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1. 发明专利

TWI415137B 區域字元線驅動器有权
简体标题：区域字符线驱动器
公开(公告)号：TWI415137B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098143429
申请日：2009-12-17
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張欽鴻 , CHANG, CHIN HUNG , 何文喬 , HO, WEN CHIAO , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C8/08

2. 发明专利

TWI384480B 記憶體及其讀取方法有权
简体标题：内存及其读取方法
公开(公告)号：TWI384480B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097139840
申请日：2008-10-17
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何文喬 , HO, WEN CHIAO , 張欽鴻 , CHANG, CHIN HUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN LONG , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C11/4096
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26

3. 发明专利

TWI404067B 記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI404067B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098106473
申请日：2009-02-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何文喬 , HO, WEN CHIAO , 張欽鴻 , CHANG, CHIN HUNG , 洪碩男 , HUNG, SHUO NAN , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C16/06 , G11C29/42

4. 发明专利

TWI399750B 記憶體及使用於一記憶體程式化命令的方法有权
简体标题：内存及使用于一内存进程化命令的方法
公开(公告)号：TWI399750B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW098105013
申请日：2009-02-17
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 何文喬 , HO, WEN CHIAO
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/102

5. 发明专利

TWI392884B 多晶片封裝體之測試方法及測試電路有权
简体标题：多芯片封装体之测试方法及测试电路
公开(公告)号：TWI392884B
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：TW097146827
申请日：2008-12-02
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 何文喬 , HO, WEN CHIAO , 張坤龍 , CHANG, KUEN LONG
IPC分类号： G01R31/28
CPC分类号： G11C29/10 , G11C29/12005

6. 发明专利

TW201123208A 區域字元線驅動器 LOCAL WORD LINE DRIVER 审中-公开
简体标题：区域字符线驱动器 LOCAL WORD LINE DRIVER
公开(公告)号：TW201123208A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098143429
申请日：2009-12-17
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：張欽鴻 , 何文喬 , 洪俊雄
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/08
摘要：本發明提供一種具有兩個電晶體的字元線驅動器。此處所揭露的一個範例字元線驅動器簡化成具有一共同信號於此p型電晶體及n型電晶體的閘極。此處所揭露的一個範例字元線驅動器藉由施加一負電壓至由多重字元線驅動器中所選取的一字元線驅動器以消耗較少的功耗。
简体摘要：本发明提供一种具有两个晶体管的字符线驱动器。此处所揭露的一个范例字符线驱动器简化成具有一共同信号于此p型晶体管及n型晶体管的闸极。此处所揭露的一个范例字符线驱动器借由施加一负电压至由多重字符线驱动器中所选取的一字符线驱动器以消耗较少的功耗。

7. 发明专利

TWI338299B 記憶體存取方法 METHOD FOR ACCESSING MEMORY 有权
简体标题：内存存取方法 METHOD FOR ACCESSING MEMORY
公开(公告)号：TWI338299B
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW096124380
申请日：2007-07-04
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：洪俊雄 , 何文喬 , 張坤龍
IPC分类号： G11C
摘要：一種記憶體存取方法。記憶體包括多個多位階單元，每一個多位階單元可儲存2n位元，n為正整數。此記憶體存取方法包括，首先分別定義每個多位階單元之臨界電壓為2n位階，每一位階均對應至一n位元之儲存狀態，0~2n/2-1位階所對應之儲存狀態之最高效位元係不同於2n/2~2n-1位階所對應之儲存狀態之最高效位元。接著，分割一目標資料為n個部份並分別寫入n個暫存記憶體。然後，將目標資料之n位元寫入多位階單元，其中每一位元係由每一暫存記憶體擷取而得到。
简体摘要：一种内存存取方法。内存包括多个多位阶单元，每一个多位阶单元可存储2n比特，n为正整数。此内存存取方法包括，首先分别定义每个多位阶单元之临界电压为2n位阶，每一位阶均对应至一n比特之存储状态，0~2n/2-1位阶所对应之存储状态之最高效比特系不同于2n/2~2n-1位阶所对应之存储状态之最高效比特。接着，分割一目标数据为n个部份并分别写入n个暂存内存。然后，将目标数据之n比特写入多位阶单元，其中每一比特系由每一暂存内存截取而得到。

8. 发明专利

TWI323899B 記憶體及其程式化方法 MEMORY AND METHOD FOR PROGRAMMING THE SAME 有权
简体标题：内存及其进程化方法 MEMORY AND METHOD FOR PROGRAMMING THE SAME
公开(公告)号：TWI323899B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：TW096132337
申请日：2007-08-30
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：洪俊雄 , 何信義 , 何文喬
IPC分类号： G11C
摘要：一種記憶體程式化方法，記憶體包括多個多位階單元，每一個多位階單元包括一第一半單元及一第二半單元。此方法包括，首先，提供一目標位址及相對應之將要儲存之2n群資料，其中，n為正整數。之後，於一程式化迴圈內，依據目標位址，將2n群資料依序程式化於多位階單元，使得第一半單元所儲存之資料及第二半單元所儲存之資料係來自2n群資料之不同群。 A method for programming a memory, which includes multiple multi-level cells each having a first half cell and a second half cell, includes the following steps. First, a target address corresponding to 2n-group data to be stored is provided, wherein n is a positive. Next, the 2n-group data is sequentially programmed into the multi-level cells based upon the target address in a programming loop so that the data stored in the first half cells and the data stored in the second half cells are from different groups of the 2n-group data. 【創作特點】本發明係有關於一種記憶體及其程式化方法，利用新的程式化流程，降低記憶體所接收之複雜位址輸入，以節省記憶體程式化時間。。
根據本發明之第一方面，提出一種記憶體程式化方法，記憶體包括多個多位階單元，每一個多位階單元包括一第一半單元及一第二半單元。此方法包括，首先，提供一目標位址及相對應之將要儲存之2n群資料，n為正整數。之後，於一程式化迴圈內，依據目標位址，將2n群資料依序程式化於多位階單元，使得第一半單元所儲存之資料及第二半單元所儲存之資料係來自2n群資料之不同群。
根據本發明之第二方面，提出一種記憶體，包括多個記憶單元區塊，每一個記憶單元區塊包括多條位元線、多條字元線以及多個多位階單元。此些多位階單元係分別耦接至位元線及字元線，每一個多位階單元包括一第一半單元及一第二半單元。其中，將要儲存之2n群資料係依據一目標位址，於一程式化迴圈內依序被程式化於多位階單元，使得第一半單元所儲存之資料及第二半單元所儲存之資料係來自2n群資料之不同群，n為正整數。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
简体摘要：一种内存进程化方法，内存包括多个多位阶单元，每一个多位阶单元包括一第一半单元及一第二半单元。此方法包括，首先，提供一目标位址及相对应之将要存储之2n群数据，其中，n为正整数。之后，于一进程化循环内，依据目标位址，将2n群数据依序进程化于多位阶单元，使得第一半单元所存储之数据及第二半单元所存储之数据系来自2n群数据之不同群。 A method for programming a memory, which includes multiple multi-level cells each having a first half cell and a second half cell, includes the following steps. First, a target address corresponding to 2n-group data to be stored is provided, wherein n is a positive. Next, the 2n-group data is sequentially programmed into the multi-level cells based upon the target address in a programming loop so that the data stored in the first half cells and the data stored in the second half cells are from different groups of the 2n-group data. 【创作特点】本发明系有关于一种内存及其进程化方法，利用新的进程化流程，降低内存所接收之复杂位址输入，以节省内存进程化时间。。根据本发明之第一方面，提出一种内存进程化方法，内存包括多个多位阶单元，每一个多位阶单元包括一第一半单元及一第二半单元。此方法包括，首先，提供一目标位址及相对应之将要存储之2n群数据，n为正整数。之后，于一进程化循环内，依据目标位址，将2n群数据依序进程化于多位阶单元，使得第一半单元所存储之数据及第二半单元所存储之数据系来自2n群数据之不同群。根据本发明之第二方面，提出一种内存，包括多个记忆单元区块，每一个记忆单元区块包括多条比特线、多条字符线以及多个多位阶单元。此些多位阶单元系分别耦接至比特线及字符线，每一个多位阶单元包括一第一半单元及一第二半单元。其中，将要存储之2n群数据系依据一目标位址，于一进程化循环内依序被进程化于多位阶单元，使得第一半单元所存储之数据及第二半单元所存储之数据系来自2n群数据之不同群，n为正整数。为让本发明之上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

9. 发明专利

TW201011753A 記憶體及其讀取方法 MEMORY AND READING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：内存及其读取方法 MEMORY AND READING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201011753A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW097139840
申请日：2008-10-17
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：何文喬 , 張欽鴻 , 張坤龍 , 洪俊雄
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/26
摘要：一種記憶體，包括多個記憶體區，每一個記憶體區包括一目標記憶單元、一源極線、一位元線以及一讀取控制電路。源極線耦接至目標記憶單元之第一端。位元線耦接至目標記憶單元之第二端。讀取控制電路用以選擇性地施加一工作電壓至源極線。
简体摘要：一种内存，包括多个内存区，每一个内存区包括一目标记忆单元、一源极线、一比特线以及一读取控制电路。源极线耦接至目标记忆单元之第一端。比特线耦接至目标记忆单元之第二端。读取控制电路用以选择性地施加一工作电压至源极线。

10. 发明专利

TWI327319B 多階層記憶胞非揮發性記憶體之雙重程式化方法 DOUBLE PROGRAMMING METHODS OF A MULTI-LEVEL-CELL NONVOLATILE MEMORY 有权
简体标题：多阶层记忆胞非挥发性内存之双重进程化方法 DOUBLE PROGRAMMING METHODS OF A MULTI-LEVEL-CELL NONVOLATILE MEMORY
公开(公告)号：TWI327319B
公开(公告)日：2010-07-11
申请号：TW096124216
申请日：2007-07-03
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：洪俊雄 , 何文喬 , 張坤龍
IPC分类号： G11C
摘要：一種用以程式化電荷捕捉記憶體之多位元記憶胞中多階層記憶胞的雙重程式化方法。電荷捕捉記憶體包括多個電荷捕捉記憶胞。此雙重程式化方法係以兩階段進行，一預先程式化階段及一後程式化階段，並且適用於電荷捕捉記憶體之一字元線(一字元線中之一區段(segment)、一字元線中之一頁、一程式化單元或一記憶單元)。程式化單元係可藉由不同種類或不同範圍之輸入資料加以定義，例如一個程式化單元可定義為單一字元線中之一部分(如一頁、一群組或一區段)。其中每一個群組均選用來與其他同一字元線中的群組依序或平行地進行預先程式化(pre－program)或預先程式化驗證(pre－program－verify)。
简体摘要：一种用以进程化电荷捕捉内存之多比特记忆胞中多阶层记忆胞的双重进程化方法。电荷捕捉内存包括多个电荷捕捉记忆胞。此双重进程化方法系以两阶段进行，一预先进程化阶段及一后进程化阶段，并且适用于电荷捕捉内存之一字符线(一字符线中之一区段(segment)、一字符线中之一页、一进程化单元或一记忆单元)。进程化单元系可借由不同种类或不同范围之输入数据加以定义，例如一个进程化单元可定义为单一字符线中之一部分(如一页、一群组或一区段)。其中每一个群组均选用来与其他同一字符线中的群组依序或平行地进行预先进程化(pre－program)或预先进程化验证(pre－program－verify)。

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