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1. 发明专利

TWI492432B 半導體記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI492432B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099142631
申请日：2010-12-07
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：笹子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 島明生 , SHIMA, AKIO , 半澤悟 , HANZAWA, SATORU , 小林孝 , KOBAYASHI, TAKASHI , 木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683

2. 发明专利

TWI400771B 非揮發性記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI400771B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098101929
申请日：2009-01-19
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 寺尾元康 , TERAO, MOTOYASU , 松岡秀行 , MATSUOKA, HIDEYUKI , 世子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 木村嘉伸 , KIMURA, YOSHINOBU , 島明生 , SHIMA, AKIO , 田井光春 , TAI, MITSUHARU , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675

3. 发明专利

TWI416708B 半導體記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI416708B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099116130
申请日：2010-05-20
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：笹子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/24

4. 发明专利

TWI400797B 非揮發性記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI400797B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098112705
申请日：2009-04-16
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 世子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90

5. 发明专利

TW201117357A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201117357A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099116130
申请日：2010-05-20
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：笹子佳孝 , 木下勝治 , 高浦則克
IPC分类号： H01L , G11C
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/24
摘要：目的在於促進具有記憶格陣列之非揮發性半導體記憶裝置之高信賴化，該記憶格陣列係將電阻變化型元件與二極體或電晶體等之選擇元件連接而成者。針對記憶格之電阻變化型元件，該記憶格為具有大的漏電流而會引起性能不充分的選擇元件者，即使對該記憶格施加資料之記錄用的電壓之情況下，亦可以將其設為不致於到達改寫所需電力之高電阻值之狀態。如此則，可抑制不良之選擇元件之漏電流引起之裝置之誤動作。
简体摘要：目的在于促进具有记忆格数组之非挥发性半导体记忆设备之高信赖化，该记忆格数组系将电阻变化型组件与二极管或晶体管等之选择组件连接而成者。针对记忆格之电阻变化型组件，该记忆格为具有大的漏电流而会引起性能不充分的选择组件者，即使对该记忆格施加数据之记录用的电压之情况下，亦可以将其设为不致于到达改写所需电力之高电阻值之状态。如此则，可抑制不良之选择组件之漏电流引起之设备之误动作。

6. 发明专利

TW201117367A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201117367A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099117214
申请日：2010-05-28
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：黑土健三 , 高浦則克 , 藤崎芳久 , 笹子佳孝 , 森川貴博 , 木下勝治
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
摘要：減低具備包含相變化材料之記錄層的非揮發性記憶體之改寫電流,提升信賴性。在記錄層與加熱記錄層用的加熱層之間設置熱傳導層。熱傳導層之熱傳導率,係大於記錄層及加熱層。因為改寫電流而產生於加熱層之焦耳熱,可以藉由熱傳導層而朝和記錄層平行之方向擴散,記錄層可以同樣被加熱。結果,記錄層之周邊部可以有效加熱,可減低改寫電流。另外，藉由改寫電流之減低,記錄層中心部不會被加熱至必要以上,可提升記憶體之信賴性。
简体摘要：减低具备包含相变化材料之记录层的非挥发性内存之改写电流,提升信赖性。在记录层与加热记录层用的加热层之间设置热传导层。热传导层之热传导率,系大于记录层及加热层。因为改写电流而产生于加热层之焦耳热,可以借由热传导层而朝和记录层平行之方向扩散,记录层可以同样被加热。结果,记录层之周边部可以有效加热,可减低改写电流。另外，借由改写电流之减低,记录层中心部不会被加热至必要以上,可提升内存之信赖性。

7. 发明专利

TW201007941A 非揮發性記憶裝置及其製造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201007941A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098112705
申请日：2009-04-16
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：木下勝治 , 世子佳孝 , 高浦則克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要：本發明於包含相變記憶體之非揮發性記憶裝置中，提供一種可實現即便使相變材料變成高溫，二極體仍不易變成高溫之記憶胞構造的技術，該相變記憶體係藉由組合有由相變材料所組成之記憶元件與由二極體所組成之選擇元件之交叉點型記憶胞而構成。於沿著第1方向延伸之複數第1金屬布線2與沿著與第1方向正交之第2方向延伸之複數第3金屬布線9之交點，配置藉由由相變材料7所組成之記憶元件及由疊層構造之二極體所組成的選擇元件而構成之記憶胞，該疊層構造係第1多晶矽膜3、第2多晶矽膜4及第3多晶矽膜5之疊層構造；於鄰接之選擇元件之間及鄰接之記憶元件之間形成層間膜(例如第2層間膜11)，於設置於鄰接之記憶元件之間之層間膜形成空隙(例如空隙12b)。
简体摘要：本发明于包含相变内存之非挥发性记忆设备中，提供一种可实现即便使相变材料变成高温，二极管仍不易变成高温之记忆胞构造的技术，该相变内存系借由组合有由相变材料所组成之记忆组件与由二极管所组成之选择组件之交叉点型记忆胞而构成。于沿着第1方向延伸之复数第1金属布线2与沿着与第1方向正交之第2方向延伸之复数第3金属布线9之交点，配置借由由相变材料7所组成之记忆组件及由叠层构造之二极管所组成的选择组件而构成之记忆胞，该叠层构造系第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5之叠层构造；于邻接之选择组件之间及邻接之记忆组件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，于设置于邻接之记忆组件之间之层间膜形成空隙(例如空隙12b)。

8. 发明专利

TW201003846A 非揮發性記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201003846A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098101929
申请日：2009-01-19
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：木下勝治 , 寺尾元康 , 松岡秀行 , 世子佳孝 , 木村嘉伸 , 島明生 , 田井光春 , 高浦則克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要：在相變化記憶體中，使用於選擇元件之二極體之電性特性係極為重要。然而，在使用多晶矽之二極體中於膜中存在結晶粒界，因此會有斷開洩漏特性之差異變大，而難以防止誤讀出之問題。為了達成上述目的，本發明係提供一種在進行非晶矽之結晶化及活性化之雷射退火中，調控矽之溫度分佈特性，而控制結晶粒界之方法。藉由使用本發明，二極體之電性特性之差異變少，而可提升相變化記憶體之良率。
简体摘要：在相变化内存中，使用于选择组件之二极管之电性特性系极为重要。然而，在使用多晶硅之二极管中于膜中存在结晶粒界，因此会有断开泄漏特性之差异变大，而难以防止误读出之问题。为了达成上述目的，本发明系提供一种在进行非晶硅之结晶化及活性化之激光退火中，调控硅之温度分布特性，而控制结晶粒界之方法。借由使用本发明，二极管之电性特性之差异变少，而可提升相变化内存之良率。

9. 发明专利

TW201138174A 半導體記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201138174A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099142631
申请日：2010-12-07
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：笹子佳孝 , 島明生 , 半澤悟 , 小林孝 , 木下勝治 , 高浦則克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/1666 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要：關於半導體記憶裝置及其製造方法,實現利用電阻變化材料之記憶體之位元成本之減低。具有:基板;設於基板上方之第1字元線(2);第1積層體,係於基板之高度方向,使N+1層(N≧1)之第1閘極間絕緣層(11-15)與N層之第1半導體層(21p-24p)交互予以積層而成,設於較第1字元線(2)更上方;延伸於第1字元線(2)之交叉方向,較積層體更上方的第1位元線(3);第1閘極絕緣層(9),設於N+1層之第1閘極間絕緣層(11-15)之側面以及N層之上述第1半導體層(21p-24p)之側面;第1閘極絕緣層(9)之側面之第1通道層(8p);及第1通道層側面之第1電阻變化材料層(7);第1電阻變化材料層(7),係設於第1字元線(2)與第1位元線(3)之交叉區域。另外,選擇元件係使用多晶矽二極體(PD)。
简体摘要：关于半导体记忆设备及其制造方法,实现利用电阻变化材料之内存之比特成本之减低。具有:基板;设于基板上方之第1字符线(2);第1积层体,系于基板之高度方向,使N+1层(N≧1)之第1闸极间绝缘层(11-15)与N层之第1半导体层(21p-24p)交互予以积层而成,设于较第1字符线(2)更上方;延伸于第1字符线(2)之交叉方向,较积层体更上方的第1比特线(3);第1闸极绝缘层(9),设于N+1层之第1闸极间绝缘层(11-15)之侧面以及N层之上述第1半导体层(21p-24p)之侧面;第1闸极绝缘层(9)之侧面之第1信道层(8p);及第1信道层侧面之第1电阻变化材料层(7);第1电阻变化材料层(7),系设于第1字符线(2)与第1比特线(3)之交叉区域。另外,选择组件系使用多晶硅二极管(PD)。

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