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1. 发明专利

TWI492307B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI492307B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101123387
申请日：2012-06-29
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 嶋田敏也 , SHIMADA, TOSHIYA , 篠崎賢次 , SHINOZAKI, KENJI , 天野富大 , AMANO, TOMIHIRO , 蘆原洋司 , ASHIHARA, HIROSHI , 野內英博 , YANAI, HIDEHIRO , 三宅正浩 , MIYAKE, MASAHIRO , 檜山真 , HIYAMA, SHIN
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/481 , F27B5/14 , F27B17/0025 , F27D2009/0056 , H01L21/324 , H05B3/0047 , H05B3/08

2. 发明专利

TW201802941A 基板處理裝置、溫度測定單元及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：基板处理设备、温度测定单元及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201802941A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106105733
申请日：2017-02-21
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 檜山真 , HIYAMA, SHIN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/683 , G01K1/14
CPC分类号： G01K1/14 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H01L21/683
摘要：本案發明之課題係提供一種無關基板之成膜狀態，皆可簡單地提高基板之溫度測定之精度的技術。本案發明之技術手段係提供一種基板處理裝置，其具備：基板載置部，其具有載置面，且於該載置面載置基板；加熱部，其加熱載置於載置面之基板；及溫度感測器，其可彈性變形且前端構成溫度檢測部，且溫度感測器係自載置面之下方延伸至載置面之上方，前端自載置面突出。此外，進行一種半導體裝置之製造方法，其具備以下之步驟：將基板載置於基板載置部之載置面，且使朝載置面上突出之溫度感測器之前端接觸於基板背面，將前端朝較載置面下方按壓，而使溫度感測器彈性變形；加熱基板；及使用溫度感測器測定基板之溫度。
简体摘要：本案发明之课题系提供一种无关基板之成膜状态，皆可简单地提高基板之温度测定之精度的技术。本案发明之技术手段系提供一种基板处理设备，其具备：基板载置部，其具有载置面，且于该载置面载置基板；加热部，其加热载置于载置面之基板；及温度传感器，其可弹性变形且前端构成温度检测部，且温度传感器系自载置面之下方延伸至载置面之上方，前端自载置面突出。此外，进行一种半导体设备之制造方法，其具备以下之步骤：将基板载置于基板载置部之载置面，且使朝载置面上突出之温度传感器之前端接触于基板背面，将前端朝较载置面下方按压，而使温度传感器弹性变形；加热基板；及使用温度传感器测定基板之温度。

3. 发明专利

TW201721743A 基板處理系統、半導體裝置之製造方法、程式及記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理系统、半导体设备之制造方法、进程及记录媒体
公开(公告)号：TW201721743A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105129769
申请日：2016-09-13
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 松井俊 , MATSUI, SHUN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/22 , H01L21/324 , H01L21/02 , C23C14/54 , C23C16/44 , C23C16/46
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4408 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/54
摘要：本發明抑制因處理室之狀況而發生流體供給裝置內之流體之溫度變動之情形。本發明之基板處理裝置具有：處理室，於其中對基板進行處理；流體供給部，其向處理室供給既定溫度之流體；流體供給管，其自流體供給部向處理室供給流體；第1流體排出管，其將流體自處理室向流體供給部排出；第2流體排出管，其設置有熱交換部，且將流體自流體供給管向流體供給部排出；流路切換部，其設置於流體供給管與第2流體排出管之連接部；以及控制部，其連接於流體供給部及流路切換部。
简体摘要：本发明抑制因处理室之状况而发生流体供给设备内之流体之温度变动之情形。本发明之基板处理设备具有：处理室，于其中对基板进行处理；流体供给部，其向处理室供给既定温度之流体；流体供给管，其自流体供给部向处理室供给流体；第1流体排出管，其将流体自处理室向流体供给部排出；第2流体排出管，其设置有热交换部，且将流体自流体供给管向流体供给部排出；流路切换部，其设置于流体供给管与第2流体排出管之连接部；以及控制部，其连接于流体供给部及流路切换部。

4. 外观设计

TWD191014S 基板溫度測定組件有权
简体标题：基板温度测定组件
公开(公告)号：TWD191014S
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105302268
申请日：2016-04-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI

5. 发明专利

TWI508128B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI508128B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW103106771
申请日：2014-02-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：野內英博 , YANAI, HIDEHIRO , 檜山真 , HIYAMA, SHIN , 嶋田敏也 , SHIMADA, TOSHIYA , 油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明专利

TWI633602B 基板處理裝置、溫度測定單元及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备、温度测定单元及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI633602B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：TW106105733
申请日：2017-02-21
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 檜山真 , HIYAMA, SHIN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , H01L21/683 , G01K1/14

7. 发明专利

TW201503215A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201503215A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW103106771
申请日：2014-02-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：野內英博 , YANAI, HIDEHIRO , 檜山真 , HIYAMA, SHIN , 嶋田敏也 , SHIMADA, TOSHIYA , 油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI
IPC分类号： H01J37/32
摘要：使在處理標的物的被處理面內之電漿處理的均勻性提升，或使在處理標的物間之電漿處理的均勻性提升。具有：對於處理標的物進行處理之處理容器；對於處理容器內將處理氣體作供應的供氣系統；對於處理容器內作排氣的排氣系統；設於處理容器的外側，生成供應於處理容器內之處理氣體的電漿之電漿生成部；設於至少處理容器與電漿生成部之間，使調溫氣體沿著處理容器的外壁而流動的流路；開設於處理容器的圓周方向，對於流路將溫度調整氣體作導入的導入孔；以及將流動於流路之溫度調整氣體作排出的排出孔。
简体摘要：使在处理标的物的被处理面内之等离子处理的均匀性提升，或使在处理标的物间之等离子处理的均匀性提升。具有：对于处理标的物进行处理之处理容器；对于处理容器内将处理气体作供应的供气系统；对于处理容器内作排气的排气系统；设于处理容器的外侧，生成供应于处理容器内之处理气体的等离子之等离子生成部；设于至少处理容器与等离子生成部之间，使调温气体沿着处理容器的外壁而流动的流路；开设于处理容器的圆周方向，对于流路将温度调整气体作导入的导入孔；以及将流动于流路之温度调整气体作排出的排出孔。

8. 发明专利

TWI447839B 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：基板处理设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI447839B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100100797
申请日：2011-01-10
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI-KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 島田真一 , SHIMADA, MASAKAZU , 守田修 , MORITA, OSAMU
IPC分类号： H01L21/677

9. 外观设计

TWD191013S 基板溫度測定組件有权
简体标题：基板温度测定组件
公开(公告)号：TWD191013S
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105302267
申请日：2016-04-27
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
设计人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI

10. 发明专利

TW201812907A 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式审中-公开
简体标题：基板处理设备、半导体设备之制造方法及进程
公开(公告)号：TW201812907A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106119983
申请日：2017-06-15
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：油谷幸則 , ABURATANI, YUKINORI , 檜山真 , HIYAMA, SHIN , 竹田剛 , TAKEDA, TSUYOSHI , 大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316 , C23C16/52 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/45527 , C23C16/45529 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明之課題在於在重複相異處理而對膜進行處理之方法中，半導體裝置之生產性低的問題。為了解決上述課題，本發明提供一種技術，其具有：對基板進行處理之處理容器；對上述處理容器供給氣體的氣體供給部；控制上述基板之溫度的溫度控制部；與裝置控制部，其進行控制而進行下述處理：使上述溫度控制部將上述基板維持於第一溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成第1層之處理；使上述溫度控制部將上述基板維持為與上述第一溫度相異之第二溫度，並且使上述氣體供給部對上述處理容器供給氣體，而形成與上述第一層相異之第二層之處理。
简体摘要：本发明之课题在于在重复相异处理而对膜进行处理之方法中，半导体设备之生产性低的问题。为了解决上述课题，本发明提供一种技术，其具有：对基板进行处理之处理容器；对上述处理容器供给气体的气体供给部；控制上述基板之温度的温度控制部；与设备控制部，其进行控制而进行下述处理：使上述温度控制部将上述基板维持于第一温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成第1层之处理；使上述温度控制部将上述基板维持为与上述第一温度相异之第二温度，并且使上述气体供给部对上述处理容器供给气体，而形成与上述第一层相异之第二层之处理。

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