专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201800594A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201800594A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107466
申请日：2017-03-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 栗林昭博 , KURIBAYASHI, AKIHIRO , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 大槻志門 , OTSUKI, SHIMON , 羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要：一種成膜方法，係對於具備「被層積不同種類的第1基底膜與第2基底膜、並且形成為露出至表面之階梯部」的基板，形成被覆該階梯部之氮化矽膜；於該成膜方法，具有以下步驟：第1步驟，以被覆該階梯部的方式，形成晶種層，用以在該第1基底膜之表面與該第2基底膜之表面使得該氮化矽膜之成長一致；該晶種層係由氮化膜或含矽膜所構成；該氮化膜之形成，係對於該基板供給用以使該第1基底膜及該第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用氣體，並且藉由使該基板曝露於電漿中，而使該階梯部之表面氮化而形成；該含矽膜之形成，係藉由對該基板供給矽原料氣體而形成；以及第2步驟，接續該第1步驟，而對該基板供給第2矽原料氣體、以及用以使矽氮化的氮化矽用氣體，而以層積於該晶種層的方式，形成該氮化矽膜。
简体摘要：一种成膜方法，系对于具备“被层积不同种类的第1基底膜与第2基底膜、并且形成为露出至表面之阶梯部”的基板，形成被覆该阶梯部之氮化硅膜；于该成膜方法，具有以下步骤：第1步骤，以被覆该阶梯部的方式，形成晶种层，用以在该第1基底膜之表面与该第2基底膜之表面使得该氮化硅膜之成长一致；该晶种层系由氮化膜或含硅膜所构成；该氮化膜之形成，系对于该基板供给用以使该第1基底膜及该第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用气体，并且借由使该基板曝露于等离子中，而使该阶梯部之表面氮化而形成；该含硅膜之形成，系借由对该基板供给硅原料气体而形成；以及第2步骤，接续该第1步骤，而对该基板供给第2硅原料气体、以及用以使硅氮化的氮化硅用气体，而以层积于该晶种层的方式，形成该氮化硅膜。

2. 发明专利

TW201639981A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201639981A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW104142883
申请日：2015-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：本發明係在載置於成膜裝置之處理容器內並具有含有碳原子之含碳膜的基板上，形成氮化膜的成膜方法，該成膜方法包含保護膜形成步驟，而該保護膜形成步驟係藉由包含不具有氫原子之氮化物氣體及惰性氣體的第1反應氣體的電漿，在含碳膜上形成保護膜。
简体摘要：本发明系在载置于成膜设备之处理容器内并具有含有碳原子之含碳膜的基板上，形成氮化膜的成膜方法，该成膜方法包含保护膜形成步骤，而该保护膜形成步骤系借由包含不具有氢原子之氮化物气体及惰性气体的第1反应气体的等离子，在含碳膜上形成保护膜。

3. 发明专利

TW201816167A 矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：硅氮化膜之成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201816167A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106125188
申请日：2017-07-27
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
摘要：本發明提供一種矽氮化膜之成膜方法及成膜裝置，可將具有良好膜質，且具有足夠的乾蝕刻耐受性的矽氮化膜成膜。該矽氮化膜之成膜方法，於被處理基板上，將矽氮化膜成膜，該方法包含如下步驟：對被處理基板，將吸附矽原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該矽原料氣體氮化之處理重複第1次數，以將矽氮化膜成膜的步驟；以及對被處理基板，將吸附含有氯的鈦原料氣體之處理、及藉由氮化氣體之電漿將吸附的該鈦原料氣體氮化之處理重複第2次數，以將氮化鈦膜成膜的步驟；將上述步驟重複既定次數，使摻雜有既定量的鈦之矽氮化膜成膜。
简体摘要：本发明提供一种硅氮化膜之成膜方法及成膜设备，可将具有良好膜质，且具有足够的干蚀刻耐受性的硅氮化膜成膜。该硅氮化膜之成膜方法，于被处理基板上，将硅氮化膜成膜，该方法包含如下步骤：对被处理基板，将吸附硅原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该硅原料气体氮化之处理重复第1次数，以将硅氮化膜成膜的步骤；以及对被处理基板，将吸附含有氯的钛原料气体之处理、及借由氮化气体之等离子将吸附的该钛原料气体氮化之处理重复第2次数，以将氮化钛膜成膜的步骤；将上述步骤重复既定次数，使掺杂有既定量的钛之硅氮化膜成膜。

4. 发明专利

TWI608117B 成膜方法有权
公开(公告)号：TWI608117B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW104142883
申请日：2015-12-21
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/0228

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式