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1. 发明专利

TWI463924B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI463924B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098104105
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 佐佐木勝 , SASAKI, MASARU
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238

2. 发明专利

TWI415526B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI415526B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098104108
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 佐佐木勝 , SASAKI, MASARU , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 高橋慎伍 , TAKAHASHI, SHINGO
IPC分类号： H05H1/46

3. 发明专利

TWI425883B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI425883B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW098123004
申请日：2009-07-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 加藤和行 , KATO, KAZUYUKI , 四方政史 , SHIKATA, MASAFUMI , 高井和人 , TAKAI, KAZUTO
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785

4. 发明专利

TW200948216A 電漿處理裝置及電漿處理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200948216A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098104105
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 加藤和行 , 四方政史 , 佐佐木勝
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32238
摘要：本發明係關於電漿處理裝置及電漿處理方法，在與處理容器2之基座3相對的頂棚面設置介電板20，並在介電板20頂面設置用以使微波透射之具有複數個槽孔33的槽孔天線30；且於介電板20之底面周緣部包含突起構件21，該突起構件21由與介電板20各別之構件構成，可防止異常放電。藉由將突起構件21之圓筒部的外周面22及處理容器2之側壁內周面5a的間隙、或突起構件21之圓筒部的厚度加以調整，以控制於介電板20周邊部的電場強度。
简体摘要：本发明系关于等离子处理设备及等离子处理方法，在与处理容器2之基座3相对的顶棚面设置介电板20，并在介电板20顶面设置用以使微波透射之具有复数个槽孔33的槽孔天线30；且于介电板20之底面周缘部包含突起构件21，该突起构件21由与介电板20各别之构件构成，可防止异常放电。借由将突起构件21之圆筒部的外周面22及处理容器2之侧壁内周面5a的间隙、或突起构件21之圆筒部的厚度加以调整，以控制于介电板20周边部的电场强度。

5. 发明专利

TW201016080A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201016080A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098123004
申请日：2009-07-08
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 加藤和行 , 四方政史 , 高井和人
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01L21/6719 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67126 , H01L21/68785
摘要：本發明係提供一種電漿處理裝置，其係包含：於其內部對被處理基板實施一電漿處理的處理容器、設置於處理容器內並將被處理基板保持於其上方的保持台、設置於保持台之對向位置處並將微波導入至處理容器內的介電體板、朝向保持於保持台的被處理基板之中央區域而供給電漿處理用之反應氣體的反應氣體供給部，其中，反應氣體供給部係包含有一噴嘴座，該噴嘴座相較於面向保持台之對向面的介電體板之下方面，係設置於介電體板之內部側的後退位置處。噴嘴座係設置有將電漿處理用之反應氣體供給至處理容器內的供給孔。
简体摘要：本发明系提供一种等离子处理设备，其系包含：于其内部对被处理基板实施一等离子处理的处理容器、设置于处理容器内并将被处理基板保持于其上方的保持台、设置于保持台之对向位置处并将微波导入至处理容器内的介电体板、朝向保持于保持台的被处理基板之中央区域而供给等离子处理用之反应气体的反应气体供给部，其中，反应气体供给部系包含有一喷嘴座，该喷嘴座相较于面向保持台之对向面的介电体板之下方面，系设置于介电体板之内部侧的后退位置处。喷嘴座系设置有将等离子处理用之反应气体供给至处理容器内的供给孔。

6. 发明专利

TW200944070A 電漿處理裝置 PLASMA PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：等离子处理设备 PLASMA PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200944070A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW098104108
申请日：2009-02-09
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：松本直樹 , 吉川潤 , 佐佐木勝 , 加藤和行 , 四方政史 , 高橋慎伍
IPC分类号： H05H
摘要：茲提供一種電漿處理裝置，其藉由在一介電質及狹縫之間定義一位置關係而具有高度改進之電漿點燃性質及點燃穩定性之特徵。一電漿處理裝置11包含一具有頂部開口之處理室12；一介電質15，在其底部表面上具有傾斜表面16a及16b，使得厚度尺寸連續地變化，並將該介電質配置成關閉該處理室12之該頂部開口；及一天線24，配置在該介電質15之一頂部表面上，用以供應微波至該介電質15，因而在該介電質15之該底部表面產生電漿。此外，該天線24設有複數個設置在該傾斜表面16a及16b之鉛直上方之狹縫25。
简体摘要：兹提供一种等离子处理设备，其借由在一介电质及狭缝之间定义一位置关系而具有高度改进之等离子点燃性质及点燃稳定性之特征。一等离子处理设备11包含一具有顶部开口之处理室12；一介电质15，在其底部表面上具有倾斜表面16a及16b，使得厚度尺寸连续地变化，并将该介电质配置成关闭该处理室12之该顶部开口；及一天线24，配置在该介电质15之一顶部表面上，用以供应微波至该介电质15，因而在该介电质15之该底部表面产生等离子。此外，该天线24设有复数个设置在该倾斜表面16a及16b之铅直上方之狭缝25。

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