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1. 发明专利

TW201419412A 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW201419412A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW103104198
申请日：2009-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西塚哲也 , NISHIZUKA, TETSUYA , 高橋正彥 , TAKAHASHI, MASAHIKO , 小津俊久 , OZU, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/16
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
摘要：一種使用電漿蝕刻裝置來進行的電漿蝕刻方法，該電漿蝕刻裝置具備有：處理容器、載置台、微波供給機構、氣體供給機構、排氣機構、將交流偏壓電功率供給至該載置台的偏壓電功率供給機構、以及控制交流偏壓電功率之偏壓電功率控制機構；其中，該偏壓電功率控制機構係對載置台交互地反覆執行該交流偏壓電功率的供給與停止供給，且以相對於供給有該交流偏壓電功率之期間與停止供給該交流偏壓電功率之期間的總合時間，供給有該交流偏壓電功率之期間的比例為0.1以上且0.5以下之方式來控制該交流偏壓電功率。
简体摘要：一种使用等离子蚀刻设备来进行的等离子蚀刻方法，该等离子蚀刻设备具备有：处理容器、载置台、微波供给机构、气体供给机构、排气机构、将交流偏压电功率供给至该载置台的偏压电功率供给机构、以及控制交流偏压电功率之偏压电功率控制机构；其中，该偏压电功率控制机构系对载置台交互地反复运行该交流偏压电功率的供给与停止供给，且以相对于供给有该交流偏压电功率之期间与停止供给该交流偏压电功率之期间的总合时间，供给有该交流偏压电功率之期间的比例为0.1以上且0.5以下之方式来控制该交流偏压电功率。

2. 发明专利

TWI455205B 蝕刻方法及半導體元件之製造方法有权
简体标题：蚀刻方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TWI455205B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW098107951
申请日：2009-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：森琢哉 , MORI, TAKUYA , 高橋正彥 , TAKAHASHI, MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238

3. 发明专利

TWI430360B 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置有权
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TWI430360B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW098138329
申请日：2009-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西塚哲也 , NISHIZUKA, TETSUYA , 高橋正彥 , TAKAHASHI, MASAHIKO , 小津俊久 , OZU, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/16
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229

4. 发明专利

TWI515791B 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置有权
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TWI515791B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103104198
申请日：2009-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西塚哲也 , NISHIZUKA, TETSUYA , 高橋正彥 , TAKAHASHI, MASAHIKO , 小津俊久 , OZU, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/16
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229

5. 发明专利

TW201108324A 電漿蝕刻方法 PLASMA ETCHING METHOD 审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法 PLASMA ETCHING METHOD
公开(公告)号：TW201108324A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099108575
申请日：2010-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：金高裕樹 , 小津俊久 , 高橋正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3081 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明關於一種基板處理方法,其係於基板上形成遮罩圖案後藉由一蝕刻處理以形成期望圖案,此方法包含下列步驟:於基板上形成兩膜層之步驟;量測該遮罩圖案寬度或該兩膜層其中一層的蝕刻後圖案寬度之步驟;及根據該量測到的寬度來調整HBr及其他氣體中任一氣體的流量之步驟。該兩膜層包含氮化矽層及一有機介電層。
简体摘要：本发明关于一种基板处理方法,其系于基板上形成遮罩图案后借由一蚀刻处理以形成期望图案,此方法包含下列步骤:于基板上形成两膜层之步骤;量测该遮罩图案宽度或该两膜层其中一层的蚀刻后图案宽度之步骤;及根据该量测到的宽度来调整HBr及其他气体中任一气体的流量之步骤。该两膜层包含氮化硅层及一有机介电层。

6. 发明专利

TW201034072A 電漿蝕刻方法及電漿蝕刻裝置审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法及等离子蚀刻设备
公开(公告)号：TW201034072A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138329
申请日：2009-11-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西塚哲也 , 高橋正彥 , 小津俊久
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
摘要：一種使用電漿蝕刻裝置來進行的電漿蝕刻方法，該電漿蝕刻裝置具備有：處理容器、載置台、微波供給機構、氣體供給機構、排氣機構、將交流偏壓電功率供給至該載置台的偏壓電功率供給機構、以及控制交流偏壓電功率之偏壓電功率控制機構；其中，該偏壓電功率控制機構係對載置台交互地反覆執行該交流偏壓電功率的供給與停止供給，且以相對於供給有該交流偏壓電功率之期間與停止供給該交流偏壓電功率之期間的總合時間，供給有該交流偏壓電功率之期間的比例為0.1以上且0.5以下之方式來控制該交流偏壓電功率。
简体摘要：一种使用等离子蚀刻设备来进行的等离子蚀刻方法，该等离子蚀刻设备具备有：处理容器、载置台、微波供给机构、气体供给机构、排气机构、将交流偏压电功率供给至该载置台的偏压电功率供给机构、以及控制交流偏压电功率之偏压电功率控制机构；其中，该偏压电功率控制机构系对载置台交互地反复运行该交流偏压电功率的供给与停止供给，且以相对于供给有该交流偏压电功率之期间与停止供给该交流偏压电功率之期间的总合时间，供给有该交流偏压电功率之期间的比例为0.1以上且0.5以下之方式来控制该交流偏压电功率。

7. 发明专利

TW201005821A 蝕刻方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201005821A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098107951
申请日：2009-03-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：森琢哉 , 高橋正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/3222 , H01J37/32238
摘要：本發明提供一種蝕刻方法，可使針對矽氧化膜的多晶矽膜之選擇比提高，並可抑制矽基材凹部的產生，其中在矽基材上依序形成閘極氧化膜、多晶矽膜及具有開口部之硬遮罩膜，且在和開口部對應之多晶矽膜的溝槽內形成有自然氧化膜之晶圓中，將自然氧化膜蝕刻至使多晶矽膜露出溝槽的底部的程度，並將氣氛壓力設定為13.3Pa，接著向處理空間供給O2氣體、HBr氣體及Ar氣體，並將偏壓之頻率設定為13.56MHz，藉由從HBr氣體產生之電漿將多晶矽膜蝕刻而完全去除。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻方法，可使针对硅氧化膜的多晶硅膜之选择比提高，并可抑制硅基材凹部的产生，其中在硅基材上依序形成闸极氧化膜、多晶硅膜及具有开口部之硬遮罩膜，且在和开口部对应之多晶硅膜的沟槽内形成有自然氧化膜之晶圆中，将自然氧化膜蚀刻至使多晶硅膜露出沟槽的底部的程度，并将气氛压力设置为13.3Pa，接着向处理空间供给O2气体、HBr气体及Ar气体，并将偏压之频率设置为13.56MHz，借由从HBr气体产生之等离子将多晶硅膜蚀刻而完全去除。

8. 发明专利

TWI366875B 半導體裝置之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI366875B
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：TW097132539
申请日：2008-08-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：西塚哲也 , 高橋正彥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01L21/28 , H01L21/28008 , H01L21/306 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：半導體裝置之製造方法包含下列步驟：在半導體基板上形成突出狀形態之絕緣層，該突出狀形態之絕緣層具有面及自該面朝上方豎立之豎立面；形成導電層俾使包覆突出狀形態之絕緣層；及在85mTorr以上之高壓條件下對半導體基板施加70mW/cm2以上之偏壓功率，並同時藉由使用以微波為電漿源之微波電漿之蝕刻處理，圖案化導電層之既定區域並將其去除。
简体摘要：半导体设备之制造方法包含下列步骤：在半导体基板上形成突出状形态之绝缘层，该突出状形态之绝缘层具有面及自该面朝上方竖立之竖立面；形成导电层俾使包覆突出状形态之绝缘层；及在85mTorr以上之高压条件下对半导体基板施加70mW/cm2以上之偏压功率，并同时借由使用以微波为等离子源之微波等离子之蚀刻处理，图案化导电层之既定区域并将其去除。

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