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1. 发明专利

TWI697968B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI697968B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW105109228
申请日：2016-03-24
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI
IPC分类号： H01L21/60

2. 发明专利

TWI683358B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI683358B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105111852
申请日：2016-04-15
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 堀米克彦 , HORIGOME, KATSUHIKO , 米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 荒井善男 , ARAI, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/304

3. 发明专利

TW201822335A 兩面黏著片及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：两面黏着片及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201822335A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106140918
申请日：2017-11-24
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 小笠原孝文 , OGASAWARA, TAKAFUMI , 坂本美紗季 , SAKAMOTO, MISAKI
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/28
摘要：一種兩面黏著片1，以第2剝離片15、第2黏著劑層13、芯材11、第1黏著劑層12以及第1剝離片14的順序積層，第1黏著劑層12以及第2黏著劑層13由矽酮系黏著劑所構成，第2剝離片15在剝離之際的剝離力P2為30~1000mN/50mm，第1黏著劑層12的黏著面的黏著力A1對於剝離力P2的比值為10~5000，於260℃加熱1分鐘後的第1黏著劑層12的黏著面的黏著力B1為500~15000mN/25mm，以黏著力B1減於260℃加熱1分鐘後的第2黏著劑層13的黏著面的黏著力B2所得的黏著力的差為1000~20000mN/25mm。此兩面黏著片1能夠無問題地使用於包含伴隨著加熱的步驟之半導體裝置的製造方法。
简体摘要：一种两面黏着片1，以第2剥离片15、第2黏着剂层13、芯材11、第1黏着剂层12以及第1剥离片14的顺序积层，第1黏着剂层12以及第2黏着剂层13由硅酮系黏着剂所构成，第2剥离片15在剥离之际的剥离力P2为30~1000mN/50mm，第1黏着剂层12的黏着面的黏着力A1对于剥离力P2的比值为10~5000，于260℃加热1分钟后的第1黏着剂层12的黏着面的黏着力B1为500~15000mN/25mm，以黏着力B1减于260℃加热1分钟后的第2黏着剂层13的黏着面的黏着力B2所得的黏着力的差为1000~20000mN/25mm。此两面黏着片1能够无问题地使用于包含伴随着加热的步骤之半导体设备的制造方法。

4. 发明专利

TWI672354B 保護膜形成用片以及附有保護膜的半導體晶片的製造方法有权
简体标题：保护膜形成用片以及附有保护膜的半导体芯片的制造方法
公开(公告)号：TWI672354B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW104127316
申请日：2015-08-21
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山本大輔 , YAMAMOTO, DAISUKE , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA , 米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/301

5. 发明专利

TWI664667B 切割晶粒接合片有权
公开(公告)号：TWI664667B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104125936
申请日：2015-08-10
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：吾妻祐一郎 , AZUMA, YUICHIRO , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/683 , C09J7/20 , C08J3/20

6. 发明专利

TW202030287A 樹脂膜形成用薄片、樹脂膜形成用複合薄片、及矽晶圓之再生方法审中-公开
简体标题：树脂膜形成用薄片、树脂膜形成用复合薄片、及硅晶圆之再生方法
公开(公告)号：TW202030287A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109110851
申请日：2015-11-24
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 山本大輔 , YAMAMOTO, DAISUKE , 米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 稲男洋一 , INAO, YOUICHI
IPC分类号： C09J7/20 , H01L21/683 , C09J133/08
摘要：本發明提供一種樹脂膜形成用薄片，其係用以貼附於矽晶圓，並於該矽晶圓上形成樹脂膜之薄片，且滿足下述要件(I)~(III)之再加工性及端部密著性優異者，要件(I)：前述樹脂膜形成用薄片之與矽晶圓貼附側之表面(α)之表面粗糙度(Ra)為50nm以下，要件(II)：前述樹脂膜形成用薄片之表面(α)之對於矽晶圓之黏著力(α 1)係1.0~7.0N/25mm，要件(III)：前述樹脂膜形成用薄片之與矽晶圓貼附側係相反側之表面(β)對於由特定黏著劑所形成之具有厚度10~50μm之黏著劑層之黏著薄片之黏著劑層之黏著力(β 1)為4.0N/25mm以上。
简体摘要：本发明提供一种树脂膜形成用薄片，其系用以贴附于硅晶圆，并于该硅晶圆上形成树脂膜之薄片，且满足下述要件(I)~(III)之再加工性及端部密着性优异者，要件(I)：前述树脂膜形成用薄片之与硅晶圆贴附侧之表面(α)之表面粗糙度(Ra)为50nm以下，要件(II)：前述树脂膜形成用薄片之表面(α)之对于硅晶圆之黏着力(α 1)系1.0~7.0N/25mm，要件(III)：前述树脂膜形成用薄片之与硅晶圆贴附侧系相反侧之表面(β)对于由特定黏着剂所形成之具有厚度10~50μm之黏着剂层之黏着薄片之黏着剂层之黏着力(β 1)为4.0N/25mm以上。

7. 发明专利

TWI689412B 樹脂膜形成用複合薄片、及附樹脂膜之晶片之製造方法有权
简体标题：树脂膜形成用复合薄片、及附树脂膜之芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI689412B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105103476
申请日：2016-02-03
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 小橋力也 , KOBASHI, RIKIYA
IPC分类号： B32B27/00 , B32B7/02 , C09J7/20

8. 发明专利

TWI688633B 具有樹脂層的工件固定片有权
简体标题：具有树脂层的工件固定片
公开(公告)号：TWI688633B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW104130756
申请日：2015-09-17
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐伯尙哉 , SAIKI, NAOYA
IPC分类号： C09J7/20 , C09J133/10 , H01L21/683

9. 发明专利

TW202010811A 工件加工用片材及加工完成的工件的製造方法审中-公开
简体标题：工件加工用片材及加工完成的工件的制造方法
公开(公告)号：TW202010811A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108101472
申请日：2019-01-15
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：小笠原孝文 , OGASAWARA, TAKAFUMI , 坂本美紗季 , SAKAMOTO, MISAKI , 佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA
IPC分类号： C09J7/29 , C09J7/35 , H01L21/301
摘要：一種工件加工用片材，其係具備基材和黏著劑層之工件加工用片材，其中前述黏著劑層由活性能量射線固化性黏著劑所構成，前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面的水接觸角超過80°，前述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力為5000mN/25mm以下，在前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面上積層包含甲基乙基酮的不織布，且在23℃、相對濕度為50％的環境下靜置15分鐘之後，使用前述不織布擦拭之前述表面，並藉由在23℃、相對濕度為50％的環境下靜置1小時而乾燥之前述表面所測量到的水接觸角為50°以上、80°以下。這種工件加工用片材，能夠將附著於加工後的工件的源自黏著劑層之黏著劑藉由流水良好地去除，而且可以將加工後的工件良好地分離。
简体摘要：一种工件加工用片材，其系具备基材和黏着剂层之工件加工用片材，其中前述黏着剂层由活性能量射线固化性黏着剂所构成，前述黏着剂层中与前述基材为相反侧的表面的水接触角超过80°，前述工件加工用片材对硅晶圆的黏着力为5000mN/25mm以下，在前述黏着剂层中与前述基材为相反侧的表面上积层包含甲基乙基酮的不织布，且在23℃、相对湿度为50％的环境下静置15分钟之后，使用前述不织布擦拭之前述表面，并借由在23℃、相对湿度为50％的环境下静置1小时而干燥之前述表面所测量到的水接触角为50°以上、80°以下。这种工件加工用片材，能够将附着于加工后的工件的源自黏着剂层之黏着剂借由流水良好地去除，而且可以将加工后的工件良好地分离。

10. 发明专利

TW202010807A 工件加工用片材及加工完成的工件的製造方法审中-公开
简体标题：工件加工用片材及加工完成的工件的制造方法
公开(公告)号：TW202010807A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108101471
申请日：2019-01-15
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：小笠原孝文 , OGASAWARA, TAKAFUMI , 坂本美紗季 , SAKAMOTO, MISAKI , 佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA
IPC分类号： C09J7/20 , C09J7/29 , C09J133/04 , C08F290/12 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/683
摘要：一種工件加工用片材，其係具備基材和積層於前述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材，其中前述黏著劑層由活性能量射線固化性黏著劑所構成，在前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0為28原子%以下，且在前述黏著劑層的內部的位置中、距離前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100為20原子%以上、29原子%以下。這種工件加工用片材，能夠將附著於加工後的工件的源自黏著劑層之黏著劑藉由流水良好地去除，而且可以將加工後的工件良好地分離。
简体摘要：一种工件加工用片材，其系具备基材和积层于前述基材单面侧的黏着剂层之工件加工用片材，其中前述黏着剂层由活性能量射线固化性黏着剂所构成，在前述黏着剂层中与前述基材为相反侧的表面利用X射线光电子能谱分析所测量到的氧原子比率R0为28原子%以下，且在前述黏着剂层的内部的位置中、距离前述黏着剂层中与前述基材为相反侧的表面之深度为100nm的位置，利用X射线光电子能谱分析所测量到的氧原子比率R100为20原子%以上、29原子%以下。这种工件加工用片材，能够将附着于加工后的工件的源自黏着剂层之黏着剂借由流水良好地去除，而且可以将加工后的工件良好地分离。

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