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1. 发明专利

TWI334174B 電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI334174B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW095131155
申请日：2006-08-24
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：宇根聰 , 坂口正道 , 桑原謙一 , 市丸朋祥
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0338 , H01L21/28123 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要：本發明之課題在於使用電漿蝕刻裝置對半導體基板進行配線加工之乾蝕刻方法，不發生配線之斷線或翹曲而進行配線加工。
本發明之解決手段為使用電漿蝕刻裝置對半導體基板進行配線加工之乾蝕刻方法，其特徵為：在使用由設在被蝕刻材12上的光阻15以及SiN、SiON、SiO等無機膜14、13所構成的遮罩圖案蝕刻前述被蝕刻材12的步驟，使用由含有氯的氣體或者是含有溴的氣體等鹵素系氣體，與CF4、CHF3、SF6、NF3所構成的含氟氣體之中至少一含氟氣體之混合氣體在被蝕刻材12的加工中使前述遮罩圖案與被蝕刻材的加工尺寸縮小化為相同程度。
简体摘要：本发明之课题在于使用等离子蚀刻设备对半导体基板进行配线加工之干蚀刻方法，不发生配线之断线或翘曲而进行配线加工。本发明之解决手段为使用等离子蚀刻设备对半导体基板进行配线加工之干蚀刻方法，其特征为：在使用由设在被蚀刻材12上的光阻15以及SiN、SiON、SiO等无机膜14、13所构成的遮罩图案蚀刻前述被蚀刻材12的步骤，使用由含有氯的气体或者是含有溴的气体等卤素系气体，与CF4、CHF3、SF6、NF3所构成的含氟气体之中至少一含氟气体之混合气体在被蚀刻材12的加工中使前述遮罩图案与被蚀刻材的加工尺寸缩小化为相同程度。

2. 发明专利

TW201041031A 乾蝕刻方法 DRY ETCHING METHOD 审中-公开
简体标题：干蚀刻方法 DRY ETCHING METHOD
公开(公告)号：TW201041031A
公开(公告)日：2010-11-16
申请号：TW098124871
申请日：2009-07-23
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：島剛志 , 桑原謙一 , 市丸朋祥 , 今本賢司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/02071 , H01L21/02115 , H01L21/02274
摘要：蝕刻多晶矽膜之後,藉由含碳電漿於多晶矽膜之側壁形成碳聚合物之保護膜,如此則,即使在藉由晶圓之高溫化、或處理壓力之低溫化來提升揮發性之蝕刻條件下,藉由鹵素系列氣體之電漿進行下層膜、亦即金屬材料之蝕刻處理時,亦可防止側壁蝕刻及側壁粗糙。另外,藉由該碳聚合物之保護膜,蝕刻金屬材料時飛散之金屬物質不會直接附著於多晶矽膜,因此可以藉由灰化工程簡單同時除去碳聚合物之保護壁。
简体摘要：蚀刻多晶硅膜之后,借由含碳等离子于多晶硅膜之侧壁形成碳聚合物之保护膜,如此则,即使在借由晶圆之高温化、或处理压力之低温化来提升挥发性之蚀刻条件下,借由卤素系列气体之等离子进行下层膜、亦即金属材料之蚀刻处理时,亦可防止侧壁蚀刻及侧壁粗糙。另外,借由该碳聚合物之保护膜,蚀刻金属材料时飞散之金属物质不会直接附着于多晶硅膜,因此可以借由灰化工程简单同时除去碳聚合物之保护壁。

3. 发明专利

TWI630655B 乾式蝕刻方法有权
简体标题：干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI630655B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105126381
申请日：2016-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 榎田修治 , ENOKIDA, SYUJI
IPC分类号： H01L21/3065

4. 发明专利

TW201721735A 乾式蝕刻方法审中-公开
简体标题：干式蚀刻方法
公开(公告)号：TW201721735A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105126381
申请日：2016-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 榎田修治 , ENOKIDA, SYUJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/32132 , H01L21/32137 , H01L29/785
摘要：本發明係提供一邊維持遮罩選擇比一邊電漿蝕刻成垂直形狀的乾式蝕刻方法。本發明係一種乾式蝕刻方法，其係一邊維持遮罩選擇比一邊電漿蝕刻成垂直形狀的乾式蝕刻方法，其特徵為：具有：第一工程，其係藉由使用反應性氣體將被蝕刻膜進行蝕刻，前述被蝕刻膜的蝕刻形狀成為裙襬形狀；及第二工程，其係在前述第一工程後，藉由濺鍍蝕刻，將前述裙襬形狀形成為垂直形狀。
简体摘要：本发明系提供一边维持遮罩选择比一边等离子蚀刻成垂直形状的干式蚀刻方法。本发明系一种干式蚀刻方法，其系一边维持遮罩选择比一边等离子蚀刻成垂直形状的干式蚀刻方法，其特征为：具有：第一工程，其系借由使用反应性气体将被蚀刻膜进行蚀刻，前述被蚀刻膜的蚀刻形状成为裙摆形状；及第二工程，其系在前述第一工程后，借由溅镀蚀刻，将前述裙摆形状形成为垂直形状。

5. 发明专利

TW201841247A 蝕刻方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201841247A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106125570
申请日：2017-07-28
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：松井都 , MATSUI, MIYAKO , 桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI , 伊澤勝 , IZAWA, MASARU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 大森健史 , OHMORI, TAKESHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32
摘要：本發明之課題在於提供於控制圖案上的過剩堆積膜厚的電漿蝕刻，可進行高精度的蝕刻之蝕刻方法及電漿處理裝置。本發明之解決手段之蝕刻方法，特徵為具有：使氣體吸附於被蝕刻材料表面而形成反應層之反應層形成步驟、在前述反應層形成步驟後，使前述反應層脫離之脫離步驟、除去反應層或堆積膜之除去步驟；藉由前述反應層形成步驟與前述脫離步驟，蝕刻前述被蝕刻材料表面。
简体摘要：本发明之课题在于提供于控制图案上的过剩堆积膜厚的等离子蚀刻，可进行高精度的蚀刻之蚀刻方法及等离子处理设备。本发明之解决手段之蚀刻方法，特征为具有：使气体吸附于被蚀刻材料表面而形成反应层之反应层形成步骤、在前述反应层形成步骤后，使前述反应层脱离之脱离步骤、除去反应层或堆积膜之除去步骤；借由前述反应层形成步骤与前述脱离步骤，蚀刻前述被蚀刻材料表面。

6. 发明专利

TWI512826B 乾蝕刻方法有权
简体标题：干蚀刻方法
公开(公告)号：TWI512826B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100127420
申请日：2011-08-02
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：市丸朋祥 , ICHIMARU, TOMOYOSHI , 桑原謙一 , KUWABARA, KENICHI , 齊藤剛 , SAITO, GO
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/28079 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66545

7. 发明专利

TWI404140B 乾蝕刻方法有权
简体标题：干蚀刻方法
公开(公告)号：TWI404140B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098124871
申请日：2009-07-23
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：島剛志 , SHIMA, TAKESHI , 桑原謙一 , KUWABARA, KENICHI , 市丸朋祥 , ICHIMARU, TOMOYOSHI , 今本賢司 , IMAMOTO, KENJI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/02071 , H01L21/02115 , H01L21/02274

8. 发明专利

TW202030798A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW202030798A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109103135
申请日：2020-02-03
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：松井都 , MATSUI, MIYAKO , 桑原謙一 , KUWAHARA, KENICHI , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 小林浩之 , KOBAYASHI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：本發明是在電漿蝕刻被成膜於試料的被蝕刻膜的電漿處理方法中，具有：保護膜形成工程，其係在被形成於試料的圖案的上部選擇性地形成保護膜，調整被形成的保護膜的寬度，而使此被形成的保護膜的寬度的試料的面內的分佈能夠成為所望的分佈；及在保護膜形成工程後，電漿蝕刻被蝕刻膜的工程。
简体摘要：本发明是在等离子蚀刻被成膜于试料的被蚀刻膜的等离子处理方法中，具有：保护膜形成工程，其系在被形成于试料的图案的上部选择性地形成保护膜，调整被形成的保护膜的宽度，而使此被形成的保护膜的宽度的试料的面内的分布能够成为所望的分布；及在保护膜形成工程后，等离子蚀刻被蚀刻膜的工程。

9. 发明专利

TWI360176B 乾式蝕刻方法失效
简体标题：干式蚀刻方法
公开(公告)号：TWI360176B
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW095130464
申请日：2006-08-18
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：桑原謙一 , 宇根聰 , 市丸朋祥 , 坂口正道 , 安井尚輝
IPC分类号： H01L , C23F
CPC分类号： H01L21/32137
摘要：本發明係提供一種降低因為過度蝕刻而降低Si基板的凹槽量，垂直加工閘極配線的乾式蝕刻方法。
該乾式蝕刻方法，係於閘極配線層12的主要蝕刻處理(b)之後，對半導體基板10進行過度蝕刻處理，而進行閘極配線加工，其係在包含HBr氣體的蝕刻氣體中，使用添加一般式為CxHy的氣體或CO、CO2氣體中至少一種的掺合氣體，來進行過度蝕刻處理(c)。
简体摘要：本发明系提供一种降低因为过度蚀刻而降低Si基板的凹槽量，垂直加工闸极配线的干式蚀刻方法。该干式蚀刻方法，系于闸极配线层12的主要蚀刻处理(b)之后，对半导体基板10进行过度蚀刻处理，而进行闸极配线加工，其系在包含HBr气体的蚀刻气体中，使用添加一般式为CxHy的气体或CO、CO2气体中至少一种的掺合气体，来进行过度蚀刻处理(c)。

10. 发明专利

TWI342046B 電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI342046B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：TW095129644
申请日：2006-08-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司
发明人：池上英治 , 幾原祥二 , 島田剛 , 桑原謙一 , 荒瀨高男 , 松本剛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32963 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32192 , H01J37/32917 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , H01J37/3299 , H01J2237/1825 , H01J2237/327 , H01L21/67069 , H01L21/67242 , H05H1/46
摘要：以具有泛用性之方法可以高精確度地判斷溼式洗淨後之陳化之終了。
電漿處理方法具備：電漿處理容器101，其具備天線電極102與在處理容器101內載置、保持試料的下部電極109；及對上述處理容器101內供給處理氣體的氣體供給裝置，及使處理容器內的氣體介由排氣閥115進行排氣的排氣泵116；對多數試料依序重複進行以下處理者：介由匹配器105對上述天線電極102供給高頻電力，於藉由磁場線圈107形成有磁場的上述處理容器101內產生電漿，而對上述下部電極109上載置之試料108施予電漿處理的處理；其特徵為：檢測出電漿處理中之處理容器101內壓力，檢測壓力隨電漿處理時間之增加而減少到達穩定值時，判斷為陳化之終了。
简体摘要：以具有泛用性之方法可以高精确度地判断湿式洗净后之陈化之终了。等离子处理方法具备：等离子处理容器101，其具备天线电极102与在处理容器101内载置、保持试料的下部电极109；及对上述处理容器101内供给处理气体的气体供给设备，及使处理容器内的气体介由排气阀115进行排气的排气泵116；对多数试料依序重复进行以下处理者：介由匹配器105对上述天线电极102供给高频电力，于借由磁场线圈107形成有磁场的上述处理容器101内产生等离子，而对上述下部电极109上载置之试料108施予等离子处理的处理；其特征为：检测出等离子处理中之处理容器101内压力，检测压力随等离子处理时间之增加而减少到达稳定值时，判断为陈化之终了。

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