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1. 发明专利

TWI683358B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI683358B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW105111852
申请日：2016-04-15
申请人：日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 堀米克彦 , HORIGOME, KATSUHIKO , 米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 荒井善男 , ARAI, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/304

2. 发明专利

TW201735196A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201735196A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105135246
申请日：2016-10-31
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：山岸正憲 , YAMAGISHI, MASANORI , 佐藤明徳 , SATO, AKINORI , 荒井善男 , ARAI, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/00 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法，具備：(I)將依序設置有第1支持片(23)和熱硬化性樹脂層(25)之第1保護膜形成用薄膜(20)，以將熱硬化性樹脂層(25)作為貼合面之方式，貼合在半導體晶圓(10)之設置有凸塊(11)之表面的工程；(II)從熱硬化性樹脂層(25)剝離第1支持片(23)的工程；(III)加熱熱硬化性樹脂層(25)而使其硬化，形成保護膜的工程；及(IV)與熱硬化性樹脂層或保護膜同時切割半導體晶圓(10)的工程。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法，具备：(I)将依序设置有第1支持片(23)和热硬化性树脂层(25)之第1保护膜形成用薄膜(20)，以将热硬化性树脂层(25)作为贴合面之方式，贴合在半导体晶圆(10)之设置有凸块(11)之表面的工程；(II)从热硬化性树脂层(25)剥离第1支持片(23)的工程；(III)加热热硬化性树脂层(25)而使其硬化，形成保护膜的工程；及(IV)与热硬化性树脂层或保护膜同时切割半导体晶圆(10)的工程。

3. 发明专利

TW201642337A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201642337A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105111852
申请日：2016-04-15
申请人：琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
发明人：佐伯尚哉 , SAIKI, NAOYA , 堀米克彦 , HORIGOME, KATSUHIKO , 米山裕之 , YONEYAMA, HIROYUKI , 荒井善男 , ARAI, YOSHIO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L23/00
摘要：本發明之半導體裝置之製造方法具備：自半導體晶圓之正面側形成溝，或於半導體晶圓形成改質區域之前處理步驟、與將前述半導體晶圓自背面側研磨，沿著前述溝或改質區域將該半導體晶圓單片化成複數晶片之晶片單片化步驟、與在支持體上設置有熱硬化性保護膜形成用薄膜之附有支持體之保護膜形成用薄膜的熱硬化性保護膜形成用薄膜側貼附於經單片化之前述半導體晶圓的背面之貼附步驟、與將貼附於前述半導體晶圓上之前述熱硬化性保護膜形成用薄膜熱硬化，作成保護膜之熱硬化步驟、與前述熱硬化步驟之後，將在前述晶片上積層有前述保護膜之附有保護膜之晶片拾取之拾取步驟。
简体摘要：本发明之半导体设备之制造方法具备：自半导体晶圆之正面侧形成沟，或于半导体晶圆形成改质区域之前处理步骤、与将前述半导体晶圆自背面侧研磨，沿着前述沟或改质区域将该半导体晶圆单片化成复数芯片之芯片单片化步骤、与在支持体上设置有热硬化性保护膜形成用薄膜之附有支持体之保护膜形成用薄膜的热硬化性保护膜形成用薄膜侧贴附于经单片化之前述半导体晶圆的背面之贴附步骤、与将贴附于前述半导体晶圆上之前述热硬化性保护膜形成用薄膜热硬化，作成保护膜之热硬化步骤、与前述热硬化步骤之后，将在前述芯片上积层有前述保护膜之附有保护膜之芯片十取之十取步骤。

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