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1. 发明专利

TWI495151B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI495151B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100119178
申请日：2011-05-31
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：馬少崑 , MA, SHAO KUN , 郭宗泰 , KUO, TSUNG TAI , 賴韓棕 , LAI, HAN TSUNG , 李宜青 , LEE, YI CHING , 金明達 , CHIN, MING TA
IPC分类号： H01L33/10

2. 发明专利

TWI559570B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI559570B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104120387
申请日：2011-05-31
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：馬少崑 , MA,SHAO-KUN , 郭宗泰 , KUO,TSUNG-TAI , 賴韓棕 , LAI,HAN-TSUNG , 李宜青 , LEE,YI-CHING , 金明達 , CHIN,MING-TA
IPC分类号： H01L33/10

3. 发明专利

TW201537776A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201537776A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104120387
申请日：2011-05-31
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：馬少崑 , MA,SHAO-KUN , 郭宗泰 , KUO,TSUNG-TAI , 賴韓棕 , LAI,HAN-TSUNG , 李宜青 , LEE,YI-CHING , 金明達 , CHIN,MING-TA
IPC分类号： H01L33/10
摘要：本發明提供一發光元件之製作方法，包含：提供一基板；形成一第一布拉格反射結構於基板之上；形成一第二布拉格反射結構於第一布拉格反射結構之上；形成一發光結構於第二布拉格反射結構之上；形成一窗戶層於發光結構之上；形成一電流散佈層於窗戶層之上；提供一溼氧製程系統；分別形成一氧化區域於第一布拉格反射結構與第二布拉格反射結構，其中氧化區域係於溼氧製程系統中反應而成；及形成一電極於電流散佈層之上。
简体摘要：本发明提供一发光组件之制作方法，包含：提供一基板；形成一第一布拉格反射结构于基板之上；形成一第二布拉格反射结构于第一布拉格反射结构之上；形成一发光结构于第二布拉格反射结构之上；形成一窗户层于发光结构之上；形成一电流散布层于窗户层之上；提供一湿氧制程系统；分别形成一氧化区域于第一布拉格反射结构与第二布拉格反射结构，其中氧化区域系于湿氧制程系统中反应而成；及形成一电极于电流散布层之上。

4. 发明专利

TW201248911A 發光元件 LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：发光组件 LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201248911A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100119178
申请日：2011-05-31
申请人：晶元光電股份有限公司
发明人：馬少崑 , 郭宗泰 , 賴韓棕 , 李宜青 , 金明達
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一發光元件之製作方法,包含:提供一基板;形成一第一布拉格反射結構於基板之上;形成一第二布拉格反射結構於第一布拉格反射結構之上;形成一發光結構於第二布拉格反射結構之上;形成一窗戶層於發光結構之上;形成一電流散佈層於窗戶層之上;提供一溼氧製程系統;分別形成一氧化區域於第一布拉格反射結構與第二布拉格反射結構,其中氧化區域係於溼氧製程系統中反應而成;及形成一電極於電流散佈層之上。
简体摘要：本发明提供一发光组件之制作方法,包含:提供一基板;形成一第一布拉格反射结构于基板之上;形成一第二布拉格反射结构于第一布拉格反射结构之上;形成一发光结构于第二布拉格反射结构之上;形成一窗户层于发光结构之上;形成一电流散布层于窗户层之上;提供一湿氧制程系统;分别形成一氧化区域于第一布拉格反射结构与第二布拉格反射结构,其中氧化区域系于湿氧制程系统中反应而成;及形成一电极于电流散布层之上。

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