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1. 发明专利

TW529130B 半導體積體電路裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体集成电路设备及其制造方法
公开(公告)号：TW529130B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW090118891
申请日：2001-08-02
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：飯島晉平 , 大路讓 , 國友正人 , 平谷正彥 , 松井裕一 , 太田裕之 , 熊谷幸博
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02183 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31637 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/60 , H01L28/91
摘要：本發明之課題在於防止在氧氣氣氛中熱處理形成於 DRAM的電容元件的下部電極上之介電質膜時，透過下部電極的氧氣使障壁層氧化，而形成高電阻、低介電率的氧化物層之問題。
本發明之解決手段為：在被形成於資訊蓄積用電容元件C的下部電極28的下部之貫孔19內之插銷22表面被形成矽化釕層25，在矽化釕層25的表面進而被形成氮化矽釕層26。在下部電極28上形成介電質膜29的工程所進行的在氧氣氣氛中之高溫熱處理時，氮化矽釕層26被犧牲性氧化成為氮化矽氧釕，防止矽化釕層25之氧化。
简体摘要：本发明之课题在于防止在氧气气氛中热处理形成于 DRAM的电容组件的下部电极上之介电质膜时，透过下部电极的氧气使障壁层氧化，而形成高电阻、低介电率的氧化物层之问题。本发明之解决手段为：在被形成于信息蓄积用电容组件C的下部电极28的下部之贯孔19内之插销22表面被形成硅化钌层25，在硅化钌层25的表面进而被形成氮化硅钌层26。在下部电极28上形成介电质膜29的工程所进行的在氧气气氛中之高温热处理时，氮化硅钌层26被牺牲性氧化成为氮化硅氧钌，防止硅化钌层25之氧化。

2. 发明专利

TW343376B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW343376B
公开(公告)日：1998-10-21
申请号：TW086110808
申请日：1997-07-29
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：三木浩史 , 平谷正彥 , 松井裕一 , 鳥居和功 , 櫛田惠子
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/40
摘要：本發明係有關將氧化物介電質呈電容器之半導體裝置及其製造方法，以抑制電容器下部電極之界面氧化者。經下部電極層１１，該上之導電性氧化物層１６、該上部之上部電極層１７，構成氧化物介電質電容器者。下部電極１１係包含２層導電性氧化物層１２，此鄰接２層１４和１５係自同一結晶構造及元素所構成。基板側１０之層１４係包含缺氧。包含缺氧之導電性氧化物層１４則做為擴散防止層加以工作之故，鄰接此之下部電極的構成要素１３及該界面係抑挖氧化，保障良好之電氣性接觸。
简体摘要：本发明系有关将氧化物介电质呈电容器之半导体设备及其制造方法，以抑制电容器下部电极之界面氧化者。经下部电极层１１，该上之导电性氧化物层１６、该上部之上部电极层１７，构成氧化物介电质电容器者。下部电极１１系包含２层导电性氧化物层１２，此邻接２层１４和１５系自同一结晶构造及元素所构成。基板侧１０之层１４系包含缺氧。包含缺氧之导电性氧化物层１４则做为扩散防止层加以工作之故，邻接此之下部电极的构成要素１３及该界面系抑挖氧化，保障良好之电气性接触。

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