专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI571994B 封裝基板及其製作方法有权
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI571994B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW104121019
申请日：2015-06-30
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：莊誌宏 , CHUANG, CHIH HONG , 吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/768
CPC分类号： H05K1/09 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/49822 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H05K1/0298 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/0047 , H05K3/007 , H05K3/18 , H05K3/205 , H05K3/4038 , H05K3/421 , H05K3/4638 , H05K3/4644 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2203/03

2. 发明专利

TW201701433A 封裝基板及其製作方法审中-公开
简体标题：封装基板及其制作方法
公开(公告)号：TW201701433A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104121019
申请日：2015-06-30
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：莊誌宏 , CHUANG, CHIH HONG , 吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/768
CPC分类号： H05K1/09 , H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/49822 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H05K1/0298 , H05K1/115 , H05K3/0026 , H05K3/0047 , H05K3/007 , H05K3/18 , H05K3/205 , H05K3/4038 , H05K3/421 , H05K3/4638 , H05K3/4644 , H05K3/4682 , H05K2201/09509 , H05K2203/03
摘要：一種封裝基板的製作方法。提供及壓合一第一銅層及已形成於其上的一第一電鍍銅層、一第一介電層、一第二銅層及已形成於其上的一第二電鍍銅層、一第二介電層及一第三銅層及已形成於其上的一第三電鍍銅層，以使第一與第二介電層完全包覆第二銅層與第二電鍍銅層的邊緣，而形成一暫時承載板。形成二線路結構於暫時承載板的相對兩表面上。切割暫時承載板與線路結構，以暴露出第二銅層與第二電鍍銅層的邊緣。沿著被暴露出的第二銅層與第二電鍍銅層的邊緣分離暫時承載板與線路結構，而形成二各自獨立的封裝基板。
简体摘要：一种封装基板的制作方法。提供及压合一第一铜层及已形成于其上的一第一电镀铜层、一第一介电层、一第二铜层及已形成于其上的一第二电镀铜层、一第二介电层及一第三铜层及已形成于其上的一第三电镀铜层，以使第一与第二介电层完全包覆第二铜层与第二电镀铜层的边缘，而形成一暂时承载板。形成二线路结构于暂时承载板的相对两表面上。切割暂时承载板与线路结构，以暴露出第二铜层与第二电镀铜层的边缘。沿着被暴露出的第二铜层与第二电镀铜层的边缘分离暂时承载板与线路结构，而形成二各自独立的封装基板。

3. 发明专利

TW201613441A 具有凹槽的多層線路板與其製作方法审中-公开
简体标题：具有凹槽的多层线路板与其制作方法
公开(公告)号：TW201613441A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW103133743
申请日：2014-09-29
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H05K3/4697 , H05K3/4614 , H05K3/462 , H05K3/4644 , H05K3/465 , H05K2203/061 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913
摘要：一種具有凹槽的多層線路板的製作方法，包括下列步驟：提供一核心板，並形成貫穿核心板的一通孔；貼合兩疊層結構於核心板的相對兩側，以形成一多層線路板，且兩疊層結構覆蓋通孔；移除兩疊層結構的其中一者對應於通孔的一局部，以使通孔連通至外界而構成一凹槽。另揭露一種以上述方法製成的具有凹槽的多層線路板。
简体摘要：一种具有凹槽的多层线路板的制作方法，包括下列步骤：提供一内核板，并形成贯穿内核板的一通孔；贴合两叠层结构于内核板的相对两侧，以形成一多层线路板，且两叠层结构覆盖通孔；移除两叠层结构的其中一者对应于通孔的一局部，以使通孔连通至外界而构成一凹槽。另揭露一种以上述方法制成的具有凹槽的多层线路板。

4. 发明专利

TW201347636A 基板結構的製作方法审中-公开
简体标题：基板结构的制作方法
公开(公告)号：TW201347636A
公开(公告)日：2013-11-16
申请号：TW101115791
申请日：2012-05-03
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H05K3/46
摘要：一種基板結構的製作方法。提供一基材。基材具有一核心層以及位於核心層之一第一表面與一第二表面上的一第一圖案化銅箔層與一第二圖案化銅箔層。熱壓合一第一絕緣層及位於第一絕緣層上之一第一導電層於第一圖案化銅箔層上。第一絕緣層具有皆呈半固化態一中央區塊以及一周圍區塊。對第一絕緣層的周圍區塊進行一加熱加壓步驟，以使第一絕緣層的周圍區塊呈完全固化態。熱壓合一第二絕緣層及位於第二絕緣層上之第二導電層於第二圖案化銅箔層上，以使第二絕緣層及呈半固化態之第一絕緣層之中央區塊皆與第一絕緣層之周邊區塊一樣呈完全固化態。
简体摘要：一种基板结构的制作方法。提供一基材。基材具有一内核层以及位于内核层之一第一表面与一第二表面上的一第一图案化铜箔层与一第二图案化铜箔层。热压合一第一绝缘层及位于第一绝缘层上之一第一导电层于第一图案化铜箔层上。第一绝缘层具有皆呈半固化态一中央区块以及一周围区块。对第一绝缘层的周围区块进行一加热加压步骤，以使第一绝缘层的周围区块呈完全固化态。热压合一第二绝缘层及位于第二绝缘层上之第二导电层于第二图案化铜箔层上，以使第二绝缘层及呈半固化态之第一绝缘层之中央区块皆与第一绝缘层之周边区块一样呈完全固化态。

5. 发明专利

TWI692846B 散熱基板及其製作方法有权
简体标题：散热基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI692846B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW108109876
申请日：2019-03-21
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN-HUNG , 沈子士 , SHEN, TZU-SHIH
IPC分类号： H01L23/367 , H05K1/02 , H05K3/44

6. 发明专利

TWI572267B 具有凹槽的多層線路板與其製作方法有权
简体标题：具有凹槽的多层线路板与其制作方法
公开(公告)号：TWI572267B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW103133743
申请日：2014-09-29
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H05K3/46
CPC分类号： H05K3/4697 , H05K3/4614 , H05K3/462 , H05K3/4644 , H05K3/465 , H05K2203/061 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913

7. 发明专利

TWI442526B 導熱基板及其製作方法有权
简体标题：导热基板及其制作方法
公开(公告)号：TWI442526B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099131636
申请日：2010-09-17
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：王金勝 , WANG, CHIN SHENG , 陳慶盛 , CHEN, CHING SHENG , 吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： C25D5/16 , B32B15/08 , B32B37/02 , B32B2307/302 , B32B2457/08 , C25D5/10 , H01L2924/0002 , H05K1/05 , H05K3/421 , H05K2201/0338 , Y10T428/12535 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI433632B 基板結構的製作方法有权
简体标题：基板结构的制作方法
公开(公告)号：TWI433632B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101115791
申请日：2012-05-03
申请人：旭德科技股份有限公司 , SUBTRON TECHNOLOGY CO. LTD.
发明人：吳健鴻 , WU, CHIEN HUNG
IPC分类号： H05K3/46

9. 发明专利

TW201214636A 導熱基板及其製作方法 THERMAL CONDUCTIVITY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：导热基板及其制作方法 THERMAL CONDUCTIVITY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201214636A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW099131636
申请日：2010-09-17
申请人：旭德科技股份有限公司
发明人：王金勝 , 陳慶盛 , 吳健鴻
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C25D5/16 , B32B15/08 , B32B37/02 , B32B2307/302 , B32B2457/08 , C25D5/10 , H01L2924/0002 , H05K1/05 , H05K3/421 , H05K2201/0338 , Y10T428/12535 , H01L2924/00
摘要：一種導熱基板，其包括一金屬基材、一金屬層、一絕緣層、多個導電結構、一第一導電層以及一第二導電層。金屬層配置於金屬基材上，且完全包覆金屬基材。絕緣層配置於金屬層上。導電結構內埋於絕緣層中，且與部分金屬層相連接。第一導電層配置於絕緣層上。第二導電層配置於第一導電層與導電結構上。第二導電層透過導電結構而連接部分金屬層。第二導電層與導電結構一體成型。
简体摘要：一种导热基板，其包括一金属基材、一金属层、一绝缘层、多个导电结构、一第一导电层以及一第二导电层。金属层配置于金属基材上，且完全包覆金属基材。绝缘层配置于金属层上。导电结构内埋于绝缘层中，且与部分金属层相连接。第一导电层配置于绝缘层上。第二导电层配置于第一导电层与导电结构上。第二导电层透过导电结构而连接部分金属层。第二导电层与导电结构一体成型。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式