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1. 发明专利

TWI671760B 記憶體電路以及用於操作三維交叉點記憶體陣列的方法有权
简体标题：内存电路以及用于操作三维交叉点内存数组的方法
公开(公告)号：TWI671760B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107134197
申请日：2018-09-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN-YI , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： G11C8/16 , G11C11/40

2. 发明专利

TWI505090B 差異邏輯至實體方法有权
简体标题：差异逻辑至实体方法
公开(公告)号：TWI505090B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102122444
申请日：2013-06-25
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：高龍毅 , KUO, LUNG YI , 何信義 , HO, HSIN YI , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 陳漢松 , CHEN, HAN SUNG
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208

3. 发明专利

TWI451418B 程式化一多階記憶體的裝置與方法有权
简体标题：进程化一多阶内存的设备与方法
公开(公告)号：TWI451418B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW098145339
申请日：2009-12-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN YI , 李家慶 , LI, CHIA CHING , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C16/04 , G11C11/56
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C16/3436

4. 发明专利

TW202008357A 記憶體電路以及用於操作三維交叉點記憶體陣列的方法审中-公开
简体标题：内存电路以及用于操作三维交叉点内存数组的方法
公开(公告)号：TW202008357A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107134197
申请日：2018-09-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN-YI , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN
IPC分类号： G11C8/16 , G11C11/40
摘要：一種積體電路，包括三維交叉點記憶體陣列，此三維交叉點記憶體陣列具有設置在N個第一存取線層和P個第二存取線層的交叉點處的M層的記憶胞。此積體電路還包括第一和第二組的第一存取線驅動器。第一組第一存取線驅動器可操作地耦接以將共第一操作電壓施加到奇數的第一存取線層中所選擇的第一存取線。第二組第一存取線驅動器可操作地耦合以將共第一操作電壓施加到偶數的第一存取線層中所選擇的第一存取線。多組的第二存取線驅動器可操作地配置來將第二操作電壓施加到所選擇的第二存取線層中所選擇的第二存取線。
简体摘要：一种集成电路，包括三维交叉点内存数组，此三维交叉点内存数组具有设置在N个第一存取线层和P个第二存取线层的交叉点处的M层的记忆胞。此集成电路还包括第一和第二组的第一存取线驱动器。第一组第一存取线驱动器可操作地耦接以将共第一操作电压施加到奇数的第一存取线层中所选择的第一存取线。第二组第一存取线驱动器可操作地耦合以将共第一操作电压施加到偶数的第一存取线层中所选择的第一存取线。多组的第二存取线驱动器可操作地配置来将第二操作电压施加到所选择的第二存取线层中所选择的第二存取线。

5. 发明专利

TWI573146B 記憶體裝置與其操作方法有权
简体标题：内存设备与其操作方法
公开(公告)号：TWI573146B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104117258
申请日：2015-05-28
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN-YI , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG-LAN , 簡維志 , CHIEN, WEI-CHIH , 陳土順 , CHEN, TU-SHUN , 陳嘉榮 , CHEN, CHIA-JUNG
IPC分类号： G11C29/42

6. 发明专利

TWI537946B 記憶體和記憶體管理方法有权
简体标题：内存和内存管理方法
公开(公告)号：TWI537946B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103107783
申请日：2014-03-07
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN YI , 李明修 , LEE, MING HSIU , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 龍翔瀾 , LUNG, HSIANG LAN , 王典彥 , WANG, TIEN YEN
IPC分类号： G11C13/00 , G11C7/12
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C2013/0054

7. 发明专利

TWI442401B 共享輸入封裝之三維晶片選取有权
简体标题：共享输入封装之三维芯片选取
公开(公告)号：TWI442401B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW098145933
申请日：2009-12-30
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 何信義 , HO, HSIN YI
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C8/12 , G11C5/02 , Y10T29/49002

8. 发明专利

TWI391947B 多位階單元記憶體之讀取方法及應用其之讀取電路有权
简体标题：多位阶单元内存之读取方法及应用其之读取电路
公开(公告)号：TWI391947B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097129950
申请日：2008-08-06
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何信義 , HO, HSIN YI , 洪繼宇 , HUNG, JI YU
IPC分类号： G11C8/08 , G11C7/12

9. 发明专利

TWI381651B 數位類比轉換器與其方法有权
简体标题：数码模拟转换器与其方法
公开(公告)号：TWI381651B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098113190
申请日：2009-04-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：許哲豪 , HSU, JER HAU , 王典彥 , WANG, TIEN YEN , 何信義 , HO, HSIN YI
IPC分类号： H03M1/78 , H03M1/66
CPC分类号： H03M1/808

10. 发明专利

TW201735037A 記憶體裝置與其操作方法审中-公开
简体标题：内存设备与其操作方法
公开(公告)号：TW201735037A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105107818
申请日：2016-03-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：龍翔瀾 , HSIANG-LAN, LUNG , 何信義 , HSIN-YI, HO
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C2013/0066 , G11C2013/0071 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
摘要：一種記憶體裝置，包括：一可編程電阻式記憶胞陣列；一差動放大器，耦接至可編程電阻式記憶胞陣列，其中差動放大器感測一位元線上之一第一電壓及一參考電壓之間的一電壓差，並回應於電壓差提供一回授訊號，其中位元線耦接至一記憶胞。控制電路耦接至可編程電阻式記憶胞陣列及差動放大器，執行一編程操作，以改變記憶胞之一第一電阻值狀態為一第二電阻值狀態，編程操作包含：針對該參考電壓選擇相關於該第二電阻值狀態之一電壓位準；導通電流電路以施加編程電流之一編程脈衝至記憶胞；及致能差動放大器；其中電流電路回應於回授訊號截止編程電流。
简体摘要：一种内存设备，包括：一可编程电阻式记忆胞数组；一差动放大器，耦接至可编程电阻式记忆胞数组，其中差动放大器传感一比特在线之一第一电压及一参考电压之间的一电压差，并回应于电压差提供一回授信号，其中比特线耦接至一记忆胞。控制电路耦接至可编程电阻式记忆胞数组及差动放大器，运行一编程操作，以改变记忆胞之一第一电阻值状态为一第二电阻值状态，编程操作包含：针对该参考电压选择相关于该第二电阻值状态之一电压位准；导通电流电路以施加编程电流之一编程脉冲至记忆胞；及致能差动放大器；其中电流电路回应于回授信号截止编程电流。

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