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1. 发明专利

TWI463522B 天線、介電體窗、電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：天线、介电体窗、等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI463522B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW101124150
申请日：2012-07-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 森田治 , MORITA, OSAMU , 谷川雄洋 , TANIKAWA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32238

2. 发明专利

TWI452597B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI452597B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW101114452
申请日：2012-04-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 森田治 , MORITA, OSAMU , 谷川雄洋 , TANIKAWA, TAKEHIRO , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 三原直輝 , MIHARA, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU
IPC分类号： H01J37/30 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244

3. 发明专利

TWI431687B 電漿處理裝置用介電質窗、電漿處理裝置、及電漿處理裝置用介電質窗之安裝方法有权
简体标题：等离子处理设备用介电质窗、等离子处理设备、及等离子处理设备用介电质窗之安装方法
公开(公告)号：TWI431687B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW100111013
申请日：2011-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： H01J23/36 , H01J9/44 , H01J37/32192 , H01J37/32238

4. 发明专利

TWI521594B 電漿處理方法及電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI521594B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101140600
申请日：2012-11-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862

5. 发明专利

TW201335992A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201335992A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101140600
申请日：2012-11-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32862
摘要：本發明提供一種電漿處理方法及電漿處理裝置，一實施形態之電漿處理裝置，於天線之槽孔板，形成對於軸線在圓周方向配置的槽孔。自天線介由介電窗將微波導入至處理空間。於介電窗，沿著軸線形成貫通孔。此一電漿處理裝置之電漿處理方法包含如下步驟：(a)自天線放射微波，自清洗氣體供給系統供給清洗氣體，以施行第1清洗之步驟；(b)自天線放射微波，自清洗氣體供給系統供給清洗氣體，以施行第2清洗之步驟。施行第1清洗之步驟中的處理空間之第1壓力，較施行第2清洗之步驟中的處理空間之第2壓力更低。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理方法及等离子处理设备，一实施形态之等离子处理设备，于天线之槽孔板，形成对于轴线在圆周方向配置的槽孔。自天线介由介电窗将微波导入至处理空间。于介电窗，沿着轴线形成贯通孔。此一等离子处理设备之等离子处理方法包含如下步骤：(a)自天线放射微波，自清洗气体供给系统供给清洗气体，以施行第1清洗之步骤；(b)自天线放射微波，自清洗气体供给系统供给清洗气体，以施行第2清洗之步骤。施行第1清洗之步骤中的处理空间之第1压力，较施行第2清洗之步骤中的处理空间之第2压力更低。

6. 发明专利

TWI459502B 試料台及微波電漿處理裝置有权
简体标题：试料台及微波等离子处理设备
公开(公告)号：TWI459502B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099135496
申请日：2010-10-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 周藤賢治 , SUDOU, KENJI , 大塚康弘 , OTSUKA, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/6875

7. 发明专利

TWI452627B 電漿處理裝置及方法有权
简体标题：等离子处理设备及方法
公开(公告)号：TWI452627B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100122720
申请日：2011-06-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 瀨尾康弘 , SEO, YASUHIRO , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01L21/3065 , H01L21/32136

8. 发明专利

TW201320142A 天線、介電體窗、電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：天线、介电体窗、等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201320142A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101124150
申请日：2012-07-05
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 森田治 , MORITA, OSAMU , 谷川雄洋 , TANIKAWA, TAKEHIRO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32238
摘要：提供一種可改善基板表面處理量之面內均勻性的天線、介電質窗、電漿處理裝置以及電漿處理方法。此天線係具備有：介電質窗、以及設置於介電質窗之一面的狹縫板。介電質窗之另一面係具有：平坦面，係被環狀第1凹部所包圍；以及複數第2凹部，係以包圍平坦面之重心位置的方式形成於平坦面內。從和該狹縫板之主表面相垂直的方向觀看之情況，個別第2凹部之重心位置係重疊位於狹縫板之個別狹縫內。
简体摘要：提供一种可改善基板表面处理量之面内均匀性的天线、介电质窗、等离子处理设备以及等离子处理方法。此天线系具备有：介电质窗、以及设置于介电质窗之一面的狭缝板。介电质窗之另一面系具有：平坦面，系被环状第1凹部所包围；以及复数第2凹部，系以包围平坦面之重心位置的方式形成于平坦面内。从和该狭缝板之主表面相垂直的方向观看之情况，个别第2凹部之重心位置系重叠位于狭缝板之个别狭缝内。

9. 发明专利

TW201309103A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201309103A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101109980
申请日：2012-03-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 三原直輝 , MIHARA, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 吉村正太 , YOSHIMURA, SHOTA , 高橋和樹 , TAKAHASHI, KAZUKI
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
摘要：本發明係提供一種可降低被處理基體之中央部分的處理速度之電漿處理裝置。一實施形態之電漿處理裝置係具備有處理容器、氣體供給部、微波產生器、天線、同軸導波管、保持部、介電質窗、以及介電質棒。氣體供給部係對處理容器內供給處理氣體。微波產生器係用以產生微波。天線係將電漿激發用微波導入處理容器內。同軸導波管係設置於微波產生器與天線之間。保持部係用以保持被處理基體，於同軸導波管之中心軸線的延伸方向上和天線呈對向配置。介電質窗係設置於天線與保持部之間，使得來自天線之微波穿透處理容器內。介電質棒係於保持部與介電質窗之間的區域沿著同軸導波管之中心軸線而設置。
简体摘要：本发明系提供一种可降低被处理基体之中央部分的处理速度之等离子处理设备。一实施形态之等离子处理设备系具备有处理容器、气体供给部、微波产生器、天线、同轴导波管、保持部、介电质窗、以及介电质棒。气体供给部系对处理容器内供给处理气体。微波产生器系用以产生微波。天线系将等离子激发用微波导入处理容器内。同轴导波管系设置于微波产生器与天线之间。保持部系用以保持被处理基体，于同轴导波管之中心轴线的延伸方向上和天线呈对向配置。介电质窗系设置于天线与保持部之间，使得来自天线之微波穿透处理容器内。介电质棒系于保持部与介电质窗之间的区域沿着同轴导波管之中心轴线而设置。

10. 发明专利

TW201306077A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201306077A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101114452
申请日：2012-04-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 石橋清隆 , ISHIBASHI, KIYOTAKA , 森田治 , MORITA, OSAMU , 谷川雄洋 , TANIKAWA, TAKEHIRO , 松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 三原直輝 , MIHARA, NAOKI , 吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU
IPC分类号： H01J37/30 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
摘要：一種電漿處理裝置，係具備有：處理容器、平台、介電質構件、微波導入機構、注射器、以及電場遮蔽部。處理容器係於其內部區劃出處理空間。平台係設置於處理容器內。介電質構件係以面對平台的方式來設置。微波導入機構係經由介電質構件而對處理空間內導入微波。注射器為介電質製，具有一個以上的貫通孔。注射器係由例如主體介電質材料所構成。此注射器係具有一個以上的貫通孔，而配置於介電質構件之內部。注射器係連同形成於介電質構件之貫通孔來區劃出用以對處理空間供給處理氣體之路徑。電場遮蔽部係包圍注射器之周圍。
简体摘要：一种等离子处理设备，系具备有：处理容器、平台、介电质构件、微波导入机构、注射器、以及电场屏蔽部。处理容器系于其内部区划出处理空间。平台系设置于处理容器内。介电质构件系以面对平台的方式来设置。微波导入机构系经由介电质构件而对处理空间内导入微波。注射器为介电质制，具有一个以上的贯通孔。注射器系由例如主体介电质材料所构成。此注射器系具有一个以上的贯通孔，而配置于介电质构件之内部。注射器系连同形成于介电质构件之贯通孔来区划出用以对处理空间供给处理气体之路径。电场屏蔽部系包围注射器之周围。

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