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1. 发明专利

TW200746325A 凸塊形成方法 MANUFACTURE METHOD OF BUMP 审中-公开
简体标题：凸块形成方法 MANUFACTURE METHOD OF BUMP
公开(公告)号：TW200746325A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW095120081
申请日：2006-06-06
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN , 黃敏龍 HUANG, MIN-LUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11
摘要：一種凸塊形成方法。首先,提供一晶片。此晶片係具有一接墊及一凸塊下金屬層(Under-bump metallurgy layer,UBM layer),凸塊下金屬層形成於接墊上。接著,形成一奈米團銲料於凸塊下金屬層上。然後,利用一脈衝式雷射照射奈米團銲料,以迴銲奈米團銲料形成一凸塊。
简体摘要：一种凸块形成方法。首先,提供一芯片。此芯片系具有一接垫及一凸块下金属层(Under-bump metallurgy layer,UBM layer),凸块下金属层形成于接垫上。接着,形成一奈米团焊料于凸块下金属层上。然后,利用一脉冲式激光照射奈米团焊料,以回焊奈米团焊料形成一凸块。

2. 发明专利

TW200717829A 銲接凸塊結構及其製作方法 BUMPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：焊接凸块结构及其制作方法 BUMPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200717829A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW094136397
申请日：2005-10-18
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：曾琮彥 TSENG, TSUNG-YEN , 陳逸信 CHEN, YI-CHEN , 陳建汎 CHEN, CHIEN-FAN , 謝曉環 HSIEH, HSIAO-HUAN , 陳駿 CHEN, JIUNN , 黃敏龍 HUANG, MIN-LUNG
IPC分类号： H01L
摘要：一種形成銲接凸塊的方法。首先提供一基底,且該基底表面形成有一凸塊下金屬層(under bump metallurgy layer),然後形成至少一銲接凸塊於該凸塊下金屬層表面,接著覆蓋一有機保銲層(organic solderability preservative)於該銲接凸塊表面。
简体摘要：一种形成焊接凸块的方法。首先提供一基底,且该基底表面形成有一凸块下金属层(under bump metallurgy layer),然后形成至少一焊接凸块于该凸块下金属层表面,接着覆盖一有机保焊层(organic solderability preservative)于该焊接凸块表面。

3. 发明专利

TW200828522A 晶圓接合之可循環壓印裝置及可循環壓印製程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND 审中-公开
简体标题：晶圆接合之可循环压印设备及可循环压印制程 RECYCLABLE STAMP DEVICE AND RECYCLABLE STAMP PROCESS FOR WAFER BOND
公开(公告)号：TW200828522A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095149530
申请日：2006-12-28
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN , 王盟仁 WANG, MENG JEN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/50 , B81C1/00269 , B81C2201/0191 , H01L21/6835 , H01L23/10 , H01L23/544 , H01L2221/68359 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/00
摘要：一種可循環壓印裝置及可循環壓印製程。可循環壓印裝置包括一基底、一保護層、一堆疊結構及一封蓋。保護層係設置於基底上。一封蓋開口係位於保護層及基底,且封蓋開口係暴露出基底。堆疊結構包括一附著層、一應力控制層及一晶圓接合對準記號層。附著層係設置於保護層上及暴露之基底上。應力控制層係設置於附著層上。晶圓接合對準記號層係設置於應力控制層上。晶圓接合對準記號層具有一對準記號,且其係位於封蓋開口之一側。封蓋具有一覆蓋部,其係設置於對應封蓋開口之晶圓接合對準記號層上。
简体摘要：一种可循环压印设备及可循环压印制程。可循环压印设备包括一基底、一保护层、一堆栈结构及一封盖。保护层系设置于基底上。一封盖开口系位于保护层及基底,且封盖开口系暴露出基底。堆栈结构包括一附着层、一应力控制层及一晶圆接合对准记号层。附着层系设置于保护层上及暴露之基底上。应力控制层系设置于附着层上。晶圆接合对准记号层系设置于应力控制层上。晶圆接合对准记号层具有一对准记号,且其系位于封盖开口之一侧。封盖具有一覆盖部,其系设置于对应封盖开口之晶圆接合对准记号层上。

4. 发明专利

TW200830452A 晶圓接合之對準方法及對準結構 WAFER BOND ALIGNMENT METHOD AND ALIGNMENT STRUCTURE 审中-公开
简体标题：晶圆接合之对准方法及对准结构 WAFER BOND ALIGNMENT METHOD AND ALIGNMENT STRUCTURE
公开(公告)号：TW200830452A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096100124
申请日：2007-01-02
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN
IPC分类号： H01L
摘要：一種晶圓接合之對準方法及對準結構。對準方法包括以下之步驟:首先,提供一基底(substrate)。接著,形成一氧化層於基底上。然後,形成一封蓋開口於氧化層及基底,使封蓋開口暴露出基底。接著,形成一金屬層,其覆蓋於氧化層上及暴露之基底上。然後,形成一對準記號及一封蓋於金屬層上。封蓋具有一覆蓋部及一接合部,覆蓋部係設置於封蓋開口之上方,接合部係連接於覆蓋部之周緣。且對準記號係設置於封蓋開口之一側並與接合部相隔一間距。最後,對準對準記號與一載板上之另一對準記號,以接合封蓋之接合部於載板上之一接墊。
简体摘要：一种晶圆接合之对准方法及对准结构。对准方法包括以下之步骤:首先,提供一基底(substrate)。接着,形成一氧化层于基底上。然后,形成一封盖开口于氧化层及基底,使封盖开口暴露出基底。接着,形成一金属层,其覆盖于氧化层上及暴露之基底上。然后,形成一对准记号及一封盖于金属层上。封盖具有一覆盖部及一接合部,覆盖部系设置于封盖开口之上方,接合部系连接于覆盖部之周缘。且对准记号系设置于封盖开口之一侧并与接合部相隔一间距。最后,对准对准记号与一载板上之另一对准记号,以接合封盖之接合部于载板上之一接垫。

5. 发明专利

TW200709359A 晶圓結構 WAFER STRUCTURE 审中-公开
简体标题：晶圆结构 WAFER STRUCTURE
公开(公告)号：TW200709359A
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW094129912
申请日：2005-08-31
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：戴豐成 TAI, LI-CHENG , 余瑞益 YU JUI-I , 陳駿 CHEN, JIUNN , 謝爵安 HSIEH, CHUEH-AN , 吳世英 WU, SHYH-ING , 陳世光 CHEN, SHIH-KUANG , 何聰杰 HO, TSUNG-CHIEH , 吳宗樺 WU, TSUNG-HUA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/10 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要：一種晶圓結構,其包括:一半導體基材、多個球底金屬層以及多個凸塊,其中,半導體基材具有一主動表面、多個焊墊及一保護層。焊墊是位於半導體基材之主動表面上,而保護層覆蓋住半導體基材之主動表面並曝露出上述焊墊。球底金屬層分別配置於焊墊上,且各球底金屬層包括:一黏著層、一超晶格阻障層與一沾附層。黏著層配置於焊墊上;超晶格阻障層配置於黏著層上,且其包括多個交替堆疊之次阻障層與次沾附層,沾附層配置於超晶格阻障層上。凸塊是配置於沾附層上。
简体摘要：一种晶圆结构,其包括:一半导体基材、多个球底金属层以及多个凸块,其中,半导体基材具有一主动表面、多个焊垫及一保护层。焊垫是位于半导体基材之主动表面上,而保护层覆盖住半导体基材之主动表面并曝露出上述焊垫。球底金属层分别配置于焊垫上,且各球底金属层包括:一黏着层、一超晶格阻障层与一沾附层。黏着层配置于焊垫上;超晶格阻障层配置于黏着层上,且其包括多个交替堆栈之次阻障层与次沾附层,沾附层配置于超晶格阻障层上。凸块是配置于沾附层上。

6. 发明专利

TW200633088A 避免晶圓翹曲之焊接凸塊製造方法 SOLDER BUMP MANUFACTURING METHOD OF AVOIDING WAFER WARPAGE 失效
简体标题：避免晶圆翘曲之焊接凸块制造方法 SOLDER BUMP MANUFACTURING METHOD OF AVOIDING WAFER WARPAGE
公开(公告)号：TW200633088A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW094106733
申请日：2005-03-04
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN , 蔡騏隆 TSAI, CHI-LONG , 黃敏龍 HUANG, MIN-LUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種避免晶圓翹曲之焊接凸塊製造方法。首先，提供具有上表面及下表面之晶圓，並形成數個銲墊於晶圓之上表面。接著，覆蓋鈍態保護層於上表面及數個銲墊上，而鈍態保護層係暴露出該些銲墊之表面。之後，形成凸塊底層金屬層於數個銲墊表面及鈍態保護層上，並形成具有數個開口之光阻層於凸塊底層金屬層上。接著，配置支撐部於晶圓之下表面。然後，從光阻層之數個開口填入數個焊料。最後，剝除光阻層。
简体摘要：一种避免晶圆翘曲之焊接凸块制造方法。首先，提供具有上表面及下表面之晶圆，并形成数个焊垫于晶圆之上表面。接着，覆盖钝态保护层于上表面及数个焊垫上，而钝态保护层系暴露出该些焊垫之表面。之后，形成凸块底层金属层于数个焊垫表面及钝态保护层上，并形成具有数个开口之光阻层于凸块底层金属层上。接着，配置支撑部于晶圆之下表面。然后，从光阻层之数个开口填入数个焊料。最后，剥除光阻层。

7. 发明专利

TWI259545B 避免晶圓翹曲之焊接凸塊製造方法 SOLDER BUMP MANUFACTURING METHOD OF AVOIDING WAFER WARPAGE 失效
简体标题：避免晶圆翘曲之焊接凸块制造方法 SOLDER BUMP MANUFACTURING METHOD OF AVOIDING WAFER WARPAGE
公开(公告)号：TWI259545B
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：TW094106733
申请日：2005-03-04
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：陳駿 CHEN, JIUNN , 蔡騏隆 TSAI, CHI LONG , 黃敏龍 HUANG, MIN LUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/00012
摘要：一種避免晶圓翹曲之焊接凸塊製造方法。首先，提供具有上表面及下表面之晶圓，並形成數個銲墊於晶圓之上表面。接著，覆蓋鈍態保護層於上表面及數個銲墊上，而鈍態保護層係暴露出該些銲墊之表面。之後，形成凸塊底層金屬層於數個銲墊表面及鈍態保護層上，並形成具有數個開口之光阻層於凸塊底層金屬層上。接著，配置支撐部於晶圓之下表面。然後，從光阻層之數個開口填入數個焊料。最後，剝除光阻層。
简体摘要：一种避免晶圆翘曲之焊接凸块制造方法。首先，提供具有上表面及下表面之晶圆，并形成数个焊垫于晶圆之上表面。接着，覆盖钝态保护层于上表面及数个焊垫上，而钝态保护层系暴露出该些焊垫之表面。之后，形成凸块底层金属层于数个焊垫表面及钝态保护层上，并形成具有数个开口之光阻层于凸块底层金属层上。接着，配置支撑部于晶圆之下表面。然后，从光阻层之数个开口填入数个焊料。最后，剥除光阻层。

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