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1. 发明专利

TWI408814B 雙向性瞬態電壓抑制裝置及其製造方法有权
简体标题：双向性瞬态电压抑制设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI408814B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098115137
申请日：2009-05-07
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：曾當貴 , TSENG, TANG KUEI , 林昆賢 , LIN, KUN HSIEN , 姜信欽 , JIANG, HSIN CHIN
IPC分类号： H01L29/861 , H01L27/08
CPC分类号： H01L29/87

2. 发明专利

TWI505053B 串列傳輸推動方法有权
简体标题：串行传输推动方法
公开(公告)号：TWI505053B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102148691
申请日：2013-12-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 陳志豪 , 吳思賢 , 姜信欽
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： H03K19/00346 , H03K19/0005 , H03K19/01 , H03K19/017509

3. 发明专利

TWI343119B 對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI343119B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW096127914
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H05F
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/747 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種對稱式雙向矽控整流器，其包含有一基板；一位於基板上的第一埋入層，其為第一導電型，其上依序併排有一為第二導電型之第一井、第一導電型之一中間區域與一第二導電型之第二井；位於第一井內具有第一導電型之一第一半導體區與一第二導電型之第二半導體區；位於第一井與中間區域接合面上有第二導電型之第三半導體區，其與第二半導體區間之上設有一第一閘極結構；第二井內具有第一導電型之第四半導體區與第二導電型之第五半導體區；位於第二井與中間區域接合面上的第六半導體區，其與第五半導體區間之上設有一第二閘極結構。第一半導體區、第二半導體區與第一閘極結構接於此矽控整流器之陽極，第四半導體區、第五半導體區與第二閘極結構接於此矽控整流器之陰極。本發明之對稱式雙向矽控整流器除具有面積小與高靜電防護力之優勢外，更利用增設嵌入式電晶體結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种对称式双向硅控整流器，其包含有一基板；一位于基板上的第一埋入层，其为第一导电型，其上依序并排有一为第二导电型之第一井、第一导电型之一中间区域与一第二导电型之第二井；位于第一井内具有第一导电型之一第一半导体区与一第二导电型之第二半导体区；位于第一井与中间区域接合面上有第二导电型之第三半导体区，其与第二半导体区间之上设有一第一闸极结构；第二井内具有第一导电型之第四半导体区与第二导电型之第五半导体区；位于第二井与中间区域接合面上的第六半导体区，其与第五半导体区间之上设有一第二闸极结构。第一半导体区、第二半导体区与第一闸极结构接于此硅控整流器之阳极，第四半导体区、第五半导体区与第二闸极结构接于此硅控整流器之阴极。本发明之对称式双向硅控整流器除具有面积小与高静电防护力之优势外，更利用增设嵌入式晶体管结构，来调整触发电压与留持电压。

4. 发明专利

TW200947840A 具有雙極性輸出之最佳電荷幫浦電路結構 OPTIMUM STRUCTURE FOR CHARGE PUMP CIRCUIT WITH BIPOLAR OUTPUT 审中-公开
简体标题：具有双极性输出之最佳电荷帮浦电路结构 OPTIMUM STRUCTURE FOR CHARGE PUMP CIRCUIT WITH BIPOLAR OUTPUT
公开(公告)号：TW200947840A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW097123166
申请日：2008-06-20
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 姜信欽
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H02M3/073 , H02M2003/075
摘要：本發明係揭露一種具有雙極性輸出之電荷幫浦電路結構，其係包括可選擇性連接一轉換電容之一第一輸入端至一電壓源之一第一開關；可選擇性連接一第一儲存電容之一第一輸入端至轉換電容之第一輸入端之一第二開關；可選擇性連接轉換電容之一第二輸入端至電壓源之一第三開關；可選擇性連接轉換電容之第二輸入端至一接地端之一第四開關；以及可選擇性連接轉換電容之第二輸入端至一第二儲存電容之一第二輸入端之一第五開關。電荷幫浦電路配置有時脈訊號，利用一四相位訊號來選擇性驅動，以最少開關數及最少電容數產生比輸入電壓更高的雙極性電壓，並可達到最高之轉換效益。
简体摘要：本发明系揭露一种具有双极性输出之电荷帮浦电路结构，其系包括可选择性连接一转换电容之一第一输入端至一电压源之一第一开关；可选择性连接一第一存储电容之一第一输入端至转换电容之第一输入端之一第二开关；可选择性连接转换电容之一第二输入端至电压源之一第三开关；可选择性连接转换电容之第二输入端至一接地端之一第四开关；以及可选择性连接转换电容之第二输入端至一第二存储电容之一第二输入端之一第五开关。电荷帮浦电路配置有时脉信号，利用一四相位信号来选择性驱动，以最少开关数及最少电容数产生比输入电压更高的双极性电压，并可达到最高之转换效益。

5. 发明专利

TWI362103B 非對稱式雙向矽控整流器有权
简体标题：非对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TWI362103B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096127913
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種非對稱式雙向矽控整流器，其包含有一具第二導電型之基板；一位於基板上之未摻雜磊晶層，其為第一導電型；皆位於磊晶層內且以部分未摻雜磊晶層作為間隔的第一井與第二井，第一井與第二井係皆為第二導電型；位於第一井與基板接面上的第一埋入層；位於第二井與基板接面上的第二埋入層；在第一井內的第一半導體區域及第二半導體區域，第一半導體區域與第二半導體區域為相反的導電型；在第二井內的第三半導體區域及第四半導體區域，第三半導體區域與第四半導體區域為相反的導電型；此第一、二半導體區域接於矽控整流器之陽極端，第三、四半導體區域接於矽控整流器之陰極端。本發明之非對稱式矽控整流器具有單位面積可承受最大的能量外，更可調定增設觸發點與增設的閘極結構，來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种非对称式双向硅控整流器，其包含有一具第二导电型之基板；一位于基板上之未掺杂磊晶层，其为第一导电型；皆位于磊晶层内且以部分未掺杂磊晶层作为间隔的第一井与第二井，第一井与第二井系皆为第二导电型；位于第一井与基板接面上的第一埋入层；位于第二井与基板接面上的第二埋入层；在第一井内的第一半导体区域及第二半导体区域，第一半导体区域与第二半导体区域为相反的导电型；在第二井内的第三半导体区域及第四半导体区域，第三半导体区域与第四半导体区域为相反的导电型；此第一、二半导体区域接于硅控整流器之阳极端，第三、四半导体区域接于硅控整流器之阴极端。本发明之非对称式硅控整流器具有单位面积可承受最大的能量外，更可调定增设触发点与增设的闸极结构，来调整触发电压与留持电压。

6. 发明专利

TW200906044A 具有雙極性輸出之電荷幫浦電路审中-公开
简体标题：具有双极性输出之电荷帮浦电路
公开(公告)号：TW200906044A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096127491
申请日：2007-07-27
申请人：晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTROING CORP
发明人：曾當貴 , 鄭俊一 , 姜信欽
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H02M3/07 , H02M2003/071
摘要：本發明係揭露一種具有雙極性輸出之電荷幫浦電路,其係包括可選擇性連接第一轉換電容二端分別至電壓源及一接地端的第一開關組;可選擇性連接第一轉換電容二端分別至接地的第一儲存電容及電壓源之第二開關組;可選擇性連接第二轉換電容二端分別至接電壓源之第一轉換電容及接地端之第三開關組;以及第四開關組係可選擇連接一第二轉換電容二端分別至接地的第二儲存電容與接地端。該四組開關組共具有九個開關,並配合時脈訊號控制來選擇性四相位或是二相位驅動,以產生比輸入電壓更高的雙極性電壓,並可達到最高之轉換效益。
简体摘要：本发明系揭露一种具有双极性输出之电荷帮浦电路,其系包括可选择性连接第一转换电容二端分别至电压源及一接地端的第一开关组;可选择性连接第一转换电容二端分别至接地的第一存储电容及电压源之第二开关组;可选择性连接第二转换电容二端分别至接电压源之第一转换电容及接地端之第三开关组;以及第四开关组系可选择连接一第二转换电容二端分别至接地的第二存储电容与接地端。该四组开关组共具有九个开关,并配合时脉信号控制来选择性四相位或是二相位驱动,以产生比输入电压更高的双极性电压,并可达到最高之转换效益。

7. 发明专利

TW200905859A 非對稱式雙向矽控整流器审中-公开
简体标题：非对称式双向硅控整流器
公开(公告)号：TW200905859A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096127913
申请日：2007-07-31
申请人：晶焱科技股份有限公司 AMAZING MICROELECTROING CORP
发明人：曾當貴 , 莊哲豪 , 姜信欽 , 柯明道
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L29/747 , H01L27/0262 , H01L29/87
摘要：本發明提供一種非對稱式雙向矽控整流器,其包含有一具第二導電型之基板;一位於基板上之未摻雜磊晶層,其為第一導電型;皆位於磊晶層內且以部分未摻雜磊晶層作為間隔的第一井與第二井,第一井與第二井係皆為第二導電型;位於第一井與基板接面上的第一埋入層;位於第二井與基板接面上的第二埋入層;在第一井內的第一半導體區域及第二半導體區域,第一半導體區域與第二半導體區域為相反的導電型;在第二井內的第三半導體區域及第四半導體區域,第三半導體區域與第四半導體區域為相反的導電型;此第一、二半導體區域接於矽控整流器之陽極端,第三、四半導體區域接於矽控整流器之陰極端。本發明之非對稱式矽控整流器具有單位面積可承受最大的能量外,更可調定增設觸發點與增設的閘極結構,來調整觸發電壓與留持電壓。
简体摘要：本发明提供一种非对称式双向硅控整流器,其包含有一具第二导电型之基板;一位于基板上之未掺杂磊晶层,其为第一导电型;皆位于磊晶层内且以部分未掺杂磊晶层作为间隔的第一井与第二井,第一井与第二井系皆为第二导电型;位于第一井与基板接面上的第一埋入层;位于第二井与基板接面上的第二埋入层;在第一井内的第一半导体区域及第二半导体区域,第一半导体区域与第二半导体区域为相反的导电型;在第二井内的第三半导体区域及第四半导体区域,第三半导体区域与第四半导体区域为相反的导电型;此第一、二半导体区域接于硅控整流器之阳极端,第三、四半导体区域接于硅控整流器之阴极端。本发明之非对称式硅控整流器具有单位面积可承受最大的能量外,更可调定增设触发点与增设的闸极结构,来调整触发电压与留持电压。

8. 发明专利

TW201520713A 串列傳輸推動方法审中-公开
简体标题：串行传输推动方法
公开(公告)号：TW201520713A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102148691
申请日：2013-12-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 陳志豪 , 吳思賢 , 姜信欽
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： H03K19/00346 , H03K19/0005 , H03K19/01 , H03K19/017509
摘要：本發明係揭露一種串列傳輸推動方法，其係利用一串列傳輸推動裝置分別透過一第一差動總線與一第二差動總線連接一等效負載電容的一第一端與一第二端，第一差動總線透過一第一等效電阻連接一高電位端，第二差動總線透過一第二等效電阻連接一低電位端。串列傳輸推動裝置接收一啟動訊號到一關閉訊號間的觸發訊息，據此產生一第一電位與大於第一電位的一第二電位，並將其分別施加於第二差動總線與第一差動總線上，同時利用高電位端與低電位端快速地改變並維持第一端的電位至大於第二端的電位，直到關閉訊號結束，以提升訊號傳輸品質。
简体摘要：本发明系揭露一种串行传输推动方法，其系利用一串行传输推动设备分别透过一第一差动总线与一第二差动总线连接一等效负载电容的一第一端与一第二端，第一差动总线透过一第一等效电阻连接一高电位端，第二差动总线透过一第二等效电阻连接一低电位端。串行传输推动设备接收一启动信号到一关闭信号间的触发消息，据此产生一第一电位与大于第一电位的一第二电位，并将其分别施加于第二差动总线与第一差动总在线，同时利用高电位端与低电位端快速地改变并维持第一端的电位至大于第二端的电位，直到关闭信号结束，以提升信号传输品质。

9. 发明专利

TWI356567B 具有雙極性輸出之電荷幫浦電路有权
简体标题：具有双极性输出之电荷帮浦电路
公开(公告)号：TWI356567B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：TW096127491
申请日：2007-07-27
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：曾當貴 , 鄭俊一 , 姜信欽
IPC分类号： H02M , G05F
CPC分类号： H02M3/07 , H02M2003/071
摘要：本發明係揭露一種具有雙極性輸出之電荷幫浦電路，其係包括可選擇性連接第一轉換電容二端分別至電壓源及一接地端的第一開關組；可選擇性連接第一轉換電容二端分別至接地的第一儲存電容及電壓源之第二開關組；可選擇性連接第二轉換電容二端分別至接電壓源之第一轉換電容及接地端之第三開關組；以及第四開關組係可選擇連接一第二轉換電容二端分別至接地的第二儲存電容與接地端。該四組開關組共具有九個開關，並配合時脈訊號控制來選擇性四相位或是二相位驅動，以產生比輸入電壓更高的雙極性電壓，並可達到最高之轉換效益。
简体摘要：本发明系揭露一种具有双极性输出之电荷帮浦电路，其系包括可选择性连接第一转换电容二端分别至电压源及一接地端的第一开关组；可选择性连接第一转换电容二端分别至接地的第一存储电容及电压源之第二开关组；可选择性连接第二转换电容二端分别至接电压源之第一转换电容及接地端之第三开关组；以及第四开关组系可选择连接一第二转换电容二端分别至接地的第二存储电容与接地端。该四组开关组共具有九个开关，并配合时脉信号控制来选择性四相位或是二相位驱动，以产生比输入电压更高的双极性电压，并可达到最高之转换效益。

10. 发明专利

TWI345375B 含輸出緩衝及迴授功能的壓擺率控制電路 SLEW-RATE CONTROL CIRCUITRY WITH OUTPUT BUFFER AND FEEDBACK 有权
简体标题：含输出缓冲及回授功能的压摆率控制电路 SLEW-RATE CONTROL CIRCUITRY WITH OUTPUT BUFFER AND FEEDBACK
公开(公告)号：TWI345375B
公开(公告)日：2011-07-11
申请号：TW097121507
申请日：2008-06-10
申请人：晶焱科技股份有限公司
发明人：莊哲豪 , 曾當貴 , 姜信欽
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K5/04 , H03K17/166 , H03K19/00361 , H04L25/0286
摘要：本發明提出一種不需使用外接組件如放大器的壓擺率控制電路。因此本發明不但提供在IC製造上能將壓擺率控制電路設置成內建，並同時減少外接電晶體的使用數目，提升IC閘氧化層的可靠性。本發明之壓擺率控制電路架構主要是由輸出緩衝電路及迴授電路所組成，其中輸出緩衝電路主要包含了四個電晶體並根據IC的輸出，這四個電晶體會透過交互作用來控制IC輸出的壓擺率。此外，為了增加壓擺率控制電路的效能，本發明更進一步設置額外的迴授電路以及閘極電壓追蹤電路。
简体摘要：本发明提出一种不需使用外置组件如放大器的压摆率控制电路。因此本发明不但提供在IC制造上能将压摆率控制电路设置成内置，并同时减少外置晶体管的使用数目，提升IC闸氧化层的可靠性。本发明之压摆率控制电路架构主要是由输出缓冲电路及回授电路所组成，其中输出缓冲电路主要包含了四个晶体管并根据IC的输出，这四个晶体管会透过交互作用来控制IC输出的压摆率。此外，为了增加压摆率控制电路的性能，本发明更进一步设置额外的回授电路以及闸极电压追踪电路。

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