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1. 发明专利

TWI697590B 矽融液的對流圖案推測方法、矽單結晶的氧濃度推測方法、矽單結晶的製造方法及矽單結晶的拉引裝置有权
简体标题：硅融液的对流图案推测方法、硅单结晶的氧浓度推测方法、硅单结晶的制造方法及硅单结晶的拉引设备
公开(公告)号：TWI697590B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108106614
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：杉村渉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , G01J5/00

2. 发明专利

TWI641731B 單晶矽的製造方法及裝置有权
简体标题：单晶硅的制造方法及设备
公开(公告)号：TWI641731B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106111516
申请日：2017-04-06
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：杉村涉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 林三照 , HAYASHI, MITSUAKI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06

3. 发明专利

TWI694182B 矽單結晶的氧濃度推測方法及矽單結晶的製造方法有权
简体标题：硅单结晶的氧浓度推测方法及硅单结晶的制造方法
公开(公告)号：TWI694182B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108106610
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：松隈伸 , MATSUKUMA, SHIN , 高橋和義 , TAKAHASHI, KAZUYOSHI , 関敏紀 , SEKI, TOSHINORI , 金大基 , KIM, TEGI , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06

4. 发明专利

TW202026921A 熱傳導率估計方法、熱傳導率估計裝置、半導體晶體製品的製造方法、熱傳導率演算裝置、熱傳導率演算程式以及熱傳導率演算方法审中-公开
简体标题：热传导率估计方法、热传导率估计设备、半导体晶体制品的制造方法、热传导率演算设备、热传导率演算进程以及热传导率演算方法
公开(公告)号：TW202026921A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108139220
申请日：2019-10-30
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI , 樋口雄介 , HIGUCHI, YUSUKE , 宇治原徹 , UJIHARA, TORU
IPC分类号： G06F17/50
摘要： [課題] 提供進行半導體晶體製品的製造工序中的各種傳熱解析時，可簡便估計熱傳導率的熱傳導率估計方法。 [解決手段] 熱傳導率估計方法係具備：將測定試料的一部分以預定的加熱條件加熱，測定定常狀態下的測定試料的表面的溫度分布的步驟；針對與測定試料相同形狀的試料模型的假定的熱傳導率及加熱條件的複數組合，實施傳熱模擬，針對各組合，計算試料模型的表面的溫度分布的步驟；將前述複數組合及由該複數組合所得的溫度分布的計算結果作為訓練資料，使用機械學習法，作成將輸入作為測定試料的表面的溫度分布，且將輸出作為測定試料的熱傳導率的迴歸模型的步驟；及將測定試料表面的溫度分布測定結果輸入至迴歸模型，來估計測定試料的熱傳導率的步驟。
简体摘要： [课题] 提供进行半导体晶体制品的制造工序中的各种传热解析时，可简便估计热传导率的热传导率估计方法。 [解决手段] 热传导率估计方法系具备：将测定试料的一部分以预定的加热条件加热，测定定常状态下的测定试料的表面的温度分布的步骤；针对与测定试料相同形状的试料模型的假定的热传导率及加热条件的复数组合，实施传热仿真，针对各组合，计算试料模型的表面的温度分布的步骤；将前述复数组合及由该复数组合所得的温度分布的计算结果作为训练数据，使用机械学习法，作成将输入作为测定试料的表面的温度分布，且将输出作为测定试料的热传导率的回归模型的步骤；及将测定试料表面的温度分布测定结果输入至回归模型，来估计测定试料的热传导率的步骤。

5. 发明专利

TWI697591B 矽融液的對流圖案控制方法及矽單結晶的製造方法有权
简体标题：硅融液的对流图案控制方法及硅单结晶的制造方法
公开(公告)号：TWI697591B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108106612
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：松島直輝 , MATSUSHIMA, NAOKI , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 坂本英城 , SAKAMOTO, HIDEKI , 杉村渉 , SUGIMURA, WATARU
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06

6. 发明专利

TWI687558B 矽單結晶的製造方法及矽單結晶的拉引裝置有权
简体标题：硅单结晶的制造方法及硅单结晶的拉引设备
公开(公告)号：TWI687558B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW108106611
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 坂本英城 , SAKAMOTO, HIDEKI , 杉村渉 , SUGIMURA, WATARU
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06

7. 发明专利

TWI686517B 矽融液的對流圖案控制方法、矽單結晶的製造方法及矽單結晶的拉引裝置有权
简体标题：硅融液的对流图案控制方法、硅单结晶的制造方法及硅单结晶的拉引设备
公开(公告)号：TWI686517B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108106613
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：坂本英城 , SAKAMOTO, HIDEKI , 杉村渉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 松島直輝 , MATSUSHIMA, NAOKI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06

8. 发明专利

TW201807267A 單晶矽的製造方法及裝置审中-公开
简体标题：单晶硅的制造方法及设备
公开(公告)号：TW201807267A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106111516
申请日：2017-04-06
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：杉村涉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 林三照 , HAYASHI, MITSUAKI
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：本發明在MCZ法的單晶矽製造中，壓低晶圓面的氧濃度的不均一。利用一邊對石英坩堝11內的矽熔液2施加磁場，一邊從矽熔液2拉起單晶矽3的柴可拉斯基法之單晶矽的製造方法，包括：在單晶矽3的拉起步驟中連續地測量矽熔液2的表面溫度，根據表面溫度的頻率解析結果來變化結晶育成條件。
简体摘要：本发明在MCZ法的单晶硅制造中，压低晶圆面的氧浓度的不均一。利用一边对石英坩埚11内的硅熔液2施加磁场，一边从硅熔液2拉起单晶硅3的柴可拉斯基法之单晶硅的制造方法，包括：在单晶硅3的拉起步骤中连续地测量硅熔液2的表面温度，根据表面温度的频率解析结果来变化结晶育成条件。

9. 发明专利

TWI625432B 單晶矽的製造方法及單晶矽有权
简体标题：单晶硅的制造方法及单晶硅
公开(公告)号：TWI625432B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105135335
申请日：2016-11-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06

10. 发明专利

TW201716646A 單晶矽的製造方法及單晶矽审中-公开
简体标题：单晶硅的制造方法及单晶硅
公开(公告)号：TW201716646A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105135335
申请日：2016-11-01
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06
摘要：本發明提供可控制結晶提拉方向的氧濃度變動的單晶矽的製造方法。所述單晶矽的製造方法是將晶種17浸漬於填充在坩堝12中的矽熔融液13中，在與該晶種17的提拉方向垂直的方向上施加磁場的狀態下使坩堝12旋轉，且一面使晶種17旋轉一面進行提拉，從而使單晶矽16於所述晶種17上成長，其特徵在於：在如下的狀態下進行晶種17的提拉，亦即矽熔融液13至少在固液界面下，對於包含晶種17的提拉軸且與磁場的施加方向平行的面而矽熔融液自其中一側向另一側流動。
简体摘要：本发明提供可控制结晶提拉方向的氧浓度变动的单晶硅的制造方法。所述单晶硅的制造方法是将晶种17浸渍于填充在坩埚12中的硅熔融液13中，在与该晶种17的提拉方向垂直的方向上施加磁场的状态下使坩埚12旋转，且一面使晶种17旋转一面进行提拉，从而使单晶硅16于所述晶种17上成长，其特征在于：在如下的状态下进行晶种17的提拉，亦即硅熔融液13至少在固液界面下，对于包含晶种17的提拉轴且与磁场的施加方向平行的面而硅熔融液自其中一侧向另一侧流动。

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