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    • 9. 发明专利
    • 半導體裝置及其製造方法
    • 半导体设备及其制造方法
    • TW201836035A
    • 2018-10-01
    • TW106123296
    • 2017-07-12
    • 東芝記憶體股份有限公司TOSHIBA MEMORY CORPORATION
    • 本間荘一HOMMA, SOICHI福田昌利FUKUDA, MASATOSHI
    • H01L21/67H01L21/56
    • 本發明之實施形態提供一種可抑制封裝之裂痕、半導體晶片破裂、外觀不良的半導體裝置及其製造方法。 本實施形態之半導體裝置具備配線基板、第1半導體晶片、第2半導體晶片及樹脂。第1半導體晶片具有第1面、位於該第1面之相反側之第2面、及位於第1面之外緣與第2面之外緣之間之第1側面,且設置於配線基板上方。第1側面成為解理面。第2半導體晶片具有第3面、位於該第3面之相反側之第4面、位於第3面之外緣與第4面之外緣之間之第2側面、及貫通第3面與第4面之間之至少半導體基板之貫通電極。第2側面成為解理面及改質面。第2半導體晶片設置於配線基板與第1半導體晶片之間。樹脂設置於第1及第2半導體晶片之周圍。
    • 本发明之实施形态提供一种可抑制封装之裂痕、半导体芯片破裂、外观不良的半导体设备及其制造方法。 本实施形态之半导体设备具备配线基板、第1半导体芯片、第2半导体芯片及树脂。第1半导体芯片具有第1面、位于该第1面之相反侧之第2面、及位于第1面之外缘与第2面之外缘之间之第1侧面,且设置于配线基板上方。第1侧面成为解理面。第2半导体芯片具有第3面、位于该第3面之相反侧之第4面、位于第3面之外缘与第4面之外缘之间之第2侧面、及贯通第3面与第4面之间之至少半导体基板之贯通电极。第2侧面成为解理面及改质面。第2半导体芯片设置于配线基板与第1半导体芯片之间。树脂设置于第1及第2半导体芯片之周围。