着闸极结构之侧壁的间隔物侧壁。间隔物蚀刻制程串行可包括：氧化间隔物材料之曝露表面以形成间隔物氧化层；运行第一蚀刻制程以便从在基板上之基板区域处的间隔物材料、以及在闸极结构之覆盖区域处的间隔物材料非等向移除间隔物氧化层；以及运行第二蚀刻制程以便从基板上之基板区域、以及闸极结构之覆盖区域选择性移除间隔物材料，从而在闸极结构之侧壁上留下间隔物侧壁。

2. 发明专利

TWI524419B 具有減小的側壁間隔物薄型化之高選擇性間隔物蝕刻程序有权
简体标题：具有减小的侧壁间隔物薄型化之高选择性间隔物蚀刻进程
公开(公告)号：TWI524419B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW101148721
申请日：2012-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：萊利安潔莉丹尼斯 , RALEY, ANGELIQUE DENISE , 森琢哉 , MORI, TAKUYA , 大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/283 , H01L21/3115 , H01L29/6656

3. 发明专利

TWI651753B 用以蝕刻高深寬比特徵部之功率調變的方法有权
简体标题：用以蚀刻高深宽比特征部之功率调制的方法
公开(公告)号：TWI651753B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106102020
申请日：2017-01-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO , 森琢哉 , MORI, TAKUYA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/306

4. 发明专利

TW201737294A 用以蝕刻高深寬比特徵部之功率調變审中-公开
简体标题：用以蚀刻高深宽比特征部之功率调制
公开(公告)号：TW201737294A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106102020
申请日：2017-01-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大竹浩人 , OHTAKE, HIROTO , 森琢哉 , MORI, TAKUYA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30621 , H01J37/32146 , H01J37/32183 , H01J37/3222 , H01J37/32311 , H01J37/3464 , H01J2237/3346 , H01L21/3065
摘要：本揭露內容描述基板的蝕刻方法。該方法包含：在電漿處理系統的處理空間中設置基板，該基板具有露出第一材料及第二材料的表面；及執行調變電漿蝕刻製程，以選擇性地以大於移除第二材料的速率移除第一材料。調變電漿蝕刻製程包含具有序列式功率施加步驟的功率調變循環，該功率調變循環包含：在第一功率位準施加射頻(RF, radio frequency)訊號至電漿處理系統、在第二功率位準施加RF訊號至電漿處理系統、及在第三功率位準施加RF訊號至電漿處理系統。此後，重複該功率調變循環至少再一個循環，其中每一調變循環包含調變時間段。
简体摘要：本揭露内容描述基板的蚀刻方法。该方法包含：在等离子处理系统的处理空间中设置基板，该基板具有露出第一材料及第二材料的表面；及运行调制等离子蚀刻制程，以选择性地以大于移除第二材料的速率移除第一材料。调制等离子蚀刻制程包含具有串行式功率施加步骤的功率调制循环，该功率调制循环包含：在第一功率位准施加射频(RF, radio frequency)信号至等离子处理系统、在第二功率位准施加RF信号至等离子处理系统、及在第三功率位准施加RF信号至等离子处理系统。此后，重复该功率调制循环至少再一个循环，其中每一调制循环包含调制时间段。

5. 发明专利

TWI455205B 蝕刻方法及半導體元件之製造方法有权
简体标题：蚀刻方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI455205B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098107951
申请日：2009-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森琢哉 , MORI, TAKUYA , 高橋正彥 , TAKAHASHI, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238

6. 发明专利

TW201005821A 蝕刻方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201005821A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098107951
申请日：2009-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：森琢哉 , 高橋正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：本發明提供一種蝕刻方法，可使針對矽氧化膜的多晶矽膜之選擇比提高，並可抑制矽基材凹部的產生，其中在矽基材上依序形成閘極氧化膜、多晶矽膜及具有開口部之硬遮罩膜，且在和開口部對應之多晶矽膜的溝槽內形成有自然氧化膜之晶圓中，將自然氧化膜蝕刻至使多晶矽膜露出溝槽的底部的程度，並將氣氛壓力設定為13.3Pa，接著向處理空間供給O2氣體、HBr氣體及Ar氣體，並將偏壓之頻率設定為13.56MHz，藉由從HBr氣體產生之電漿將多晶矽膜蝕刻而完全去除。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻方法，可使针对硅氧化膜的多晶硅膜之选择比提高，并可抑制硅基材凹部的产生，其中在硅基材上依序形成闸极氧化膜、多晶硅膜及具有开口部之硬遮罩膜，且在和开口部对应之多晶硅膜的沟槽内形成有自然氧化膜之晶圆中，将自然氧化膜蚀刻至使多晶硅膜露出沟槽的底部的程度，并将气氛压力设置为13.3Pa，接着向处理空间供给O2气体、HBr气体及Ar气体，并将偏压之频率设置为13.56MHz，借由从HBr气体产生之等离子将多晶硅膜蚀刻而完全去除。

7. 发明专利

TW514965B 蝕刻方法失效
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW514965B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090115401
申请日：2001-06-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 日本電氣股份有限公司
发明人：森琢哉 , 稻澤剛一郎 , 小林典之 , 杉浦正仁 , 林喜宏 , 木下啓藏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/31138 , H01L21/76804 , H01L21/76813 , H01L21/76834 , H01L21/76835
摘要：本發明製得一種肩部損失少之雙道金屬鑲嵌構造。其於將有機LowK膜208和其上所形成之遮罩層210當做被蝕刻層，而在有機LowK膜層，使用至少2種以上的混合氣體，以乾式蝕刻形成其有眉部的雙道金屬鑲嵌構造的方法中，實施利用第1製程氣體蝕刻遮罩層後，繼續以前述第1製程氣體將有機LowK膜層蝕刻至預定深度的第1程序，袖在第1程序以後，以第2製程氣體蝕刻有機LowK膜層的第2程序。由於透過第1程序，可以在介層側壁形成保護壁，故而可以減輕在渠溝與介層的接合區域所形成之肩部損失。
简体摘要：本发明制得一种肩部损失少之双道金属镶嵌构造。其于将有机LowK膜208和其上所形成之遮罩层210当做被蚀刻层，而在有机LowK膜层，使用至少2种以上的混合气体，以干式蚀刻形成其有眉部的双道金属镶嵌构造的方法中，实施利用第1制程气体蚀刻遮罩层后，继续以前述第1制程气体将有机LowK膜层蚀刻至预定深度的第1进程，袖在第1进程以后，以第2制程气体蚀刻有机LowK膜层的第2进程。由于透过第1进程，可以在介层侧壁形成保护壁，故而可以减轻在渠沟与介层的接合区域所形成之肩部损失。

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