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1. 发明专利

TWI689565B 半導體晶片之製造方法有权
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI689565B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105104257
申请日：2016-02-15
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：上田洸造 , UEDA, KOZO , 畠井宗宏 , HATAI, MUNEHIRO , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 利根川亨 , TONEGAWA, TORU
IPC分类号： C09J11/00 , C09J201/00 , C09J7/20 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/683

2. 发明专利

TW202003750A 黏著帶审中-公开
简体标题：黏着带
公开(公告)号：TW202003750A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108119482
申请日：2019-06-05
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：塩島太郎 , SHIOJIMA, TARO , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 樋口勲夫 , HIGUCHI, ISAO
IPC分类号： C09J7/30 , C09J7/22 , H01L21/683
摘要：本發明之目的在於提供一種即便在用於伴有高溫處理之步驟之情形時亦可抑制接著亢進而剝離時之糊劑殘留較少之黏著帶。本發明係一種黏著帶，其具有：含有紫外線硬化型之黏著性聚合物之黏著劑層，且甲基異丁基酮相對於黏著劑層表面之接觸角為15°以上，紫外線硬化後之黏著劑層之凝膠分率為90%以上，將紫外線硬化後之黏著劑層於200℃靜置1小時後利用SAICAS法測得之表觀剪切強度（apparent shear strength）為0.1 MPa以上且10 MPa以下。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种即便在用于伴有高温处理之步骤之情形时亦可抑制接着亢进而剥离时之煳剂残留较少之黏着带。本发明系一种黏着带，其具有：含有紫外线硬化型之黏着性聚合物之黏着剂层，且甲基异丁基酮相对于黏着剂层表面之接触角为15°以上，紫外线硬化后之黏着剂层之凝胶分率为90%以上，将紫外线硬化后之黏着剂层于200℃静置1小时后利用SAICAS法测得之表观剪切强度（apparent shear strength）为0.1 MPa以上且10 MPa以下。

3. 发明专利

TW201339260A 黏著劑組成物、黏著帶、及晶圓之處理方法审中-公开
简体标题：黏着剂组成物、黏着带、及晶圆之处理方法
公开(公告)号：TW201339260A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102101006
申请日：2013-01-11
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：利根川亨 , TONEGAWA, TORU , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO
IPC分类号： C09J11/06 , C09J4/02 , C09J7/02 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： C09J11/06 , C08K5/3472 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：本發明之目的在於提供具有高接著力、另一方面可容易地剝離、且耐熱性優異的黏著劑組成物，使用該黏著劑組成物之黏著帶，及使用該黏著帶的晶圓之處理方法。本發明係一種黏著劑組成物，其含有光硬化型黏著劑成分、光聚合起始劑、及藉由照射光而產生氣體的氣體產生劑，該氣體產生劑以0.05~37μm之分散徑分散於黏著劑組成物中。
简体摘要：本发明之目的在于提供具有高接着力、另一方面可容易地剥离、且耐热性优异的黏着剂组成物，使用该黏着剂组成物之黏着带，及使用该黏着带的晶圆之处理方法。本发明系一种黏着剂组成物，其含有光硬化型黏着剂成分、光聚合起始剂、及借由照射光而产生气体的气体产生剂，该气体产生剂以0.05~37μm之分散径分散于黏着剂组成物中。

4. 发明专利

TWI539535B 晶圓之處理方法有权
简体标题：晶圆之处理方法
公开(公告)号：TWI539535B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102128236
申请日：2013-08-07
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 利根川亨 , TONEGAWA, TORU , 上田洸造 , UEDA, KOZO , 藪口博秀 , YABUGUCHI, HIROHIDE
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： B32B37/1207 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B43/006 , B32B2037/1253 , B32B2307/20 , B32B2310/0806 , B32B2457/14 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12042 , H01L2924/00

5. 发明专利

TW201535502A 晶圓之處理方法审中-公开
简体标题：晶圆之处理方法
公开(公告)号：TW201535502A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104104196
申请日：2015-02-06
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 利根川亨 , TONEGAWA, TORU , 上田洸造 , UEDA, KOZO , 藪口博秀 , YABUGUCHI, HIROHIDE
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/683 , C09J7/02
CPC分类号： C09J11/06 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381
摘要：本發明之目的在於提供一種晶圓之處理方法，其係於經由接著劑組成物將晶圓固定於支持板之狀態下對晶圓進行處理者，雖然具有實施藥液處理、加熱處理或伴隨發熱之處理之晶圓處理步驟，但於晶圓處理步驟時可維持充分之接著力，並且於晶圓處理步驟結束後可將支持板自晶圓剝離，而不會損傷晶圓或發生糊劑殘留。本發明係一種晶圓之處理方法，其包括：支持板固定步驟，其係經由含有藉由電磁波、電子束或超音波而交聯、硬化之硬化型接著劑成分之接著劑組成物將晶圓固定於支持板；接著劑硬化步驟，其係對上述接著劑組成物照射電磁波、電子束或超音波而使硬化型接著劑成分交聯、硬化；晶圓處理步驟，其係對固定於上述支持板之晶圓之表面實施藥液處理、加熱處理或伴隨發熱之處理；以及支持板剝離步驟，其係自上述處理後之晶圓剝離支持板。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种晶圆之处理方法，其系于经由接着剂组成物将晶圆固定于支持板之状态下对晶圆进行处理者，虽然具有实施药液处理、加热处理或伴随发热之处理之晶圆处理步骤，但于晶圆处理步骤时可维持充分之接着力，并且于晶圆处理步骤结束后可将支持板自晶圆剥离，而不会损伤晶圆或发生煳剂残留。本发明系一种晶圆之处理方法，其包括：支持板固定步骤，其系经由含有借由电磁波、电子束或超音波而交联、硬化之硬化型接着剂成分之接着剂组成物将晶圆固定于支持板；接着剂硬化步骤，其系对上述接着剂组成物照射电磁波、电子束或超音波而使硬化型接着剂成分交联、硬化；晶圆处理步骤，其系对固定于上述支持板之晶圆之表面实施药液处理、加热处理或伴随发热之处理；以及支持板剥离步骤，其系自上述处理后之晶圆剥离支持板。

6. 发明专利

TWI483977B 無機微粒子分散糊有权
简体标题：无机微粒子分散煳
公开(公告)号：TWI483977B
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：TW099125839
申请日：2010-08-04
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：山內健司 , YAMAUCHI, KENJI , 宮崎寬子 , MIYAZAKI, HIROKO , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 杉田大平 , SUGITA, DAIHEI , 高橋英之 , TAKAHASHI, HIDEYUKI
IPC分类号： C08K5/05 , C08K3/00 , C08L101/00 , C03C17/32 , C04B35/00 , H01L31/04
CPC分类号： C03C8/16 , C08F120/18 , C08F2220/1825 , C08L1/28 , C08L33/08 , C08L2666/02 , C08F2220/281 , C08F220/14

7. 发明专利

TWI588881B 晶圓之處理方法有权
简体标题：晶圆之处理方法
公开(公告)号：TWI588881B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102128062
申请日：2013-08-06
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：利根川亨 , TONEGAWA, TORU , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 上田洸造 , UEDA, KOZO , 藪口博秀 , YABUGUCHI, HIROHIDE
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C30B33/00 , C09J5/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C30B29/06 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381

8. 发明专利

TW201639938A 半導體晶片之製造方法审中-公开
简体标题：半导体芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201639938A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105104257
申请日：2016-02-15
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：上田洸造 , UEDA, KOZO , 畠井宗宏 , HATAI, MUNEHIRO , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 利根川亨 , TONEGAWA, TORU
IPC分类号： C09J11/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/683 , C09J7/20 , C09J11/00 , C09J201/00 , H01L21/304
摘要：本發明之目的在於提供一種半導體晶片之製造方法，其係於藉由切割膠帶加以補強之狀態下將晶圓進行切割而製造半導體晶片之方法，且即便於使用水系有機溶劑之情形時，亦不會產生位置偏移等，並且不會於所獲得之半導體晶片上產生殘渣之附著。本發明係一種半導體晶片之製造方法，其具有如下步驟：切割膠帶貼附步驟，其係將由至少含有藉由刺激而進行交聯、硬化之硬化型黏著劑成分之黏著劑層及基材膜所構成的切割膠帶自黏著劑層側貼附於晶圓而進行補強；黏著劑層硬化步驟，其係對上述黏著劑層給與刺激而使硬化型黏著劑成分進行交聯、硬化；切割步驟，其係將上述藉由切割膠帶加以補強之晶圓進行切割而獲得半導體晶片；及半導體晶片剝離步驟，其係自上述切割膠帶將半導體晶片剝離。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种半导体芯片之制造方法，其系于借由切割胶带加以补强之状态下将晶圆进行切割而制造半导体芯片之方法，且即便于使用水系有机溶剂之情形时，亦不会产生位置偏移等，并且不会于所获得之半导体芯片上产生残渣之附着。本发明系一种半导体芯片之制造方法，其具有如下步骤：切割胶带贴附步骤，其系将由至少含有借由刺激而进行交联、硬化之硬化型黏着剂成分之黏着剂层及基材膜所构成的切割胶带自黏着剂层侧贴附于晶圆而进行补强；黏着剂层硬化步骤，其系对上述黏着剂层给与刺激而使硬化型黏着剂成分进行交联、硬化；切割步骤，其系将上述借由切割胶带加以补强之晶圆进行切割而获得半导体芯片；及半导体芯片剥离步骤，其系自上述切割胶带将半导体芯片剥离。

9. 发明专利

TWI518123B 金屬氧化物微粒子分散糊料有权
简体标题：金属氧化物微粒子分散煳料
公开(公告)号：TWI518123B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW098138342
申请日：2009-11-12
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：山內健司 , YAMAUCHI, KENJI , 麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 森口慎太郎 , MORIGUCHI, SHINTARO , 宮崎寬子 , MIYAZAKI, HIROKO , 杉田大平 , SUGITA, DAIHEI , 平池宏至 , HIRAIKE, HIROSHI , 近藤峻右 , KONDO, SHUNSUKE , 福井弘司 , FUKUI, HIROJI , 森田健晴 , MORITA, TAKEHARU
IPC分类号： C08K3/22 , C08K5/053 , C08L101/00 , C01F5/02
CPC分类号： C01G23/047 , C01F5/02 , C01G9/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01G49/02 , C01P2004/04 , C01P2006/22 , C09D11/037

10. 发明专利

TW201411739A 晶圓之處理方法审中-公开
简体标题：晶圆之处理方法
公开(公告)号：TW201411739A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102128236
申请日：2013-08-07
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：麻生隆浩 , ASAO, TAKAHIRO , 利根川亨 , TONEGAWA, TORU , 上田洸造 , UEDA, KOZO , 藪口博秀 , YABUGUCHI, HIROHIDE
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： B32B37/1207 , B32B37/12 , B32B37/30 , B32B43/006 , B32B2037/1253 , B32B2307/20 , B32B2310/0806 , B32B2457/14 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/98 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於提供一種晶圓之處理方法，其係於經由接著劑組成物將晶圓固定於支撐板之狀態下對晶圓進行處理者，且儘管具有實施化學液處理、加熱處理或伴有發熱之處理之晶圓處理步驟，但於晶圓處理步驟時維持充分之接著力，且於晶圓處理步驟結束後可不損傷晶圓或不產生糊劑殘留地將支撐板自晶圓剝離。本發明係一種晶圓之處理方法，具有下述步驟：支撐板固定步驟，經由接著劑組成物將晶圓固定於支撐板，該接著劑組成物含有藉由光照射或加熱而交聯、硬化之硬化型接著劑成分；接著劑硬化步驟，對上述接著劑組成物照射光或進行加熱而使硬化型接著劑成分交聯、硬化；晶圓處理步驟，對固定於上述支撐板之晶圓表面實施化學液處理、加熱處理或伴有發熱之處理；及支撐板剝離步驟，自上述處理後之晶圓剝離支撐板。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种晶圆之处理方法，其系于经由接着剂组成物将晶圆固定于支撑板之状态下对晶圆进行处理者，且尽管具有实施化学液处理、加热处理或伴有发热之处理之晶圆处理步骤，但于晶圆处理步骤时维持充分之接着力，且于晶圆处理步骤结束后可不损伤晶圆或不产生煳剂残留地将支撑板自晶圆剥离。本发明系一种晶圆之处理方法，具有下述步骤：支撑板固定步骤，经由接着剂组成物将晶圆固定于支撑板，该接着剂组成物含有借由光照射或加热而交联、硬化之硬化型接着剂成分；接着剂硬化步骤，对上述接着剂组成物照射光或进行加热而使硬化型接着剂成分交联、硬化；晶圆处理步骤，对固定于上述支撑板之晶圆表面实施化学液处理、加热处理或伴有发热之处理；及支撑板剥离步骤，自上述处理后之晶圆剥离支撑板。

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