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1. 发明专利

TWI587379B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI587379B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105111757
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 田邊明良 , TANABE, AKIRA , 安田吉紀 , YASUTA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348

2. 发明专利

TW201643950A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201643950A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105111757
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 田邊明良 , TANABE, AKIRA , 安田吉紀 , YASUTA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
摘要：本發明關於一種電漿處理方法及電漿處理裝置，係可提升RF偏壓功能之控制性，並實現對應於微細加工的各種要求條件之電漿製程的最佳化。此電漿處理裝置係為了將來自第3高頻電源之適於產生電容耦合電漿之高頻施加於上部電極(或下部電極)，並控制自電漿入射至半導體晶圓之離子的能量，而將來自第1及第2高頻電源之適於離子吸引的2種類高頻(0.8MHz),(13MHz)重複地施加於晶座。控制部會對應於電漿樣式、條件或配方來控制兩高頻之總功率及功率比。
简体摘要：本发明关于一种等离子处理方法及等离子处理设备，系可提升RF偏压功能之控制性，并实现对应于微细加工的各种要求条件之等离子制程的最优化。此等离子处理设备系为了将来自第3高频电源之适于产生电容耦合等离子之高频施加于上部电极(或下部电极)，并控制自等离子入射至半导体晶圆之离子的能量，而将来自第1及第2高频电源之适于离子吸引的2种类高频(0.8MHz),(13MHz)重复地施加于晶座。控制部会对应于等离子样式、条件或配方来控制两高频之总功率及功率比。

3. 发明专利

TWI585834B 電漿處理方法及電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI585834B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW100129893
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大矢欣伸 , OOYA, YOSHINOBU , 田邊明良 , TANABE, AKIRA , 安田吉紀 , YASUTA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348

4. 发明专利

TW201234442A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201234442A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100129893
申请日：2011-08-22
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：大矢欣伸 , 田邊明良 , 安田吉紀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J2237/3348
摘要：本發明關於一種電漿處理方法及電漿處理裝置,係可提升RF偏壓功能之控制性,並實現對應於微細加工的各種要求條件之電漿製程的最佳化。此電漿處理裝置係為了將來自第3高頻電源之適於產生電容耦合電漿之高頻施加於上部電極(或下部電極),並控制自電漿入射至半導體晶圓之離子的能量,而將來自第1及第2高頻電源之適於離子吸引的2種類高頻(0.8MHz),(13MHz)重複地施加於晶座。控制部會對應於電漿樣式、條件或配方來控制兩高頻之總功率及功率比。
简体摘要：本发明关于一种等离子处理方法及等离子处理设备,系可提升RF偏压功能之控制性,并实现对应于微细加工的各种要求条件之等离子制程的最优化。此等离子处理设备系为了将来自第3高频电源之适于产生电容耦合等离子之高频施加于上部电极(或下部电极),并控制自等离子入射至半导体晶圆之离子的能量,而将来自第1及第2高频电源之适于离子吸引的2种类高频(0.8MHz),(13MHz)重复地施加于晶座。控制部会对应于等离子样式、条件或配方来控制两高频之总功率及功率比。

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