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    • 4. 发明专利
    • 非揮發性記憶裝置及其製造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    • 非挥发性记忆设备及其制造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    • TW201007941A
    • 2010-02-16
    • TW098112705
    • 2009-04-16
    • 日立製作所股份有限公司
    • 木下勝治世子佳孝高浦則克
    • H01L
    • H01L45/144G11C11/5678G11C13/0004G11C2213/72H01L27/2409H01L27/2481H01L45/06H01L45/1233H01L45/1293H01L45/1675Y10S438/90
    • 本發明於包含相變記憶體之非揮發性記憶裝置中,提供一種可實現即便使相變材料變成高溫,二極體仍不易變成高溫之記憶胞構造的技術,該相變記憶體係藉由組合有由相變材料所組成之記憶元件與由二極體所組成之選擇元件之交叉點型記憶胞而構成。於沿著第1方向延伸之複數第1金屬布線2與沿著與第1方向正交之第2方向延伸之複數第3金屬布線9之交點,配置藉由由相變材料7所組成之記憶元件及由疊層構造之二極體所組成的選擇元件而構成之記憶胞,該疊層構造係第1多晶矽膜3、第2多晶矽膜4及第3多晶矽膜5之疊層構造;於鄰接之選擇元件之間及鄰接之記憶元件之間形成層間膜(例如第2層間膜11),於設置於鄰接之記憶元件之間之層間膜形成空隙(例如空隙12b)。
    • 本发明于包含相变内存之非挥发性记忆设备中,提供一种可实现即便使相变材料变成高温,二极管仍不易变成高温之记忆胞构造的技术,该相变内存系借由组合有由相变材料所组成之记忆组件与由二极管所组成之选择组件之交叉点型记忆胞而构成。于沿着第1方向延伸之复数第1金属布线2与沿着与第1方向正交之第2方向延伸之复数第3金属布线9之交点,配置借由由相变材料7所组成之记忆组件及由叠层构造之二极管所组成的选择组件而构成之记忆胞,该叠层构造系第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5之叠层构造;于邻接之选择组件之间及邻接之记忆组件之间形成层间膜(例如第2层间膜11),于设置于邻接之记忆组件之间之层间膜形成空隙(例如空隙12b)。