专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI400771B 非揮發性記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI400771B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098101929
申请日：2009-01-19
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 寺尾元康 , TERAO, MOTOYASU , 松岡秀行 , MATSUOKA, HIDEYUKI , 世子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 木村嘉伸 , KIMURA, YOSHINOBU , 島明生 , SHIMA, AKIO , 田井光春 , TAI, MITSUHARU , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675

2. 发明专利

TWI400797B 非揮發性記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI400797B
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW098112705
申请日：2009-04-16
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：木下勝治 , KINOSHITA, MASAHARU , 世子佳孝 , SASAGO, YOSHITAKA , 高浦則克 , TAKAURA, NORIKATSU
IPC分类号： H01L27/24 , H01L45/00
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90

3. 发明专利

TW201001693A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201001693A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098101094
申请日：2009-01-13
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：黑土健三 , 寺尾元康 , 高浦則克 , 藤崎芳久 , 小埜和夫 , 世子佳孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/085 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要：本發明之課題為由於對固體電解質記憶體反覆進行重寫將使固體電解質中之離子A量及電極之形狀變化，故難以進行穩定之重寫。本發明之解決方法為提供一種藉由固體電解質層之電阻變化記憶資訊或使電路連接變化之半導體裝置，其使固體電解質層成為例如Cu-Ta-S，且使與其鄰接或接近之離子供給層成為Cu-Ta-O之組成，藉由從離子供給層供給之離子於固體電解質層內形成導電路徑，可根據電阻之高低記憶資訊，且藉由施加電性脈衝使電阻變化。上述離子供給層為具有如Cu-Ta-O=1：2：6之組成比的結晶，可穩定進行重寫動作。
简体摘要：本发明之课题为由于对固体电解质内存反复进行重写将使固体电解质中之离子A量及电极之形状变化，故难以进行稳定之重写。本发明之解决方法为提供一种借由固体电解质层之电阻变化记忆信息或使电路连接变化之半导体设备，其使固体电解质层成为例如Cu-Ta-S，且使与其邻接或接近之离子供给层成为Cu-Ta-O之组成，借由从离子供给层供给之离子于固体电解质层内形成导电路径，可根据电阻之高低记忆信息，且借由施加电性脉冲使电阻变化。上述离子供给层为具有如Cu-Ta-O=1：2：6之组成比的结晶，可稳定进行重写动作。

4. 发明专利

TW201007941A 非揮發性記憶裝置及其製造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201007941A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098112705
申请日：2009-04-16
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：木下勝治 , 世子佳孝 , 高浦則克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要：本發明於包含相變記憶體之非揮發性記憶裝置中，提供一種可實現即便使相變材料變成高溫，二極體仍不易變成高溫之記憶胞構造的技術，該相變記憶體係藉由組合有由相變材料所組成之記憶元件與由二極體所組成之選擇元件之交叉點型記憶胞而構成。於沿著第1方向延伸之複數第1金屬布線2與沿著與第1方向正交之第2方向延伸之複數第3金屬布線9之交點，配置藉由由相變材料7所組成之記憶元件及由疊層構造之二極體所組成的選擇元件而構成之記憶胞，該疊層構造係第1多晶矽膜3、第2多晶矽膜4及第3多晶矽膜5之疊層構造；於鄰接之選擇元件之間及鄰接之記憶元件之間形成層間膜(例如第2層間膜11)，於設置於鄰接之記憶元件之間之層間膜形成空隙(例如空隙12b)。
简体摘要：本发明于包含相变内存之非挥发性记忆设备中，提供一种可实现即便使相变材料变成高温，二极管仍不易变成高温之记忆胞构造的技术，该相变内存系借由组合有由相变材料所组成之记忆组件与由二极管所组成之选择组件之交叉点型记忆胞而构成。于沿着第1方向延伸之复数第1金属布线2与沿着与第1方向正交之第2方向延伸之复数第3金属布线9之交点，配置借由由相变材料7所组成之记忆组件及由叠层构造之二极管所组成的选择组件而构成之记忆胞，该叠层构造系第1多晶硅膜3、第2多晶硅膜4及第3多晶硅膜5之叠层构造；于邻接之选择组件之间及邻接之记忆组件之间形成层间膜(例如第2层间膜11)，于设置于邻接之记忆组件之间之层间膜形成空隙(例如空隙12b)。

5. 发明专利

TW201003846A 非揮發性記憶裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：非挥发性记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201003846A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098101929
申请日：2009-01-19
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：木下勝治 , 寺尾元康 , 松岡秀行 , 世子佳孝 , 木村嘉伸 , 島明生 , 田井光春 , 高浦則克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要：在相變化記憶體中，使用於選擇元件之二極體之電性特性係極為重要。然而，在使用多晶矽之二極體中於膜中存在結晶粒界，因此會有斷開洩漏特性之差異變大，而難以防止誤讀出之問題。為了達成上述目的，本發明係提供一種在進行非晶矽之結晶化及活性化之雷射退火中，調控矽之溫度分佈特性，而控制結晶粒界之方法。藉由使用本發明，二極體之電性特性之差異變少，而可提升相變化記憶體之良率。
简体摘要：在相变化内存中，使用于选择组件之二极管之电性特性系极为重要。然而，在使用多晶硅之二极管中于膜中存在结晶粒界，因此会有断开泄漏特性之差异变大，而难以防止误读出之问题。为了达成上述目的，本发明系提供一种在进行非晶硅之结晶化及活性化之激光退火中，调控硅之温度分布特性，而控制结晶粒界之方法。借由使用本发明，二极管之电性特性之差异变少，而可提升相变化内存之良率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式