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1. 发明专利

TW201639030A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201639030A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW105122906
申请日：2010-07-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67259
摘要：提供可使處理結果所獲得之形狀變動較少的電漿處理裝置或電漿處理方法。電漿處理裝置，係具備：處理室，被配置於真空容器內部；試料台，被配置於該處理室下部，其上面載置有處理對象晶圓；排氣裝置，用於對上述處理室內部進行排氣、減壓；及導入孔，被配置於上述試料台上方，用於對上述處理室導入處理用氣體；藉由使用上述處理用氣體所形成之電漿，對配置於上述晶圓上面的膜構造進行蝕刻處理者；上述膜構造係構成為在基板上具有阻劑膜、遮罩膜、多晶矽膜以及絕緣膜者；於將上述晶圓載置於上述試料台上而對配置於上述遮罩膜下方之多晶矽膜進行蝕刻之前，係於上述處理室內形成電漿，而在該處理室內部之構件表面進行以含有Si成份之披膜予以披覆的工程。
简体摘要：提供可使处理结果所获得之形状变动较少的等离子处理设备或等离子处理方法。等离子处理设备，系具备：处理室，被配置于真空容器内部；试料台，被配置于该处理室下部，其上面载置有处理对象晶圆；排气设备，用于对上述处理室内部进行排气、减压；及导入孔，被配置于上述试料台上方，用于对上述处理室导入处理用气体；借由使用上述处理用气体所形成之等离子，对配置于上述晶圆上面的膜构造进行蚀刻处理者；上述膜构造系构成为在基板上具有阻剂膜、遮罩膜、多晶硅膜以及绝缘膜者；于将上述晶圆载置于上述试料台上而对配置于上述遮罩膜下方之多晶硅膜进行蚀刻之前，系于上述处理室内形成等离子，而在该处理室内部之构件表面进行以含有Si成份之披膜予以披覆的工程。

2. 发明专利

TW201432813A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201432813A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148735
申请日：2010-07-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67259
摘要：提供可使處理結果所獲得之形狀變動較少的電漿處理裝置或電漿處理方法。電漿處理裝置，係具備：處理室，被配置於真空容器內部；試料台，被配置於該處理室下部，其上面載置有處理對象晶圓；排氣裝置，用於對上述處理室內部進行排氣、減壓；及導入孔，被配置於上述試料台上方，用於對上述處理室導入處理用氣體；藉由使用上述處理用氣體所形成之電漿，對配置於上述晶圓上面的膜構造進行蝕刻處理者；上述膜構造係構成為在基板上具有阻劑膜、遮罩膜、多晶矽膜以及絕緣膜者；於將上述晶圓載置於上述試料台上而對配置於上述遮罩膜下方之多晶矽膜進行蝕刻之前，係於上述處理室內形成電漿，而在該處理室內部之構件表面進行以含有Si成份之披膜予以披覆的工程。
简体摘要：提供可使处理结果所获得之形状变动较少的等离子处理设备或等离子处理方法。等离子处理设备，系具备：处理室，被配置于真空容器内部；试料台，被配置于该处理室下部，其上面载置有处理对象晶圆；排气设备，用于对上述处理室内部进行排气、减压；及导入孔，被配置于上述试料台上方，用于对上述处理室导入处理用气体；借由使用上述处理用气体所形成之等离子，对配置于上述晶圆上面的膜构造进行蚀刻处理者；上述膜构造系构成为在基板上具有阻剂膜、遮罩膜、多晶硅膜以及绝缘膜者；于将上述晶圆载置于上述试料台上而对配置于上述遮罩膜下方之多晶硅膜进行蚀刻之前，系于上述处理室内形成等离子，而在该处理室内部之构件表面进行以含有Si成份之披膜予以披覆的工程。

3. 发明专利

TWI442468B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI442468B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW098105258
申请日：2009-02-19
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 廣田侯然 , HIROTA, KOSA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31122

4. 发明专利

TWI559395B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI559395B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW102148735
申请日：2010-07-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67259

5. 发明专利

TW201604919A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201604919A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104105332
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 北田裕穂 , KITADA, HIROHO , 木原秀樹 , KIHARA, HIDEKI , 楠本広則 , KUSUMOTO, HIRONORI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 高妻豊 , KOZUMA, YUTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32834
摘要：本發明的課題是在於提供一種使處理的良品率提升的電漿處理裝置或電漿處理方法。其解決手段係一種電漿處理裝置，其係具備：試料台，其係配置於真空容器內部，配置於形成有電漿的處理室內，具有用以載置利用前述電漿來處理的晶圓之載置面；排氣泵，其係使連結至前述處理室內的試料台的下方所配置的排氣口而配置；及調節機，其係調節來自前述排氣口的排氣量，其特徵為：在切換第1處理步驟及第2處理步驟而將該等重複而實施之前述晶圓的處理中，前述調節機係將前述處理室內的壓力調節成預定的值，該第1處理步驟係於前述處理室內，一面從前述載置面的上方供給第1處理用氣體，一面從前述載置面的下方供給第2處理用氣體，利用前述第1處理用氣體來處理前述晶圓；該第2處理步驟係於前述處理室內，一面從前述載置面的上方供給第2處理用氣體，一面從前述載置面的下方供給第1處理用氣體，利用前述第2處理用氣體來處理前述晶圓。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种使处理的良品率提升的等离子处理设备或等离子处理方法。其解决手段系一种等离子处理设备，其系具备：试料台，其系配置于真空容器内部，配置于形成有等离子的处理室内，具有用以载置利用前述等离子来处理的晶圆之载置面；排气泵，其系使链接至前述处理室内的试料台的下方所配置的排气口而配置；及调节机，其系调节来自前述排气口的排气量，其特征为：在切换第1处理步骤及第2处理步骤而将该等重复而实施之前述晶圆的处理中，前述调节机系将前述处理室内的压力调节成预定的值，该第1处理步骤系于前述处理室内，一面从前述载置面的上方供给第1处理用气体，一面从前述载置面的下方供给第2处理用气体，利用前述第1处理用气体来处理前述晶圆；该第2处理步骤系于前述处理室内，一面从前述载置面的上方供给第2处理用气体，一面从前述载置面的下方供给第1处理用气体，利用前述第2处理用气体来处理前述晶圆。

6. 发明专利

TWI430361B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI430361B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW099125079
申请日：2010-07-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67259

7. 发明专利

TWI673759B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI673759B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW107101773
申请日：2018-01-18
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：園田靖 , SONODA, YASUSHI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 山本浩一 , YAMAMOTO, KOICHI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H01J37/147

8. 发明专利

TWI672742B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI672742B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106133314
申请日：2017-09-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 園田靖 , SONODA, YASUSHI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32

9. 发明专利

TWI592979B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI592979B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104105332
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 北田裕穂 , KITADA, HIROHO , 木原秀樹 , KIHARA, HIDEKI , 楠本広則 , KUSUMOTO, HIRONORI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 高妻豊 , KOZUMA, YUTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32834

10. 发明专利

TWI406334B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI406334B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：TW096103873
申请日：2007-02-02
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：高橋主人 , TAKAHASHI, KAZUE , 田村仁 , TAMURA, HITOSHI , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 吉開元彥 , YOSHIGAI, MOTOHIKO
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/513 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32834 , H01J37/32862

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