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1. 发明专利

TW201841252A 包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法审中-公开
简体标题：包含等离子处理设备之腔室本体内部的清理之等离子处理方法
公开(公告)号：TW201841252A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107101474
申请日：2018-01-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：工藤仁 , KUDO, JIN , 後平拓 , GOHIRA, TAKU
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明旨在縮短用以除去在腔室本體的內部所產生之沉積物之清理的時間。本發明提供一種包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法。此方法係包含：蝕刻步驟，係包含主蝕刻，該主蝕刻係藉由產生包含氟碳氣體及/或氫氟碳化合物氣體之處理氣體的電漿，對在工作台上所載置之被加工物的蝕刻對象膜以低溫進行蝕刻；搬出步驟，係從腔室搬出被加工物；以及清理步驟，係在將靜電夾頭的溫度設定成高溫的狀態，藉由產生清理氣體的電漿，清理腔室本體的內部。
简体摘要：本发明旨在缩短用以除去在腔室本体的内部所产生之沉积物之清理的时间。本发明提供一种包含等离子处理设备之腔室本体内部的清理之等离子处理方法。此方法系包含：蚀刻步骤，系包含主蚀刻，该主蚀刻系借由产生包含氟碳气体及/或氢氟碳化合物气体之处理气体的等离子，对在工作台上所载置之被加工物的蚀刻对象膜以低温进行蚀刻；搬出步骤，系从腔室搬出被加工物；以及清理步骤，系在将静电夹头的温度设置成高温的状态，借由产生清理气体的等离子，清理腔室本体的内部。

2. 发明专利

TW201836009A 被加工物之處理方法审中-公开
简体标题：被加工物之处理方法
公开(公告)号：TW201836009A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107101484
申请日：2018-01-16
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：後平拓 , GOHIRA, TAKU , 工藤仁 , KUDO, JIN
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F4/00
摘要：本發明旨在能於電漿蝕刻結束後而將被加工物從腔室搬出前，去除被加工物上的沉積物，或減少其數量。本發明提供一種被加工物之處理方法。此方法包含：蝕刻步驟，包含藉由產生含有氟碳化合物氣體及／或氫氟碳化合物氣體的處理氣體的電漿，而於低溫下將載置於平台上的被加工物的蝕刻對象膜予以蝕刻之主蝕刻；升溫步驟，於剛執行完蝕刻步驟後，或剛執行完主蝕刻後，使靜電吸盤的溫度上升；及搬出步驟，於將靜電吸盤的溫度設定為高溫之狀態下，將被加工物從腔室搬出。
简体摘要：本发明旨在能于等离子蚀刻结束后而将被加工物从腔室搬出前，去除被加工物上的沉积物，或减少其数量。本发明提供一种被加工物之处理方法。此方法包含：蚀刻步骤，包含借由产生含有氟碳化合物气体及／或氢氟碳化合物气体的处理气体的等离子，而于低温下将载置于平台上的被加工物的蚀刻对象膜予以蚀刻之主蚀刻；升温步骤，于刚运行完蚀刻步骤后，或刚运行完主蚀刻后，使静电吸盘的温度上升；及搬出步骤，于将静电吸盘的温度设置为高温之状态下，将被加工物从腔室搬出。

3. 发明专利

TW201911411A 多層膜之蝕刻方法审中-公开
简体标题：多层膜之蚀刻方法
公开(公告)号：TW201911411A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107125955
申请日：2018-07-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：後平拓 , GOHIRA, TAKU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
摘要：本發明提供一種多層膜之蝕刻方法，提昇遮罩的複數之開口的形狀之均勻性，並提昇多層膜所形成的複數之開口的形狀之均勻性及垂直性。本發明一實施形態之多層膜之蝕刻方法，將包含複數之氧化矽膜及複數之氮化矽膜之多層膜加以蝕刻。多層膜上設置有含碳的遮罩。該多層膜之蝕刻方法包含第一電漿處理執行步驟、及第二電漿處理執行步驟。此等步驟之中，於將其上載置有被加工物之靜電夾盤的溫度設定為－15℃以下的溫度之狀態下，在腔室內產生處理氣體的電漿。處理氣體含有氫原子、氟原子、碳原子、及氧原子，並含有含硫氣體。第一電漿處理執行步驟中之腔室的壓力低於第二電漿處理執行步驟中之腔室的壓力。
简体摘要：本发明提供一种多层膜之蚀刻方法，提升遮罩的复数之开口的形状之均匀性，并提升多层膜所形成的复数之开口的形状之均匀性及垂直性。本发明一实施形态之多层膜之蚀刻方法，将包含复数之氧化硅膜及复数之氮化硅膜之多层膜加以蚀刻。多层膜上设置有含碳的遮罩。该多层膜之蚀刻方法包含第一等离子处理运行步骤、及第二等离子处理运行步骤。此等步骤之中，于将其上载置有被加工物之静电夹盘的温度设置为－15℃以下的温度之状态下，在腔室内产生处理气体的等离子。处理气体含有氢原子、氟原子、碳原子、及氧原子，并含有含硫气体。第一等离子处理运行步骤中之腔室的压力低于第二等离子处理运行步骤中之腔室的压力。

4. 发明专利

TW201444020A 載置台及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201444020A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103106079
申请日：2014-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：富岡武敏 , TOMIOKA, TAKETOSHI , 後平拓 , GOHIRA, TAKU , 真壁曉之 , MAKABE, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
摘要：本發明旨在提供一種載置台及電漿處理裝置，可抑制被處理體之中央部區域與端部區域中溫度不均一。其中載置台包含：基座部，於內部形成冷媒用流路；及靜電吸盤，設於基座部上，具有載置被處理體之載置面，靜電吸附被處理體。基座部包含：第1上表面，設置靜電吸盤；環狀之第2上表面，設於較該第1上表面更外方低於該第1上表面之位置，設置聚焦環；及側面，於第1上表面與第2上表面之間沿鉛直方向延伸。流路包含中央流路及周緣流路。中央流路於第1上表面之下方延伸。周緣流路於第2上表面之下方延伸，且包含於第1上表面之下方沿側面朝設有第1上表面之方向延伸之部分。於載置面，呈點狀設有接觸被處理體之背面之複數之凸部，載置面之端部區域之複數之凸部與被處理體之背面接觸之面積每單位面積之大小，大於載置面之中央部區域之複數之凸部與被處理體之背面接觸之面積每單位面積之大小。
简体摘要：本发明旨在提供一种载置台及等离子处理设备，可抑制被处理体之中央部区域与端部区域中温度不均一。其中载置台包含：基座部，于内部形成冷媒用流路；及静电吸盘，设于基座部上，具有载置被处理体之载置面，静电吸附被处理体。基座部包含：第1上表面，设置静电吸盘；环状之第2上表面，设于较该第1上表面更外方低于该第1上表面之位置，设置聚焦环；及侧面，于第1上表面与第2上表面之间沿铅直方向延伸。流路包含中央流路及周缘流路。中央流路于第1上表面之下方延伸。周缘流路于第2上表面之下方延伸，且包含于第1上表面之下方沿侧面朝设有第1上表面之方向延伸之部分。于载置面，呈点状设有接触被处理体之背面之复数之凸部，载置面之端部区域之复数之凸部与被处理体之背面接触之面积每单位面积之大小，大于载置面之中央部区域之复数之凸部与被处理体之背面接触之面积每单位面积之大小。

5. 发明专利

TWI621206B 載置台及電漿處理裝置有权
简体标题：载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI621206B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103106079
申请日：2014-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：富岡武敏 , TOMIOKA, TAKETOSHI , 後平拓 , GOHIRA, TAKU , 真壁曉之 , MAKABE, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32

6. 发明专利

TW201742142A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201742142A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106114719
申请日：2017-05-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：後平拓 , GOHIRA, TAKU , 高島隆一 , TAKASHIMA, RYUICHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , H01J37/32146 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要：本發明之目的在於提供一種可藉由氣體流量，控制在低溫環境下對氧化矽蝕刻區域供給之氫原子、氟原子及碳原子的平衡之蝕刻方法。該方法，包含：冷卻步驟，將收納於處理容器內之被處理體的溫度控制為－20℃以下；產生步驟，於處理容器內產生含有氫原子、氟原子、碳原子及氧原子之處理氣體的電漿；以及蝕刻步驟，使用電漿蝕刻區域。處理氣體，係混合有各自相異的第1氣體、第2氣體及含氧原子氣體之氣體。混合有第1氣體及第2氣體之氣體，包含氫原子、氟原子及碳原子。第1氣體及第2氣體，各自包含氫原子及氟原子之至少一者。第1氣體所含有之氫原子數與氟原子數的比，與第2氣體所含有之氫原子數與氟原子數的比相異。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可借由气体流量，控制在低温环境下对氧化硅蚀刻区域供给之氢原子、氟原子及碳原子的平衡之蚀刻方法。该方法，包含：冷却步骤，将收纳于处理容器内之被处理体的温度控制为－20℃以下；产生步骤，于处理容器内产生含有氢原子、氟原子、碳原子及氧原子之处理气体的等离子；以及蚀刻步骤，使用等离子蚀刻区域。处理气体，系混合有各自相异的第1气体、第2气体及含氧原子气体之气体。混合有第1气体及第2气体之气体，包含氢原子、氟原子及碳原子。第1气体及第2气体，各自包含氢原子及氟原子之至少一者。第1气体所含有之氢原子数与氟原子数的比，与第2气体所含有之氢原子数与氟原子数的比相异。

7. 发明专利

TW201732923A 蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻方法
公开(公告)号：TW201732923A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105142155
申请日：2016-12-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：高島隆一 , TAKASHIMA, RYUICHI , 後平拓 , GOHIRA, TAKU , 大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32009 , H01J37/32165 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31144
摘要：目的在於調整遮罩膜之開口形狀，並進行蝕刻。
简体摘要：目的在于调整遮罩膜之开口形状，并进行蚀刻。

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