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1. 发明专利

TWI485771B 半導體加工方法失效
简体标题：半导体加工方法
公开(公告)号：TWI485771B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW097129876
申请日：2008-08-06
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小野哲郎 , ONO, TETSUO , 齊藤剛 , SAITO, GO
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/02071 , H01L21/28123 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517

2. 发明专利

TW201001535A 半導體加工方法失效
简体标题：半导体加工方法
公开(公告)号：TW201001535A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW097129876
申请日：2008-08-06
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：小野哲郎 , 齊藤剛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/02071 , H01L21/28123 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/517
摘要：本發明之課題為在高介電常數絕緣膜上沈積有工作函數控制金屬導體之構造的半導體中，在不會使元件劣化的情形下施行微細加工。具有形成在半導體基板(101)上之含有Hf或Zr的絕緣膜(102)、及形成在該絕緣膜上之含有Ti或Ta或Ru的導體膜(103)，使用形成在該導體膜上的光阻劑(107)，在電漿環境中對前述導體膜進行加工的半導體加工方法中，將前述光阻劑(107)在含氫而未含氧的氣體的電漿環境中去除。
简体摘要：本发明之课题为在高介电常数绝缘膜上沉积有工作函数控制金属导体之构造的半导体中，在不会使组件劣化的情形下施行微细加工。具有形成在半导体基板(101)上之含有Hf或Zr的绝缘膜(102)、及形成在该绝缘膜上之含有Ti或Ta或Ru的导体膜(103)，使用形成在该导体膜上的光阻剂(107)，在等离子环境中对前述导体膜进行加工的半导体加工方法中，将前述光阻剂(107)在含氢而未含氧的气体的等离子环境中去除。

3. 发明专利

TW201004486A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201004486A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW097129875
申请日：2008-08-06
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：岩越丈尚 , 齊藤剛
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32935 , H01J37/3299
摘要：本發明之課題在於提供使電漿處理室的溫度正確地為特定的狀態，使電漿處理之特性保持於一定，可以實施高精度的電漿處理之電漿處理裝置。作為解決手段之電漿處理裝置，係於在電漿處理室（1）內將被處理物（w）進行電漿處理之電漿處理裝置，具備：將電漿處理室（1）內部的溫度與電漿產生條件賦予關連性而儲存之資料庫（25），及儲存來自資料庫（25）的電漿處理室（1）內部的溫度與電漿產生條件之相關式的模型儲存部（26），及具備進行相關式的製作以及最佳的電漿產生條件之算出的演算部（24）之計算機（21）；監視電漿處理的狀態之製程監視器（31），及把製程監視器輸出之值與電漿處理室的溫度賦予關連性而儲存於資料庫（25），計算機（21）算出使電漿處理室的溫度成為約略一定的方式的電漿處理條件，根據此而進行電漿處理之電漿處理裝置。
简体摘要：本发明之课题在于提供使等离子处理室的温度正确地为特定的状态，使等离子处理之特性保持于一定，可以实施高精度的等离子处理之等离子处理设备。作为解决手段之等离子处理设备，系于在等离子处理室（1）内将被处理物（w）进行等离子处理之等离子处理设备，具备：将等离子处理室（1）内部的温度与等离子产生条件赋予关连性而存储之数据库（25），及存储来自数据库（25）的等离子处理室（1）内部的温度与等离子产生条件之相关式的模型存储部（26），及具备进行相关式的制作以及最佳的等离子产生条件之算出的演算部（24）之计算机（21）；监视等离子处理的状态之制程监视器（31），及把制程监视器输出之值与等离子处理室的温度赋予关连性而存储于数据库（25），计算机（21）算出使等离子处理室的温度成为约略一定的方式的等离子处理条件，根据此而进行等离子处理之等离子处理设备。

4. 发明专利

TWI512826B 乾蝕刻方法有权
简体标题：干蚀刻方法
公开(公告)号：TWI512826B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100127420
申请日：2011-08-02
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：市丸朋祥 , ICHIMARU, TOMOYOSHI , 桑原謙一 , KUWABARA, KENICHI , 齊藤剛 , SAITO, GO
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28079 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66545

5. 发明专利

TW201304010A 乾蝕刻方法审中-公开
简体标题：干蚀刻方法
公开(公告)号：TW201304010A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW100127420
申请日：2011-08-02
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：市丸朋祥 , ICHIMARU, TOMOYOSHI , 桑原謙一 , KUWABARA, KENICHI , 齊藤剛 , SAITO, GO
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28079 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66545
摘要：本發明提供乾蝕刻方法，其可在藉由虛擬材料之除去而形成之溝或孔容易設置頂部圓弧(top round)。本發明之乾蝕刻方法，係在層間氧化膜藉由除去包圍其周圍之虛擬材料而形成溝或孔者；其特徵為：蝕刻上述虛擬材料直至特定深度，於上述蝕刻後進行等向性蝕刻，等向性蝕刻後除去上述虛擬材料之殘部。
简体摘要：本发明提供干蚀刻方法，其可在借由虚拟材料之除去而形成之沟或孔容易设置顶部圆弧(top round)。本发明之干蚀刻方法，系在层间氧化膜借由除去包围其周围之虚拟材料而形成沟或孔者；其特征为：蚀刻上述虚拟材料直至特定深度，于上述蚀刻后进行等向性蚀刻，等向性蚀刻后除去上述虚拟材料之残部。

6. 发明专利

TW201203348A 電漿蝕刻方法审中-公开
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW201203348A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW099125078
申请日：2010-07-29
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：大隈一暢 , 河內昭人 , 桑原謙一 , 森本未知數 , 齊藤剛
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/31116 , H01L21/31138
摘要：於使用多層阻劑遮罩進行矽氧化膜等之電漿蝕刻之後，可以防止或抑制圖案破壞引起之線扭曲或條紋。本發明之電漿蝕刻方法，係使用多層阻劑遮罩進行被蝕刻膜之電漿蝕刻者，其特徵為：上述多層阻劑遮罩，係包含：上層阻劑、無機膜系中間膜以及下層阻劑；具有：側壁保護膜形成工程，用於在上述下層阻劑之側壁形成側壁保護膜。
简体摘要：于使用多层阻剂遮罩进行硅氧化膜等之等离子蚀刻之后，可以防止或抑制图案破坏引起之线扭曲或条纹。本发明之等离子蚀刻方法，系使用多层阻剂遮罩进行被蚀刻膜之等离子蚀刻者，其特征为：上述多层阻剂遮罩，系包含：上层阻剂、无机膜系中间膜以及下层阻剂；具有：侧壁保护膜形成工程，用于在上述下层阻剂之侧壁形成侧壁保护膜。

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