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1. 发明专利

TWI679317B 矽塊的品質判斷方法、矽塊的品質判斷程式及單晶矽的製造方法有权
简体标题：硅块的品质判断方法、硅块的品质判断进程及单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TWI679317B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW107119816
申请日：2018-06-08
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：齋藤康裕 , SAITO, YASUHIRO , 工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 倉垣俊二 , KURAGAKI, SHUNJI , 金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , H01L21/66

2. 发明专利

TW201827657A 晶種固定夾及單晶提拉爐审中-公开
简体标题：晶种固定夹及单晶提拉炉
公开(公告)号：TW201827657A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106125956
申请日：2017-08-01
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李寅鋒 , LI, YINFENG , 溫雅楠 , WEN, YANAN
IPC分类号： C30B15/22 , C30B15/32
摘要：本發明提供一種晶種固定夾及單晶提拉爐，該晶種固定夾為透明固定夾，該晶種固定夾的頭部設有氣流導向斜面。從引晶階段開始都可以觀察到整個過程，可以及時觀測和及時修正引晶直徑，確保整個拉晶過程正常進行，保證了晶錠生長的品質。通過在該晶種固定夾的頭部設置氣流導向斜面，可以更好的引導爐腔體內氣流，減少亂流現象的產生，從而保證晶錠生長的品質。
简体摘要：本发明提供一种晶种固定夹及单晶提拉炉，该晶种固定夹为透明固定夹，该晶种固定夹的头部设有气流导向斜面。从引晶阶段开始都可以观察到整个过程，可以及时观测和及时修正引晶直径，确保整个拉晶过程正常进行，保证了晶锭生长的品质。通过在该晶种固定夹的头部设置气流导向斜面，可以更好的引导炉腔体内气流，减少乱流现象的产生，从而保证晶锭生长的品质。

3. 发明专利

TW201615904A 單結晶之製造方法审中-公开
简体标题：单结晶之制造方法
公开(公告)号：TW201615904A
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW104129302
申请日：2015-09-04
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：水田匡彥 , MIZUTA, MASAHIKO
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
摘要：藉由提高與單結晶之品質具有因果關係之提拉速度移動平均值的控制性能，製造結晶缺陷少之高品質的單結晶。在單結晶之提拉開始之前，預先每隔既定提拉長度設定單結晶之提拉速度的目標值，自既定提拉長度之從提拉開始時間點至現在時間點之提拉速度的實際值算出提拉速度移動平均值，再算出在現在時間點之提拉速度之目標值的修正值，根據該修正值提拉單結晶。而且，在將是用以算出提拉速度移動平均值之實際值的提拉長度之過去的提拉長度設定為α、並將未來之提拉長度設定為β時，根據單結晶之直徑的實際值，改變用以算出提拉速度目標值之修正值的提拉長度(α+β)。
简体摘要：借由提高与单结晶之品质具有因果关系之提拉速度移动平均值的控制性能，制造结晶缺陷少之高品质的单结晶。在单结晶之提拉开始之前，预先每隔既定提拉长度设置单结晶之提拉速度的目标值，自既定提拉长度之从提拉开始时间点至现在时间点之提拉速度的实际值算出提拉速度移动平均值，再算出在现在时间点之提拉速度之目标值的修正值，根据该修正值提拉单结晶。而且，在将是用以算出提拉速度移动平均值之实际值的提拉长度之过去的提拉长度设置为α、并将未来之提拉长度设置为β时，根据单结晶之直径的实际值，改变用以算出提拉速度目标值之修正值的提拉长度(α+β)。

4. 发明专利

TW202030384A 一種半導體晶體生長裝置审中-公开
简体标题：一种半导体晶体生长设备
公开(公告)号：TW202030384A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109101866
申请日：2020-01-20
申请人：大陸商上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：沈偉民 , SHEN, WEIMIN , 王剛 , WANG, GANG , 鄧先亮 , DENG, XIANLIANG
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , H01L21/02
摘要：本發明提供一種半導體晶體生長裝置，所述裝置包括：爐體；坩堝，所述坩堝設置在所述爐體內部，用以容納矽熔體；提拉裝置，所述提拉裝置設置在所述爐體頂部，用以從所述矽熔體內提拉出矽晶棒；以及熱屏裝置，所述熱屏裝置包括導流筒，所述導流筒呈桶狀並繞所述矽晶棒四周設置，用以對從所述爐體頂部輸入的氬氣進行整流並調整所述矽晶棒和所述矽熔體液面之間的熱場分佈；其中，所述熱屏裝置還包括在所述導流筒下端內側設置的調整裝置，用以調整所述熱屏裝置與所述矽晶棒之間的最小距離。根據本發明，通過在導流筒下端內側設置調整裝置，在不改變導流筒形狀、位置的情況下調整矽晶棒和與其靠近熱屏裝置之間的距離，提升了晶體生長速度和質量。
简体摘要：本发明提供一种半导体晶体生长设备，所述设备包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；提拉设备，所述提拉设备设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及热屏设备，所述热屏设备包括导流筒，所述导流筒呈桶状并绕所述硅晶棒四周设置，用以对从所述炉体顶部输入的氩气进行整流并调整所述硅晶棒和所述硅熔体液面之间的热场分布；其中，所述热屏设备还包括在所述导流筒下端内侧设置的调整设备，用以调整所述热屏设备与所述硅晶棒之间的最小距离。根据本发明，通过在导流筒下端内侧设置调整设备，在不改变导流筒形状、位置的情况下调整硅晶棒和与其靠近热屏设备之间的距离，提升了晶体生长速度和质量。

5. 发明专利

TW201918593A 矽塊的品質判斷方法、矽塊的品質判斷程式及單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：硅块的品质判断方法、硅块的品质判断进程及单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201918593A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107119816
申请日：2018-06-08
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：齋藤康裕 , SAITO, YASUHIRO , 工藤智司 , KUDO, SATOSHI , 倉垣俊二 , KURAGAKI, SHUNJI , 金大基 , KIM, TEGI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , H01L21/66
CPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種能夠減低下一個步驟中品質確認頻繁度的矽塊的品質判斷方法。判斷從以柴可拉斯基法拉起的單晶矽中切出的複數的矽塊的品質之矽塊的品質判斷方法，包括：取得從複數的矽塊的各自的端部切出的樣本晶圓的品質評比結果S2；取得該單晶矽的拉起實際結果資料S3；因應各個的樣本晶圓的品質評比結果，設定各個矽塊的拉起管理容許量S6、S7；以及比對取得的拉起實際結果資料、以及設定的拉起管理容許量，判斷各個矽塊的品質S8、S9。
简体摘要：本发明提供一种能够减低下一个步骤中品质确认频繁度的硅块的品质判断方法。判断从以柴可拉斯基法拉起的单晶硅中切出的复数的硅块的品质之硅块的品质判断方法，包括：取得从复数的硅块的各自的端部切出的样本晶圆的品质评比结果S2；取得该单晶硅的拉起实际结果数据S3；因应各个的样本晶圆的品质评比结果，设置各个硅块的拉起管理容许量S6、S7；以及比对取得的拉起实际结果数据、以及设置的拉起管理容许量，判断各个硅块的品质S8、S9。

6. 发明专利

TW201814091A 拉晶爐审中-公开
简体标题：拉晶炉
公开(公告)号：TW201814091A
公开(公告)日：2018-04-16
申请号：TW106105999
申请日：2017-02-22
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：張汝京 , CHANG, RICHARD , 肖德元 , XIAO, DEYUAN
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/22 , C30B15/32
摘要：本發明提供了一種拉晶爐，包括：一用於裝納熔融矽料的坩堝；一可於所述坩堝上方上下移動的籽晶夾頭；一位於所述坩堝上方的熱屏，所述熱屏具有一開口；其中，所述籽晶夾頭在垂直於其移動方向上的最大截面尺寸為所形成的晶棒於同一方向上的最大截面尺寸的0.8~1.2倍。本發明提供的拉晶爐中，由於用於加持籽晶的籽晶夾頭的尺寸與所形成的晶棒的晶體尺寸差異較小，從而在生長晶體的初始階段，可減小所形成的晶體經由熱屏的開口暴露出的面積，進而可有效抑制了熱量的大量散失，抑制了所形成的晶冠以及靠近晶冠的晶體中的缺陷的形成。
简体摘要：本发明提供了一种拉晶炉，包括：一用于装纳熔融硅料的坩埚；一可于所述坩埚上方上下移动的籽晶夹头；一位于所述坩埚上方的热屏，所述热屏具有一开口；其中，所述籽晶夹头在垂直于其移动方向上的最大截面尺寸为所形成的晶棒于同一方向上的最大截面尺寸的0.8~1.2倍。本发明提供的拉晶炉中，由于用于加持籽晶的籽晶夹头的尺寸与所形成的晶棒的晶体尺寸差异较小，从而在生长晶体的初始阶段，可减小所形成的晶体经由热屏的开口暴露出的面积，进而可有效抑制了热量的大量散失，抑制了所形成的晶冠以及靠近晶冠的晶体中的缺陷的形成。

7. 发明专利

TWI580827B 藍寶石單晶核及其製造方法有权
简体标题：蓝宝石单晶核及其制造方法
公开(公告)号：TWI580827B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW103105409
申请日：2014-02-19
申请人：德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：望月直人 , MOCHIZUKI, NAOTO , 池田祐一 , IKEDA, YUICHI , 小川勝也 , OGAWA, KATSUYA
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/00 , C30B15/22
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/20 , Y10T428/29

8. 发明专利

TWI697590B 矽融液的對流圖案推測方法、矽單結晶的氧濃度推測方法、矽單結晶的製造方法及矽單結晶的拉引裝置有权
简体标题：硅融液的对流图案推测方法、硅单结晶的氧浓度推测方法、硅单结晶的制造方法及硅单结晶的拉引设备
公开(公告)号：TWI697590B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108106614
申请日：2019-02-27
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：杉村渉 , SUGIMURA, WATARU , 横山竜介 , YOKOYAMA, RYUSUKE , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , G01J5/00

9. 发明专利

TWI650449B 在提拉單晶期間測定及調節單晶直徑的方法有权
简体标题：在提拉单晶期间测定及调节单晶直径的方法
公开(公告)号：TWI650449B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106103681
申请日：2017-02-03
申请人：德商世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史洛克湯瑪士 , SCHROECK, THOMAS , 奧伯納湯瑪士 , AUBRUNNER, THOMAS
IPC分类号： C30B15/22

10. 发明专利

TW201800625A 單晶矽的製造方法审中-公开
简体标题：单晶硅的制造方法
公开(公告)号：TW201800625A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106104051
申请日：2017-02-08
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：林三照 , HAYASHI, MITSUAKI , 杉村涉 , SUGIMURA, WATARU , 小野敏昭 , ONO, TOSHIAKI , 藤原俊幸 , FUJIWARA, TOSHIYUKI
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/22 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B30/04
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/22 , C30B29/06
摘要：以柴可拉斯基法進行的單晶矽的製造方法中，一邊防止結晶彎曲或從熔液分離造成的單晶化率的降低，一邊抑制做為磊晶矽晶圓的基板材料使用時的磊晶缺陷。單晶矽的製造方法，包括：體部育成步驟，育成結晶直徑維持一定的體部3c；尾部育成步驟，育成結晶直徑逐漸減少的尾部3d。使用水冷體18來冷卻從矽熔液拉起的單晶矽3，水冷體18配置在比配置在石英坩堝11的上方的熱遮蔽體17的下端17b更上方且熱遮蔽體17的內側。尾部育成步驟中，從尾部3d的育成開始時至結束時為止，使用與體部育成結束時的拉起速度相同的拉起速度來拉起單晶矽3。
简体摘要：以柴可拉斯基法进行的单晶硅的制造方法中，一边防止结晶弯曲或从熔液分离造成的单晶化率的降低，一边抑制做为磊晶硅晶圆的基板材料使用时的磊晶缺陷。单晶硅的制造方法，包括：体部育成步骤，育成结晶直径维持一定的体部3c；尾部育成步骤，育成结晶直径逐渐减少的尾部3d。使用水冷体18来冷却从硅熔液拉起的单晶硅3，水冷体18配置在比配置在石英坩埚11的上方的热屏蔽体17的下端17b更上方且热屏蔽体17的内侧。尾部育成步骤中，从尾部3d的育成开始时至结束时为止，使用与体部育成结束时的拉起速度相同的拉起速度来拉起单晶硅3。

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