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1. 发明专利

TWI699289B 阻氣薄膜及阻氣薄膜的製造方法有权
简体标题：阻气薄膜及阻气薄膜的制造方法
公开(公告)号：TWI699289B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW106109894
申请日：2017-03-24
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岩屋渉 , IWAYA, WATARU , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 永元公市 , NAGAMOTO, KOICHI , 永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： B32B3/30 , B32B38/18 , B32B27/00

2. 发明专利

TW201801918A 長形的阻氣性積層體审中-公开
简体标题：长形的阻气性积层体
公开(公告)号：TW201801918A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106109893
申请日：2017-03-24
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA , 萩原佳明 , HAGIHARA, YOSHIAKI , 岩屋渉 , IWAYA, WATARU
IPC分类号： B32B27/00 , B32B33/00 , G09F9/30
CPC分类号： B32B7/02 , B32B9/00
摘要：本發明長形的阻氣性積層體，至少具有基材層與阻氣層，其中一最外層係上述阻氣層，其特徵在於：上述阻氣層表面的算術平均粗糙度(Ra)係2nm以下、最大截面高度(Rt)係54nm以下；上述阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)係4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下；準備2片阻氣性積層體當作試驗片，依該等中其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式，使上述2片阻氣性積層體重疊時，靜摩擦係數係0.80以下。根據本發明可提供：阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時或從捲筒繞出時的作業性優異，並在該項作業前後不易造成阻氣性降低的長形阻氣性積層體。
简体摘要：本发明长形的阻气性积层体，至少具有基材层与阻气层，其中一最外层系上述阻气层，其特征在于：上述阻气层表面的算术平均粗糙度(Ra)系2nm以下、最大截面高度(Rt)系54nm以下；上述阻气层以外的最外层表面之算术平均粗糙度(Ra)系4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)系207nm以上且1005nm以下；准备2片阻气性积层体当作试验片，依该等中其中一积层体的阻气层、与另一积层体的阻气层以外之最外层呈相对向方式，使上述2片阻气性积层体重叠时，静摩擦系数系0.80以下。根据本发明可提供：阻气性优异、且呈卷筒状卷取时或从卷筒绕出时的作业性优异，并在该项作业前后不易造成阻气性降低的长形阻气性积层体。

3. 发明专利

TWI552168B 透明導電性膜、其製造方法、電子裝置用構件及電子裝置有权
简体标题：透明导电性膜、其制造方法、电子设备用构件及电子设备
公开(公告)号：TWI552168B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100136404
申请日：2011-10-07
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：永元公市 , NAGAMOTO, KOICHI , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 永繩智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： H01B5/14 , B32B7/02 , H01L21/265
CPC分类号： H01B1/08 , C23C14/027 , C23C14/06 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/48 , H01B5/14 , Y10T428/31663

4. 发明专利

TW201334967A 阻氣結構體和阻氣結構體的形成方法审中-公开
简体标题：阻气结构体和阻气结构体的形成方法
公开(公告)号：TW201334967A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW102105988
申请日：2013-02-21
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： B32B27/16 , C23C28/00
CPC分类号： B05D1/62
摘要：本發明提供具備能夠得到優異的阻氣性、透明性的同時密合性、耐斷裂性等優異的阻氣層的阻氣結構體、以及這種阻氣結構體的有效的形成方法。一種在基材上具備阻氣層的阻氣結構體以及這種阻氣結構體的形成方法，其特徵在於，阻氣層來自含有聚矽氮烷化合物和極性聚合物而成的阻氣層形成用材料，對該阻氣層形成用材料進行電漿離子注入處理，所述極性聚合物為含羥基的聚合物和含羧基的聚合物、或者它們中的任一方。
简体摘要：本发明提供具备能够得到优异的阻气性、透明性的同时密合性、耐断裂性等优异的阻气层的阻气结构体、以及这种阻气结构体的有效的形成方法。一种在基材上具备阻气层的阻气结构体以及这种阻气结构体的形成方法，其特征在于，阻气层来自含有聚硅氮烷化合物和极性聚合物而成的阻气层形成用材料，对该阻气层形成用材料进行等离子离子注入处理，所述极性聚合物为含羟基的聚合物和含羧基的聚合物、或者它们中的任一方。

5. 发明专利

TW201802198A 底漆層形成用固化性組合物、阻氣性積層膜及阻氣性積層體审中-公开
简体标题：底漆层形成用固化性组合物、阻气性积层膜及阻气性积层体
公开(公告)号：TW201802198A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106108894
申请日：2017-03-17
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：古屋拓己 , FURUYA, TAKUMI , 永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA , 西嶋健太 , NISHIJIMA, KENTA
IPC分类号： C09D123/00 , C09D4/02 , C09D7/12 , C09D5/00 , B32B27/30 , B32B27/32 , H05B33/04 , H01L51/50
CPC分类号： B32B27/30 , B32B27/32 , C08J7/04
摘要：本發明的阻氣性積層膜之底漆層形成用固化性組合物，係至少含有：含極性基之聚烯烴系聚合體、及多官能基丙烯酸酯系化合物。本發明的阻氣性積層膜係具有由該固化性組合物的固化物所構成底漆層。本發明的阻氣性積層體，係在該阻氣性積層膜的表面上，積層著含有機化合物之層。根據本發明可提供：適於製造優異層間密接性阻氣性積層體時使用的底漆層形成用固化性組合物，具有由該固化性組合物的固化物所構成底漆層的阻氣性積層膜，以及由在該阻氣性積層膜的表面上積層著含有機化合物之層而形成的阻氣性積層體。
简体摘要：本发明的阻气性积层膜之底漆层形成用固化性组合物，系至少含有：含极性基之聚烯烃系聚合体、及多官能基丙烯酸酯系化合物。本发明的阻气性积层膜系具有由该固化性组合物的固化物所构成底漆层。本发明的阻气性积层体，系在该阻气性积层膜的表面上，积层着含有机化合物之层。根据本发明可提供：适于制造优异层间密接性阻气性积层体时使用的底漆层形成用固化性组合物，具有由该固化性组合物的固化物所构成底漆层的阻气性积层膜，以及由在该阻气性积层膜的表面上积层着含有机化合物之层而形成的阻气性积层体。

6. 发明专利

TW201707978A 阻氣膜、電子裝置用元件以及電子裝置审中-公开
简体标题：阻气膜、电子设备用组件以及电子设备
公开(公告)号：TW201707978A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105112385
申请日：2016-04-21
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA , 岩屋涉 , IWAYA, WATARU
IPC分类号： B32B27/16 , B32B27/28
CPC分类号： B32B9/00 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/16 , B32B27/34 , B32B2307/7242 , B32B2310/0831 , B32B2310/14 , B32B2457/00 , G02F1/1333
摘要：本發明係一種阻氣膜、由該阻氣膜而組成之電子裝置用元件以及包括該電子裝置用元件之電子裝置，該阻氣膜係具有基材薄膜以及對於形成在該基材薄膜上且含有聚矽氨烷系化合物之層來進行改質而組成之阻氣層的阻氣膜，其特徵為：在水蒸氣透過率為0.100g/(m2˙day)以下且60℃、相對濕度90%之氬氣氛圍下，由前述之阻氣層來釋出之氫氣量係每1cm2之阻氣膜而成為5.5μg以下。如果是藉由本發明的話，則提供一種具有阻氣性呈良好且抑制脫氣之發生之阻氣層之阻氣膜、由該阻氣膜而組成之電子裝置用元件以及包括該電子裝置用元件之電子裝置。
简体摘要：本发明系一种阻气膜、由该阻气膜而组成之电子设备用组件以及包括该电子设备用组件之电子设备，该阻气膜系具有基材薄膜以及对于形成在该基材薄膜上且含有聚硅氨烷系化合物之层来进行改质而组成之阻气层的阻气膜，其特征为：在水蒸气透过率为0.100g/(m2˙day)以下且60℃、相对湿度90%之氩气氛围下，由前述之阻气层来发佈之氢气量系每1cm2之阻气膜而成为5.5μg以下。如果是借由本发明的话，则提供一种具有阻气性呈良好且抑制脱气之发生之阻气层之阻气膜、由该阻气膜而组成之电子设备用组件以及包括该电子设备用组件之电子设备。

7. 发明专利

TWI557260B 阻氣膜和阻氣膜的製造方法有权
简体标题：阻气膜和阻气膜的制造方法
公开(公告)号：TWI557260B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW102100885
申请日：2013-01-10
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：永繩智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/56 , B32B27/28
CPC分类号： H01L51/5253 , C08J7/047 , C08J2367/02 , C08J2483/16 , C23C14/48 , Y10T428/24942

8. 发明专利

TWI492248B 透明導電性薄膜及其製造方法以及使用透明導電性薄膜之電子裝置有权
简体标题：透明导电性薄膜及其制造方法以及使用透明导电性薄膜之电子设备
公开(公告)号：TWI492248B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW100111311
申请日：2011-03-31
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：永元公市 , NAGAMOTO, KOICHI , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA , 岩屋涉 , IWAYA, WATARU , 永繩智史 , NAGANAWA, SATOSHI
IPC分类号： H01B5/14 , C23C14/48 , C23C14/58 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/48 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2369/00 , C08J2483/14 , C23C14/562 , Y10T428/31663

9. 发明专利

TW201805152A 阻氣薄膜及阻氣薄膜的製造方法审中-公开
简体标题：阻气薄膜及阻气薄膜的制造方法
公开(公告)号：TW201805152A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106109894
申请日：2017-03-24
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：岩屋渉 , IWAYA, WATARU , 近藤健 , KONDO, TAKESHI , 永元公市 , NAGAMOTO, KOICHI , 永縄智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： B32B3/30 , B32B38/18 , B32B27/00
CPC分类号： B32B3/30 , B32B27/00 , B32B38/18
摘要：本發明的阻氣薄膜，係具有：基材、直接積層於上述基材上且含有樹脂固化物的底漆層、及直接積層於上述底漆層上的阻氣層；其特徵在於：針對形成上述阻氣層前的底漆層表面利用光干擾顯微鏡進行觀察時，觀察到算術平均粗糙度(Ra)4nm以下、最大截面高度(Rt)70nm以下的平滑面，以及最大谷底深度(Rv)150nm以下的凹部。本發明亦提供該阻氣薄膜的製造方法。根據本發明，可提供具有基材、底漆層及阻氣層，且阻氣性與外觀均優異的阻氣薄膜，及其製造方法。
简体摘要：本发明的阻气薄膜，系具有：基材、直接积层于上述基材上且含有树脂固化物的底漆层、及直接积层于上述底漆层上的阻气层；其特征在于：针对形成上述阻气层前的底漆层表面利用光干扰显微镜进行观察时，观察到算术平均粗糙度(Ra)4nm以下、最大截面高度(Rt)70nm以下的平滑面，以及最大谷底深度(Rv)150nm以下的凹部。本发明亦提供该阻气薄膜的制造方法。根据本发明，可提供具有基材、底漆层及阻气层，且阻气性与外观均优异的阻气薄膜，及其制造方法。

10. 发明专利

TWI551709B 阻氣膜和阻氣膜的製造方法有权
简体标题：阻气膜和阻气膜的制造方法
公开(公告)号：TWI551709B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW101141306
申请日：2012-11-07
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：永繩智史 , NAGANAWA, SATOSHI , 鈴木悠太 , SUZUKI, YUTA
IPC分类号： C23C16/42 , B32B27/28
CPC分类号： C23C14/48 , C01B21/0823 , C08J7/047 , C08J7/123 , C08J2367/02 , C08J2483/16 , C23C14/0676 , Y10T428/265

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