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1. 发明专利

TW201836009A 被加工物之處理方法审中-公开
简体标题：被加工物之处理方法
公开(公告)号：TW201836009A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107101484
申请日：2018-01-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：後平拓 , GOHIRA, TAKU , 工藤仁 , KUDO, JIN
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
摘要：本發明旨在能於電漿蝕刻結束後而將被加工物從腔室搬出前，去除被加工物上的沉積物，或減少其數量。本發明提供一種被加工物之處理方法。此方法包含：蝕刻步驟，包含藉由產生含有氟碳化合物氣體及／或氫氟碳化合物氣體的處理氣體的電漿，而於低溫下將載置於平台上的被加工物的蝕刻對象膜予以蝕刻之主蝕刻；升溫步驟，於剛執行完蝕刻步驟後，或剛執行完主蝕刻後，使靜電吸盤的溫度上升；及搬出步驟，於將靜電吸盤的溫度設定為高溫之狀態下，將被加工物從腔室搬出。
简体摘要：本发明旨在能于等离子蚀刻结束后而将被加工物从腔室搬出前，去除被加工物上的沉积物，或减少其数量。本发明提供一种被加工物之处理方法。此方法包含：蚀刻步骤，包含借由产生含有氟碳化合物气体及／或氢氟碳化合物气体的处理气体的等离子，而于低温下将载置于平台上的被加工物的蚀刻对象膜予以蚀刻之主蚀刻；升温步骤，于刚运行完蚀刻步骤后，或刚运行完主蚀刻后，使静电吸盘的温度上升；及搬出步骤，于将静电吸盘的温度设置为高温之状态下，将被加工物从腔室搬出。

2. 发明专利

TW201841252A 包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法审中-公开
简体标题：包含等离子处理设备之腔室本体内部的清理之等离子处理方法
公开(公告)号：TW201841252A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107101474
申请日：2018-01-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：工藤仁 , KUDO, JIN , 後平拓 , GOHIRA, TAKU
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明旨在縮短用以除去在腔室本體的內部所產生之沉積物之清理的時間。本發明提供一種包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法。此方法係包含：蝕刻步驟，係包含主蝕刻，該主蝕刻係藉由產生包含氟碳氣體及/或氫氟碳化合物氣體之處理氣體的電漿，對在工作台上所載置之被加工物的蝕刻對象膜以低溫進行蝕刻；搬出步驟，係從腔室搬出被加工物；以及清理步驟，係在將靜電夾頭的溫度設定成高溫的狀態，藉由產生清理氣體的電漿，清理腔室本體的內部。
简体摘要：本发明旨在缩短用以除去在腔室本体的内部所产生之沉积物之清理的时间。本发明提供一种包含等离子处理设备之腔室本体内部的清理之等离子处理方法。此方法系包含：蚀刻步骤，系包含主蚀刻，该主蚀刻系借由产生包含氟碳气体及/或氢氟碳化合物气体之处理气体的等离子，对在工作台上所载置之被加工物的蚀刻对象膜以低温进行蚀刻；搬出步骤，系从腔室搬出被加工物；以及清理步骤，系在将静电夹头的温度设置成高温的状态，借由产生清理气体的等离子，清理腔室本体的内部。

3. 发明专利

TW201810429A 蝕刻處理方法审中-公开
简体标题：蚀刻处理方法
公开(公告)号：TW201810429A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106119401
申请日：2017-06-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：工藤仁 , KUDO, JIN , 高山航 , TAKAYAMA, WATARU , 戶村幕樹 , TOMURA, MAJU
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01J2237/2001 , H01J2237/334 , H01L21/022 , H01L21/67069 , H01L21/67248
摘要：本發明提供一種蝕刻處理方法，其目的在於維持高蝕刻率，並抑制側蝕刻。該蝕刻處理方法，在基板的溫度為-35℃以下之極低溫環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力；供給含氟化硫氣體及含氫氣體，藉由產生的電漿，蝕刻疊層有組成相異之含矽膜的疊層膜。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻处理方法，其目的在于维持高蚀刻率，并抑制侧蚀刻。该蚀刻处理方法，在基板的温度为-35℃以下之极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力；供给含氟化硫气体及含氢气体，借由产生的等离子，蚀刻叠层有组成相异之含硅膜的叠层膜。

4. 发明专利

TW201810417A 蝕刻處理方法审中-公开
简体标题：蚀刻处理方法
公开(公告)号：TW201810417A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106118168
申请日：2017-06-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：戶村幕樹 , TOMURA, MAJU , 工藤仁 , KUDO, JIN , 大矢欣伸 , OHYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31144 , H01L21/67069 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要：本發明提供一種蝕刻處理方法，其目的在於確保遮罩選擇比，並在含矽膜之蝕刻中避免遮罩開口的阻塞。該蝕刻處理方法，在基板的溫度為－35℃以下之極低溫環境中，從第1高頻電源輸出第1高頻的電力，從第2高頻電源輸出較該第1高頻更低之第2高頻的電力；對由含有碳、氫、及氟之氣體形成的蝕刻氣體，添加碳原子數為3以上的碳氫化合物氣體並產生電漿，蝕刻氧化矽膜或疊層有組成相異之含矽膜的疊層膜。
简体摘要：本发明提供一种蚀刻处理方法，其目的在于确保遮罩选择比，并在含硅膜之蚀刻中避免遮罩开口的阻塞。该蚀刻处理方法，在基板的温度为－35℃以下之极低温环境中，从第1高频电源输出第1高频的电力，从第2高频电源输出较该第1高频更低之第2高频的电力；对由含有碳、氢、及氟之气体形成的蚀刻气体，添加碳原子数为3以上的碳氢化合物气体并产生等离子，蚀刻氧化硅膜或叠层有组成相异之含硅膜的叠层膜。

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