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1. 发明专利

TWI415526B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI415526B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098104108
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 佐佐木勝 , SASAKI, MASARU , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 高橋慎伍 , TAKAHASHI, SHINGO
IPC分类号： H05H1/46

2. 发明专利

TWI463924B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI463924B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098104105
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 佐佐木勝 , SASAKI, MASARU
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238

3. 发明专利

TW201306147A 使用於基板處理裝置之處理監測裝置、處理監測方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：使用于基板处理设备之处理监测设备、处理监测方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW201306147A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101112683
申请日：2012-04-10
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田才忠 , TIAN, CAIZHONG , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 仙田孝博 , SENDA, TAKAHIRO , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 山上宗隆 , YAMAGAMI, MUNETAKA
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/24 , G01B11/02 , G01B11/06 , G01N21/9501 , H01J37/32009 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種使用於基板處理裝置之處理監測裝置、處理監測方法及基板處理裝置，處理監測裝置11具備：光源部，出射光線；光偵測部，可偵測光的強度；第一光徑21，將自光源部出射之光引導至晶圓W，並將自晶圓W反射之反射波引導至光偵測部；第二光徑，以具有與第一光徑21同等之光傳播特性的方式構成，將自光源部出射之光，不經由晶圓W地引導至光偵測部；以及控制器17，依據通過第二光徑以光偵測部偵測出之光的強度資訊，修正通過第一光徑21以光偵測部偵測出之光的強度資訊，並解析晶圓W之構造。
简体摘要：本发明提供一种使用于基板处理设备之处理监测设备、处理监测方法及基板处理设备，处理监测设备11具备：光源部，出射光线；光侦测部，可侦测光的强度；第一光径21，将自光源部出射之光引导至晶圆W，并将自晶圆W反射之反射波引导至光侦测部；第二光径，以具有与第一光径21同等之光传播特性的方式构成，将自光源部出射之光，不经由晶圆W地引导至光侦测部；以及控制器17，依据通过第二光径以光侦测部侦测出之光的强度信息，修正通过第一光径21以光侦测部侦测出之光的强度信息，并解析晶圆W之构造。

4. 发明专利

TWI452627B 電漿處理裝置及方法有权
简体标题：等离子处理设备及方法
公开(公告)号：TWI452627B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100122720
申请日：2011-06-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 瀨尾康弘 , SEO, YASUHIRO , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136

5. 发明专利

TW201428812A 電漿處理方法、以及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法、以及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201428812A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102136266
申请日：2013-10-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 富田祐吾 , TOMITA, YUGO , 三原直輝 , MIHARA, NAOKI , 高橋和樹 , TAKAHASHI, KAZUKI , 會田倫崇 , AITA, MITITAKA , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 仙田孝博 , SENDA, TAKAHIRO , 佐藤好保 , SATO, YOSHIYASU , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 周藤賢治 , SUDOU, KENJI , 水杉一史 , MIZUSUGI, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66795
摘要：在一實施形態之電漿處理裝置中，係從天線透過介電體窗將微波之能量導入處理容器內。該電漿處理裝置係具備中央導入部及周邊導入部。中央導入部之中央導入口，係朝向用以載置基板的載置台之載置區域的中央來加以開口，並噴射氣體至介電體窗的正下方。周邊導入部之複數周邊導入口，係在較中央導入口要下方且在載置台之上方沿周圍方向來加以配置，並噴射氣體至載置區域之周緣部。中央導入部係透過複數第1流量控制單元而連接有包含反應性氣體及稀有氣體源之複數第1氣體源。周邊導入部係透過複數第2流量控制單元而連接有包含反應性氣體及稀有氣體之複數第2氣體源。
简体摘要：在一实施形态之等离子处理设备中，系从天线透过介电体窗将微波之能量导入处理容器内。该等离子处理设备系具备中央导入部及周边导入部。中央导入部之中央导入口，系朝向用以载置基板的载置台之载置区域的中央来加以开口，并喷射气体至介电体窗的正下方。周边导入部之复数周边导入口，系在较中央导入口要下方且在载置台之上方沿周围方向来加以配置，并喷射气体至载置区域之周缘部。中央导入部系透过复数第1流量控制单元而连接有包含反应性气体及稀有气体源之复数第1气体源。周边导入部系透过复数第2流量控制单元而连接有包含反应性气体及稀有气体之复数第2气体源。

6. 发明专利

TWI425883B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI425883B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW098123004
申请日：2009-07-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 高井和人 , TAKAI, KAZUTO
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785

8. 发明专利

TW200948216A 電漿處理裝置及電漿處理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200948216A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098104105
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 加藤和行 , 四方政史 , 佐佐木勝
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：本發明係關於電漿處理裝置及電漿處理方法，在與處理容器2之基座3相對的頂棚面設置介電板20，並在介電板20頂面設置用以使微波透射之具有複數個槽孔33的槽孔天線30；且於介電板20之底面周緣部包含突起構件21，該突起構件21由與介電板20各別之構件構成，可防止異常放電。藉由將突起構件21之圓筒部的外周面22及處理容器2之側壁內周面5a的間隙、或突起構件21之圓筒部的厚度加以調整，以控制於介電板20周邊部的電場強度。
简体摘要：本发明系关于等离子处理设备及等离子处理方法，在与处理容器2之基座3相对的顶棚面设置介电板20，并在介电板20顶面设置用以使微波透射之具有复数个槽孔33的槽孔天线30；且于介电板20之底面周缘部包含突起构件21，该突起构件21由与介电板20各别之构件构成，可防止异常放电。借由将突起构件21之圆筒部的外周面22及处理容器2之侧壁内周面5a的间隙、或突起构件21之圆筒部的厚度加以调整，以控制于介电板20周边部的电场强度。

9. 发明专利

TW201216359A 電漿處理裝置及方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及方法
公开(公告)号：TW201216359A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100122720
申请日：2011-06-28
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 吉川彌 , 瀨尾康弘 , 加藤和行
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136
摘要：本發明係關於一種電漿處理方法，其藉由流量分配器44使自共通氣體源41供給之共通氣體分歧成兩個系統，將分歧成兩個系統之共通氣體導入至設置於處理容器2之介電質窗16之中央的中央導入口58(55)、及於基板W之上方在圓周方向上排列之複數個周邊導入口62。向分歧成兩個系統之共通氣體之任一方加入添加氣體。將導入處理容器2內之共通氣體及添加氣體自基板W之下方之排氣口11a進行排氣，從而將處理容器2內減壓成特定之壓力。使用包含多個槽孔21之槽孔天線20向處理容器2內導入微波，使設置有複數個周邊導入口62之區域之電子溫度低於設置有中央導入口58(55)之區域的電子溫度。
简体摘要：本发明系关于一种等离子处理方法，其借由流量分配器44使自共通气体源41供给之共通气体分歧成两个系统，将分歧成两个系统之共通气体导入至设置于处理容器2之介电质窗16之中央的中央导入口58(55)、及于基板W之上方在圆周方向上排列之复数个周边导入口62。向分歧成两个系统之共通气体之任一方加入添加气体。将导入处理容器2内之共通气体及添加气体自基板W之下方之排气口11a进行排气，从而将处理容器2内减压成特定之压力。使用包含多个槽孔21之槽孔天线20向处理容器2内导入微波，使设置有复数个周边导入口62之区域之电子温度低于设置有中央导入口58(55)之区域的电子温度。

10. 发明专利

TW201016080A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201016080A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098123004
申请日：2009-07-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 加藤和行 , 四方政史 , 高井和人
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785
摘要：本發明係提供一種電漿處理裝置，其係包含：於其內部對被處理基板實施一電漿處理的處理容器、設置於處理容器內並將被處理基板保持於其上方的保持台、設置於保持台之對向位置處並將微波導入至處理容器內的介電體板、朝向保持於保持台的被處理基板之中央區域而供給電漿處理用之反應氣體的反應氣體供給部，其中，反應氣體供給部係包含有一噴嘴座，該噴嘴座相較於面向保持台之對向面的介電體板之下方面，係設置於介電體板之內部側的後退位置處。噴嘴座係設置有將電漿處理用之反應氣體供給至處理容器內的供給孔。
简体摘要：本发明系提供一种等离子处理设备，其系包含：于其内部对被处理基板实施一等离子处理的处理容器、设置于处理容器内并将被处理基板保持于其上方的保持台、设置于保持台之对向位置处并将微波导入至处理容器内的介电体板、朝向保持于保持台的被处理基板之中央区域而供给等离子处理用之反应气体的反应气体供给部，其中，反应气体供给部系包含有一喷嘴座，该喷嘴座相较于面向保持台之对向面的介电体板之下方面，系设置于介电体板之内部侧的后退位置处。喷嘴座系设置有将等离子处理用之反应气体供给至处理容器内的供给孔。

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