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1. 发明专利

TW201509815A 濺鍍靶材及使用該靶材之薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶材及使用该靶材之薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201509815A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103120095
申请日：2014-06-10
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 光井彰 , MITSUI, AKIRA
IPC分类号： C01F7/16 , C04B35/44 , H01B1/08 , C23C14/34 , C23C14/08
CPC分类号： H01J37/3426 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3272 , C04B2235/422 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3423
摘要：本發明係一種非晶質膜形成用濺鍍靶材，其係包含導電性鈣鋁石化合物之濺鍍靶材，且該導電性鈣鋁石化合物之電子密度為3×1020cm-3以上，且該導電性鈣鋁石化合物含有選自由C、Fe、Na及Zr所組成之群中之1種以上之元素。
简体摘要：本发明系一种非晶质膜形成用溅镀靶材，其系包含导电性钙铝石化合物之溅镀靶材，且该导电性钙铝石化合物之电子密度为3×1020cm-3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na及Zr所组成之群中之1种以上之元素。

2. 发明专利

TW201507160A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201507160A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103118675
申请日：2014-05-28
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 伊藤和弘 , ITOH, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 光井彰 , MITSUI, AKIRA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/08 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：本發明係一種半導體裝置，其特徵在於：其係具有源極電極、汲極電極、閘極電極及半導體層者，並且於上述源極電極及上述汲極電極之一者或兩者與上述半導體層之間，具有包含鈣原子及鋁原子之非晶質氧化物之電子鹽(electride)之薄膜。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其特征在于：其系具有源极电极、汲极电极、闸极电极及半导体层者，并且于上述源极电极及上述汲极电极之一者或两者与上述半导体层之间，具有包含钙原子及铝原子之非晶质氧化物之电子盐(electride)之薄膜。

3. 发明专利

TW201531594A 金屬氧化物之薄膜、具備該薄膜之有機電致發光元件、太陽能電池及有機太陽能電池审中-公开
简体标题：金属氧化物之薄膜、具备该薄膜之有机电致发光组件、太阳能电池及有机太阳能电池
公开(公告)号：TW201531594A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103143947
申请日：2014-12-16
申请人：國立大學法人東京工業大學 , TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY , 旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：細野秀雄 , HOSONO, HIDEO , 戶田喜丈 , TODA, YOSHITAKE , 渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 光井彰 , MITSUI, AKIRA , 大越雄斗 , OHKOSHI, KAZUTO
IPC分类号： C23C30/00 , H01L27/28 , H01L27/30 , H01L31/036 , H01L51/42 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/4273 , H01L51/44 , H01L51/5092 , H01L51/5096 , H01L2251/303 , H01L2251/5353 , Y02E10/549
摘要：本發明之非晶質金屬氧化物之薄膜包含鋅(Zn)、矽(Si)及氧(O)，且Zn/(Zn+Si)之原子數比為0.30~0.95。
简体摘要：本发明之非晶质金属氧化物之薄膜包含锌(Zn)、硅(Si)及氧(O)，且Zn/(Zn+Si)之原子数比为0.30~0.95。

4. 发明专利

TW201526118A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201526118A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103138104
申请日：2014-11-03
申请人：旭硝子股份有限公司 , ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：渡邊俊成 , WATANABE, TOSHINARI , 宮川直通 , MIYAKAWA, NAOMICHI , 伊藤和弘 , ITO, KAZUHIRO , 渡邊曉 , WATANABE, SATORU , 光井彰 , MITSUI, AKIRA
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78669 , H01L29/45 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要：本發明之半導體裝置之特徵在於：其係包括源極電極、汲極電極、閘極電極及非晶質矽層者，且於上述源極電極及上述汲極電極之一者或兩者與上述非晶質矽層之間具有包含鈣原子及鋁原子之非晶質氧化物之電子化物之薄膜。
简体摘要：本发明之半导体设备之特征在于：其系包括源极电极、汲极电极、闸极电极及非晶质硅层者，且于上述源极电极及上述汲极电极之一者或两者与上述非晶质硅层之间具有包含钙原子及铝原子之非晶质氧化物之电子化物之薄膜。

5. 发明专利

TW594796B 導電性氮化物膜與其製造方法、及防反射體有权
简体标题：导电性氮化物膜与其制造方法、及防反射体
公开(公告)号：TW594796B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089102215
申请日：2000-02-10
申请人：旭硝子股份有限公司 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：藤野正美 , 佐藤一夫 SATO, KAZUO , 光井彰 , 竹田諭司 , 堀江則俊
IPC分类号： H01B , C23C
CPC分类号： H01B1/06 , C23C14/0641
摘要：含有由Ti及／或Zr，與Al、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au及Pt而成之群體選出的一種以上之金屬，耐熱性優越的導電性氮化物膜與其製造方法及採用該導電性氮化物膜之防反射體。
简体摘要：含有由Ti及／或Zr，与Al、Mo、Cr、Nb、Hf、Ni、Co、Fe、Pd、Ag、Au及Pt而成之群体选出的一种以上之金属，耐热性优越的导电性氮化物膜与其制造方法及采用该导电性氮化物膜之防反射体。

6. 发明专利

TW201209008A 濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201209008A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100127044
申请日：2011-07-29
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：光井彰 , 岡東健 , 小高秀文 , 川本泰
IPC分类号： C04B , C23C , C01G
CPC分类号： C04B35/495 , C01G33/00 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/40 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/442 , C04B2235/5436 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6587 , C04B2235/77 , C23C14/088 , C23C14/3414
摘要：本發明係提供一種濺鍍靶及其製造方法，該濺鍍靶由含有鈮酸鈉之燒結體所構成，且可使用於DC(直流)濺鍍法。本發明濺鍍靶之特徵係在於由包含摻雜有第2族元素之鈮酸鈉之燒結體所構成，且該燒結體之電阻為15kΩ以下。
简体摘要：本发明系提供一种溅镀靶及其制造方法，该溅镀靶由含有铌酸钠之烧结体所构成，且可使用于DC(直流)溅镀法。本发明溅镀靶之特征系在于由包含掺杂有第2族元素之铌酸钠之烧结体所构成，且该烧结体之电阻为15kΩ以下。

7. 发明专利

TW201216486A ＣＩＧＳ型太陽電池以及ＣＩＧＳ型太陽電池用基板审中-公开
简体标题：ＣＩＧＳ型太阳电池以及ＣＩＧＳ型太阳电池用基板
公开(公告)号：TW201216486A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100119157
申请日：2011-05-31
申请人：旭硝子股份有限公司
发明人：光井彰 , 岡東健 , 小高秀文 , 川本泰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/02167 , C03C3/087 , C03C3/091 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3678 , H01L31/03923 , Y02E10/541
摘要：本發明之目的在提供一種可藉具備耐久性而較為一般之構造，對CIGS層供給鹼金屬之CIGS型太陽電池。本發明之CIGS型太陽電池包含有：絕緣性支撐基板；背面電極層，設於前述絕緣性支撐基板上；CIGS層，設於前述背面電極層上；緩衝層，設於前述CIGS層上；及，透明表面電極層，設於前述緩衝層上；其特徵在於，於前述絕緣性支撐基板與前述背面電極層之間，或於前述背面電極層與前述CIGS層之間，或者於前述絕緣性支撐基板與前述背面電極層之間及於前述背面電極層與前述CIGS層之間雙方，進一步設有鹼金屬供給層，且，前述鹼金屬供給層含有由NaNbO3化合物、KNbO3化合物及LiNbO3化合物所構成群組中選出之1種以上之化合物。
简体摘要：本发明之目的在提供一种可藉具备耐久性而较为一般之构造，对CIGS层供给碱金属之CIGS型太阳电池。本发明之CIGS型太阳电池包含有：绝缘性支撑基板；背面电极层，设于前述绝缘性支撑基板上；CIGS层，设于前述背面电极层上；缓冲层，设于前述CIGS层上；及，透明表面电极层，设于前述缓冲层上；其特征在于，于前述绝缘性支撑基板与前述背面电极层之间，或于前述背面电极层与前述CIGS层之间，或者于前述绝缘性支撑基板与前述背面电极层之间及于前述背面电极层与前述CIGS层之间双方，进一步设有碱金属供给层，且，前述碱金属供给层含有由NaNbO3化合物、KNbO3化合物及LiNbO3化合物所构成群组中选出之1种以上之化合物。

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