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1. 实用新型

TW528202U 多晶片覆晶封裝結構失效
简体标题：多芯片覆晶封装结构
公开(公告)号：TW528202U
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW091202385
申请日：2002-02-26
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：陳裕文 , 周惠隆 , 謝新賢
IPC分类号： H01L
摘要：一種多晶片覆晶封裝結構，其基板係具有一上表面、一下表面及貫穿上、下表面之通孔，其中該上表面係以第一凸塊覆晶結合第一晶片之主動面，該下表面係以第二凸塊覆晶結合第二晶片之主動面，而填充材係形成於第二晶片之主動面及基板之下表面之間並經由該基板之通孔而流佈於該第一晶片之主動面及基板之上表面之間，以一體包覆第一凸塊及第二凸塊，因此不需翻轉基板再次填膠，以降低製程成本及提升製程效率。
简体摘要：一种多芯片覆晶封装结构，其基板系具有一上表面、一下表面及贯穿上、下表面之通孔，其中该上表面系以第一凸块覆晶结合第一芯片之主动面，该下表面系以第二凸块覆晶结合第二芯片之主动面，而填充材系形成于第二芯片之主动面及基板之下表面之间并经由该基板之通孔而流布于该第一芯片之主动面及基板之上表面之间，以一体包覆第一凸块及第二凸块，因此不需翻转基板再次填胶，以降低制程成本及提升制程效率。

2. 发明专利

TW521411B 在晶片與基板之間形成填充材之方法有权
简体标题：在芯片与基板之间形成填充材之方法
公开(公告)号：TW521411B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW091104333
申请日：2002-03-06
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：周惠隆 , 陳裕文 , 謝新賢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311
摘要：一種在晶片與基板之間形成填充材之方法，在覆晶接合後，翻轉基板，使得晶片位於基板之下方，該基板具有一注膠孔，以供反向填充一填充材至晶片與基板之間，該填充材係沿著晶片之主動面由中央流佈至四周邊，以避免填充材回包形成氣泡及增進填充效率。
简体摘要：一种在芯片与基板之间形成填充材之方法，在覆晶接合后，翻转基板，使得芯片位于基板之下方，该基板具有一注胶孔，以供反向填充一填充材至芯片与基板之间，该填充材系沿着芯片之主动面由中央流布至四周边，以避免填充材回包形成气泡及增进填充效率。

3. 发明专利

TW533560B 半導體封裝模具有权
简体标题：半导体封装模具
公开(公告)号：TW533560B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW091100095
申请日：2002-01-07
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：沈啓智 , 謝新賢
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/565 , B29C45/0046 , B29C45/14655 , B29C45/34 , B29C70/72 , B29C2045/0049 , H01L2224/48091 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014
摘要：一種半導體封裝模具，其具有一模穴、一前置模穴、一後備模穴、多個澆道及多個通氣孔道。其中前置模穴位在模穴與澆道之間，後備模穴位在模穴與通氣孔道之間。前置模穴與澆道、模穴相通，而後備模穴與通氣孔道、模穴相通。其中後備模穴延伸的方向係約略與通氣孔道之開口的排列方向一致，而前置模穴延伸的方向係約略與澆道之開口的排列方向一致。而與後備模穴延伸方向垂直之後備模穴的寬度遠小於模穴與後備模穴延伸方向垂直之側邊的寬度。
简体摘要：一种半导体封装模具，其具有一模穴、一前置模穴、一后备模穴、多个浇道及多个通气孔道。其中前置模穴位在模穴与浇道之间，后备模穴位在模穴与通气孔道之间。前置模穴与浇道、模穴相通，而后备模穴与通气孔道、模穴相通。其中后备模穴延伸的方向系约略与通气孔道之开口的排列方向一致，而前置模穴延伸的方向系约略与浇道之开口的排列方向一致。而与后备模穴延伸方向垂直之后备模穴的宽度远小于模穴与后备模穴延伸方向垂直之侧边的宽度。

4. 发明专利

TW522487B 封膠後研磨封裝製程无效
简体标题：封胶后研磨封装制程
公开(公告)号：TW522487B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090130007
申请日：2001-12-04
申请人：日月光半導體製造股份有限公司
发明人：謝新賢 , 白宗民
IPC分类号： H01L
摘要：在覆晶晶片封裝過程中，先將覆晶晶片予以封裝再施以研磨程序之方法。首先將一個以上之覆晶晶片藉由位於正面之複數個凸塊，電性連接於一封裝基板上表面之焊墊上，其中這些凸塊對應於焊墊上的電路。接著填充封裝材料於覆晶晶片之每一凸塊間，並覆蓋封裝基板與覆晶晶片的上表面，直至覆晶晶片全部被覆蓋面形成一平面之封裝體。最後對此封裝體施行研磨程序，以移除位於覆晶晶片上之封裝材料，並曝露出其背面，此研磨程序在達到覆晶晶片預定之厚度後即停止。
简体摘要：在覆晶芯片封装过程中，先将覆晶芯片予以封装再施以研磨进程之方法。首先将一个以上之覆晶芯片借由位于正面之复数个凸块，电性连接于一封装基板上表面之焊垫上，其中这些凸块对应于焊垫上的电路。接着填充封装材料于覆晶芯片之每一凸块间，并覆盖封装基板与覆晶芯片的上表面，直至覆晶芯片全部被覆盖面形成一平面之封装体。最后对此封装体施行研磨进程，以移除位于覆晶芯片上之封装材料，并曝露出其背面，此研磨进程在达到覆晶芯片预定之厚度后即停止。

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