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1. 发明专利

TW201306082A 電漿評估方法、電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子评估方法、等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201306082A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101113584
申请日：2012-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC分类号： G01J3/443 , C23C16/34 , C23C16/45536 , C23C16/50 , C23C16/52 , G01J2003/4435 , H01J37/32972 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31111
摘要：本發明關於一種電漿評估方法、電漿處理方法及電漿處理裝置，該電漿評估方法係在原子層沉積法中評估用來形成氮化膜的電漿。首先，檢測來自含有氮原子及氫原子之氣體所生成之電漿的發光。接著，使用將所檢測之發光強度的光頻譜中氫原子造成的第1尖峰與相異於第1尖峰之氫原子造成的第2尖峰之強度比，與預先從強度比與表示氮化膜膜質之指標的關係所計算出之基準值相比較後的結果，來進行電漿的評估。
简体摘要：本发明关于一种等离子评估方法、等离子处理方法及等离子处理设备，该等离子评估方法系在原子层沉积法中评估用来形成氮化膜的等离子。首先，检测来自含有氮原子及氢原子之气体所生成之等离子的发光。接着，使用将所检测之发光强度的光频谱中氢原子造成的第1尖峰与相异于第1尖峰之氢原子造成的第2尖峰之强度比，与预先从强度比与表示氮化膜膜质之指针的关系所计算出之基准值相比较后的结果，来进行等离子的评估。

2. 发明专利

TW201439368A 形成氮化膜之方法审中-公开
公开(公告)号：TW201439368A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103105991
申请日：2014-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/34 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/511 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：提供一種可以高產率形成品質優良的氮化膜之方法。於一實施形態中，係提供一種於處理體上形成氮化膜的方法。此方法包含將被處理體暴露於為前驅體氣體之二氯矽烷之工序(工序(a))；以及工序(a)之後，將被處理體暴露於含氨氣及氫氣之處理氣體的電漿之工序(工序(b))。於一實施形態中，工序(a)與工序(b)係交互地反覆操作，於工序(a)與工序(b)之間，也可進一步地進行除去二氯矽烷之工序(工序(c))。
简体摘要：提供一种可以高产率形成品质优良的氮化膜之方法。于一实施形态中，系提供一种于处理体上形成氮化膜的方法。此方法包含将被处理体暴露于为前驱体气体之二氯硅烷之工序(工序(a))；以及工序(a)之后，将被处理体暴露于含氨气及氢气之处理气体的等离子之工序(工序(b))。于一实施形态中，工序(a)与工序(b)系交互地反复操作，于工序(a)与工序(b)之间，也可进一步地进行除去二氯硅烷之工序(工序(c))。

3. 发明专利

TW201348497A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201348497A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102108849
申请日：2013-03-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/4409 , C23C16/45538 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45548 , C23C16/4584 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/67017 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要：本發明旨在提供一種成膜方法及成膜裝置，其中成膜裝置(10)實行電漿ALD程序使DCS之Si成分之氮化膜於基板W成膜後，作為電漿後處理，依序實行第1~第4氣體供給製程及電漿供給製程。電漿後處理第1~第4氣體供給製程中供給之氣體係作為N2、NH3、Ar、H2中任一種氣體，或適當混合此等氣體之混合氣體之改質氣體。實行電漿ALD程序後，對基板W之氮化膜供給改質氣體之電漿，藉此提升在基板W上成膜之氮化膜之膜質。
简体摘要：本发明旨在提供一种成膜方法及成膜设备，其中成膜设备(10)实行等离子ALD进程使DCS之Si成分之氮化膜于基板W成膜后，作为等离子后处理，依序实行第1~第4气体供给制程及等离子供给制程。等离子后处理第1~第4气体供给制程中供给之气体系作为N2、NH3、Ar、H2中任一种气体，或适当混合此等气体之混合气体之改质气体。实行等离子ALD进程后，对基板W之氮化膜供给改质气体之等离子，借此提升在基板W上成膜之氮化膜之膜质。

4. 发明专利

TW201829827A 成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TW201829827A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138562
申请日：2017-11-08
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 栗林昭博 , KURIBAYASHI, AKIHIRO
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/033 , H01L21/02
摘要：本發明旨在以快速的成膜速度形成低蝕刻率的高品質氮化膜。從旋轉台12的旋轉方向的上游側依以下順序設置氣體供排氣單元2、第1改質區R2、第2改質區R3及反應區R4。於第1改質區R2中，從下游側端部噴出改質氣體並從上游側端部的第1排氣口51排出，於第2改質區R3中，從上游側端部噴出改質氣體並從下游側端部的第2排氣口52排出。於反應區R4中，從下游側端部噴出反應氣體並從上游側端部的第3排氣口53排出。於第1改質區R2及第2改質區R3與反應區R4之間，因抑制改質氣體與反應氣體的混合，故於第1及第2改質區R2、R3可得到高改質效率，而於反應區R4因可快速進行氮化處理，故可以快速的成膜速度形成低蝕刻率的氮化膜。
简体摘要：本发明旨在以快速的成膜速度形成低蚀刻率的高品质氮化膜。从旋转台12的旋转方向的上游侧依以下顺序设置气体供排气单元2、第1改质区R2、第2改质区R3及反应区R4。于第1改质区R2中，从下游侧端部喷出改质气体并从上游侧端部的第1排气口51排出，于第2改质区R3中，从上游侧端部喷出改质气体并从下游侧端部的第2排气口52排出。于反应区R4中，从下游侧端部喷出反应气体并从上游侧端部的第3排气口53排出。于第1改质区R2及第2改质区R3与反应区R4之间，因抑制改质气体与反应气体的混合，故于第1及第2改质区R2、R3可得到高改质效率，而于反应区R4因可快速进行氮化处理，故可以快速的成膜速度形成低蚀刻率的氮化膜。

5. 发明专利

TW201602395A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201602395A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104110767
申请日：2015-04-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32449 , H01J37/32779
摘要：本發明之課題在於以較低之成本對基板賦予利用電漿之改質效果。本發明所揭示之基板處理裝置10具備：載置台14，其具有供載置基板W之基板載置區域14a，且基板載置區域14a能以軸線X為中心旋轉地設置；處理容器12，其界定包含第1區域R1及第2區域R2之處理室C；前驅物氣體供給部16，其對第1區域R1供給前驅物氣體；製程氣體供給部22b，其對第2區域R2供給第1或第2氣體；電漿產生部22，其於第2區域R2中產生第1或第2氣體之電漿；及控制部，其進行重複將第1氣體向第2區域R2供給第1時間之第1動作與將第2氣體向第2區域R2供給第2時間之第2動作的反覆控制。
简体摘要：本发明之课题在于以较低之成本对基板赋予利用等离子之改质效果。本发明所揭示之基板处理设备10具备：载置台14，其具有供载置基板W之基板载置区域14a，且基板载置区域14a能以轴线X为中心旋转地设置；处理容器12，其界定包含第1区域R1及第2区域R2之处理室C；前驱物气体供给部16，其对第1区域R1供给前驱物气体；制程气体供给部22b，其对第2区域R2供给第1或第2气体；等离子产生部22，其于第2区域R2中产生第1或第2气体之等离子；及控制部，其进行重复将第1气体向第2区域R2供给第1时间之第1动作与将第2气体向第2区域R2供给第2时间之第2动作的反复控制。

6. 发明专利

TWI593821B 形成氮化膜之方法有权
公开(公告)号：TWI593821B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW103105991
申请日：2014-02-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/34 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/511 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228

7. 发明专利

TW201625809A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201625809A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104141846
申请日：2015-12-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/511 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/511 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：本發明係關於處理容器內之被處理基板形成氮化膜的成膜方法，其包含有吸附製程及反應製程，該吸附製程將包含含有矽之氣體的前驅氣體供至處理容器內，而使前驅氣體之分子吸附於基板之表面；該反應製程將包含含有氮原子及氫原子之氣體的反應氣體供至處理容器內，並且從天線供給微波，藉此，產生反應氣體之電漿，而以所產生之電漿將吸附有前驅氣體之分子的基板之表面進行電漿處理。
简体摘要：本发明系关于处理容器内之被处理基板形成氮化膜的成膜方法，其包含有吸附制程及反应制程，该吸附制程将包含含有硅之气体的前驱气体供至处理容器内，而使前驱气体之分子吸附于基板之表面；该反应制程将包含含有氮原子及氢原子之气体的反应气体供至处理容器内，并且从天线供给微波，借此，产生反应气体之等离子，而以所产生之等离子将吸附有前驱气体之分子的基板之表面进行等离子处理。

8. 发明专利

TWI611041B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI611041B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104110767
申请日：2015-04-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/4404 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32449 , H01J37/32779

9. 发明专利

TW201800594A 成膜方法及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及成膜设备
公开(公告)号：TW201800594A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106107466
申请日：2017-03-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吹上紀明 , FUKIAGE, NORIAKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 鎌田豊弘 , KAMADA, TOYOHIRO , 栗林昭博 , KURIBAYASHI, AKIHIRO , 小山峻史 , OYAMA, TAKESHI , 小川淳 , OGAWA, JUN , 大下健太郎 , OSHIMO, KENTARO , 大槻志門 , OTSUKI, SHIMON , 羽根秀臣 , HANE, HIDEOMI
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/02
摘要：一種成膜方法，係對於具備「被層積不同種類的第1基底膜與第2基底膜、並且形成為露出至表面之階梯部」的基板，形成被覆該階梯部之氮化矽膜；於該成膜方法，具有以下步驟：第1步驟，以被覆該階梯部的方式，形成晶種層，用以在該第1基底膜之表面與該第2基底膜之表面使得該氮化矽膜之成長一致；該晶種層係由氮化膜或含矽膜所構成；該氮化膜之形成，係對於該基板供給用以使該第1基底膜及該第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用氣體，並且藉由使該基板曝露於電漿中，而使該階梯部之表面氮化而形成；該含矽膜之形成，係藉由對該基板供給矽原料氣體而形成；以及第2步驟，接續該第1步驟，而對該基板供給第2矽原料氣體、以及用以使矽氮化的氮化矽用氣體，而以層積於該晶種層的方式，形成該氮化矽膜。
简体摘要：一种成膜方法，系对于具备“被层积不同种类的第1基底膜与第2基底膜、并且形成为露出至表面之阶梯部”的基板，形成被覆该阶梯部之氮化硅膜；于该成膜方法，具有以下步骤：第1步骤，以被覆该阶梯部的方式，形成晶种层，用以在该第1基底膜之表面与该第2基底膜之表面使得该氮化硅膜之成长一致；该晶种层系由氮化膜或含硅膜所构成；该氮化膜之形成，系对于该基板供给用以使该第1基底膜及该第2基底膜氮化之含氮的基底膜氮化用气体，并且借由使该基板曝露于等离子中，而使该阶梯部之表面氮化而形成；该含硅膜之形成，系借由对该基板供给硅原料气体而形成；以及第2步骤，接续该第1步骤，而对该基板供给第2硅原料气体、以及用以使硅氮化的氮化硅用气体，而以层积于该晶种层的方式，形成该氮化硅膜。

10. 发明专利

TW201349335A 電漿摻雜裝置、電漿摻雜方法、半導體元件之製造方法、以及半導體元件审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备、等离子掺杂方法、半导体组件之制造方法、以及半导体组件
公开(公告)号：TW201349335A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102101013
申请日：2013-01-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI , 辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/2236 , C23C16/452 , H01L29/66803 , H01L29/7833
摘要：一種電漿摻雜裝置，係於被處理基板注入摻雜物以進行摻雜，其具備：處理容器，係在其內部對被處理基板注入摻雜物；氣體供給部，係對處理容器內供給摻雜氣體及電漿激發用惰性氣體；保持台，係配置於處理容器內，並將被處理基板保持於其上；電漿產生機構，係使用微波於處理容器內產生電漿；壓力調整機構，係調整處理容器內壓力；及控制部，係控制電漿摻雜裝置。控制部係控制壓力調整機構使處理容器內壓力成為100mTorr以上~未達500mTorr，藉由電漿產生機構所產生的電漿來對被處理基板進行電漿處理。
简体摘要：一种等离子掺杂设备，系于被处理基板注入掺杂物以进行掺杂，其具备：处理容器，系在其内部对被处理基板注入掺杂物；气体供给部，系对处理容器内供给掺杂气体及等离子激发用惰性气体；保持台，系配置于处理容器内，并将被处理基板保持于其上；等离子产生机构，系使用微波于处理容器内产生等离子；压力调整机构，系调整处理容器内压力；及控制部，系控制等离子掺杂设备。控制部系控制压力调整机构使处理容器内压力成为100mTorr以上~未达500mTorr，借由等离子产生机构所产生的等离子来对被处理基板进行等离子处理。

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