专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202030197A 鈷錯合物、其製造方法以及含鈷薄膜的製造方法审中-公开
简体标题：钴错合物、其制造方法以及含钴薄膜的制造方法
公开(公告)号：TW202030197A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140511
申请日：2019-11-07
申请人：日商東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 早川哲平 , HAYAKAWA, TEPPEI , 山本有紀 , YAMAMOTO, YUKI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18
摘要：本發明提供一種對於在不使用氧化性氣體的條件下製造含鈷薄膜而言有用的室溫下為液體的鈷錯合物。一種由通式（1）所表示的鈷錯合物。 [化1] （式中，L1及L2不同，分別表示由通式（A）所表示的單牙醯胺配位子、由通式（B）所表示的雙牙醯胺配位子或由通式（C）所表示的含雜原子的配位子） [化2] （式中，R1及R2分別獨立地表示碳數1～6的烷基或三(碳數1～6的烷基)矽烷基。波浪線表示與鈷原子的鍵結鍵） [化3] （式中，R3表示三(碳數1～6的烷基)矽烷基。R4及R5分別獨立地表示碳數1～4的烷基。X表示碳數1～6的伸烷基） [化4] （式中，R6及R8分別獨立地表示碳數1～6的烷基。R7表示氫原子或碳數1～4的烷基。Y表示氧原子或NR9。Z表示氧原子或NR10。R9及R10分別獨立地表示碳數1～6的烷基）
简体摘要：本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜而言有用的室温下为液体的钴错合物。一种由通式（1）所表示的钴错合物。 [化1] （式中，L1及L2不同，分别表示由通式（A）所表示的单牙酰胺配位子、由通式（B）所表示的双牙酰胺配位子或由通式（C）所表示的含杂原子的配位子） [化2] （式中，R1及R2分别独立地表示碳数1～6的烷基或三(碳数1～6的烷基)硅烷基。波浪线表示与钴原子的键结键） [化3] （式中，R3表示三(碳数1～6的烷基)硅烷基。R4及R5分别独立地表示碳数1～4的烷基。X表示碳数1～6的伸烷基） [化4] （式中，R6及R8分别独立地表示碳数1～6的烷基。R7表示氢原子或碳数1～4的烷基。Y表示氧原子或NR9。Z表示氧原子或NR10。R9及R10分别独立地表示碳数1～6的烷基）

2. 发明专利

TWI701254B 取代環戊二烯鈷錯合物及其製造方法、以及含鈷薄膜的製作方法有权
简体标题：取代环戊二烯钴错合物及其制造方法、以及含钴薄膜的制作方法
公开(公告)号：TWI701254B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105141306
申请日：2016-12-14
申请人：日商東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：小礒尚之 , KOISO, NAOYUKI , 山本有紀 , YAMAMOTO, YUKI , 尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 早川哲平 , HAYAKAWA, TEPPEI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C07F7/18 , C23C16/18

3. 发明专利

TW201443067A 釕錯合物及其製造方法、陽離子性三腈錯合物及其製造方法、以及含釕薄膜的製造方法审中-公开
简体标题：钌错合物及其制造方法、阳离子性三腈错合物及其制造方法、以及含钌薄膜的制造方法
公开(公告)号：TW201443067A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102144512
申请日：2013-12-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：多田賢一 , TADA, KEN-ICHI , 山本俊樹 , YAMAMOTO, TOSHIKI , 尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI , 千葉洋一 , CHIBA, HIROKAZU , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 河野和久 , KAWANO, KAZUHISA
IPC分类号： C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
摘要：本發明提供一種釕錯合物及該釕錯合物的製造方法，無論於使用氧化性氣體作為反應氣體的條件下還是使用還原性氣體作為反應氣體的條件下，上述釕錯合物均可用於製造含釕薄膜。通式(1a)、通式(2)、通式(3)所表示的釕錯合物。 (式中，R1a、R2a、R3a、R4a及R5a分別獨立地表示氫原子或碳數1~6的烷基。其中，將R1a、R2a、R3a、R4a及R5a全部同時為甲基的情形除外。R6a及R7a分別獨立地表示碳數1~6的烷基) (式中，R8及R9分別獨立地表示碳數1~6的烷基。n表示0~2的整數) (式中，R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16及R17分別獨立地表示氫原子或碳數1~6的烷基。R18表示碳數1~6的烷基。其中於R15、R16及R17全部同時為氫原子時，將R10、R11、R12、R13、R14及R18全部同時為甲基的情形除外)
简体摘要：本发明提供一种钌错合物及该钌错合物的制造方法，无论于使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是使用还原性气体作为反应气体的条件下，上述钌错合物均可用于制造含钌薄膜。通式(1a)、通式(2)、通式(3)所表示的钌错合物。 (式中，R1a、R2a、R3a、R4a及R5a分别独立地表示氢原子或碳数1~6的烷基。其中，将R1a、R2a、R3a、R4a及R5a全部同时为甲基的情形除外。R6a及R7a分别独立地表示碳数1~6的烷基) (式中，R8及R9分别独立地表示碳数1~6的烷基。n表示0~2的整数) (式中，R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16及R17分别独立地表示氢原子或碳数1~6的烷基。R18表示碳数1~6的烷基。其中于R15、R16及R17全部同时为氢原子时，将R10、R11、R12、R13、R14及R18全部同时为甲基的情形除外)

4. 发明专利

TWI610933B 製膜用材料、ＩＶ族金屬氧化物膜及伸乙烯基二醯胺（ｖｉｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｄｅ）錯合體有权
简体标题：制膜用材料、ＩＶ族金属氧化物膜及伸乙烯基二酰胺（ｖｉｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｄｅ）错合体
公开(公告)号：TWI610933B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW101132361
申请日：2012-09-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 淺野祥生 , ASANO, SACHIO , 川火田貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 平井聰里 , HIRAI, SATORI , 原田美德 , HARADA, YOSHINORI , 新井一喜 , ARAI, KAZUYOSHI , 多田賢一 , TADA, KENICHI
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/40
CPC分类号： C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/006 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282

5. 发明专利

TWI610932B 釕錯合物及其製造方法、陽離子性三腈錯合物及其製造方法、以及含釕薄膜的製造方法有权
简体标题：钌错合物及其制造方法、阳离子性三腈错合物及其制造方法、以及含钌薄膜的制造方法
公开(公告)号：TWI610932B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW102144512
申请日：2013-12-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：多田賢一 , TADA, KEN-ICHI , 山本俊樹 , YAMAMOTO, TOSHIKI , 尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI , 千葉洋一 , CHIBA, HIROKAZU , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 河野和久 , KAWANO, KAZUHISA
IPC分类号： C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871

6. 发明专利

TWI618712B 第五族金屬側氧基－烷側氧基錯合物及其製造方法、製膜用材料及第五族金屬氧化物膜的製作方法有权
简体标题：第五族金属侧氧基－烷侧氧基错合物及其制造方法、制膜用材料及第五族金属氧化物膜的制作方法
公开(公告)号：TWI618712B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW102148084
申请日：2013-12-25
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：浅野祥生 , ASANO, SACHIO , 木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 原靖 , HARA, YASUSHI , 原大治 , HARA, DAIJI , 田中陵二 , TANAKA, RYOJI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F9/00
CPC分类号： C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318

7. 发明专利

TW201602120A 鈷錯合物及其製造方法、含有鈷的薄膜及其製作方法审中-公开
简体标题：钴错合物及其制造方法、含有钴的薄膜及其制作方法
公开(公告)号：TW201602120A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118222
申请日：2015-06-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 河野和久 , KAWANO, KAZUHISA , 小礒尙之 , KOISO, NAOYUKI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： C07F15/06 , C07C11/12 , C07C11/167 , C07C11/18 , C07C13/23 , C07C13/263 , C07F17/02 , C07F19/00 , C23C16/18
摘要：本發明提供一種於在不使用氧化性氣體的條件下製作含有鈷的薄膜時有用的鈷錯合物。本發明的鈷錯合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的醯基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基醯亞胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氫原子或成為一體而形成碳數1～4的伸烷基的基團；RD 、RE 、RF 及RG 分別獨立地表示氫原子或碳數1～4的烷基；其中於m為2時，將RA 為醯基（II）、1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；於RA 為N-烷基醯亞胺基（IV）時，將RB 及RC 為成為一體而形成亞甲基的基團的情形除外），（式中，RH 表示氫原子或可經氟原子取代的碳數1～6的烷基），（式中，RH 與通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳數1～4的烷基）（RJ 表示碳數1～6的烷基；RK表示可經二(碳數1～3的烷基)胺基取代的碳數1～6的烷基），（式中，RM 表示氫原子或碳數1～4的烷基；RL 表示碳數1～4的烷基；波浪線表示E/Z幾何異構物的任一種或該些幾何異構物的混合物）。
简体摘要：本发明提供一种于在不使用氧化性气体的条件下制作含有钴的薄膜时有用的钴错合物。本发明的钴错合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的酰基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基酰亚胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氢原子或成为一体而形成碳数1～4的伸烷基的基团；RD 、RE 、RF 及RG 分别独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基；其中于m为2时，将RA 为酰基（II）、1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；于RA 为N-烷基酰亚胺基（IV）时，将RB 及RC 为成为一体而形成亚甲基的基团的情形除外），（式中，RH 表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1～6的烷基），（式中，RH 与通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳数1～4的烷基）（RJ 表示碳数1～6的烷基；RK表示可经二(碳数1～3的烷基)胺基取代的碳数1～6的烷基），（式中，RM 表示氢原子或碳数1～4的烷基；RL 表示碳数1～4的烷基；波浪线表示E/Z几何异构物的任一种或该些几何异构物的混合物）。

8. 发明专利

TWI520968B 氫矽烷衍生物及其製造方法與含矽薄膜之製造方法有权
简体标题：氢硅烷衍生物及其制造方法与含硅薄膜之制造方法
公开(公告)号：TWI520968B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW100119594
申请日：2011-06-03
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：多田賢一 , TADA, KENICHI , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 山本俊樹 , YAMAMOTO, TOSHIKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI
IPC分类号： C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42
CPC分类号： C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271

9. 发明专利

TW201431869A 第五族金屬側氧基－烷側氧基錯合物及其製造方法、製膜用材料及第五族金屬氧化物膜的製造方法审中-公开
简体标题：第五族金属侧氧基－烷侧氧基错合物及其制造方法、制膜用材料及第五族金属氧化物膜的制造方法
公开(公告)号：TW201431869A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148084
申请日：2013-12-25
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：浅野祥生 , ASANO, SACHIO , 木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 原靖 , HARA, YASUSHI , 原大治 , HARA, DAIJI , 田中陵二 , TANAKA, RYOJI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F9/00
CPC分类号： C07F9/005 , C07C29/68 , C07C31/28 , C07C33/26 , C07F9/00 , H01L21/02118 , H01L21/02175 , H01L21/02183 , H01L21/02194 , H01L21/02282 , H01L21/02318
摘要：本發明提供一種用作製作第五族金屬氧化物膜所使用的製膜用材料的通式(A)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物、較佳是通式(1)、化學式(3)、化學式(4)或化學式(5)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物及其製造方法。製造通式(A)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物、較佳是通式(1)、化學式(3)、化學式(4)或化學式(5)所表示的第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物，更藉由含有第五族金屬側氧基-烷側氧基錯合物與有機溶劑而製備製膜用材料溶液，使用製膜用材料溶液而製作第五族金屬氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A) (式中，M表示鈮原子或鉭原子。RA表示C1~C6的烷基。X表示亦可經苯基取代的C1~C8的伸烷基二氧基。Y表示亦可經鹵素原子取代的C2~C8的羧基或乙醯丙酮基。α表示3~10的整數、β表示0或1、γ表示0~8的整數、δ表示2~9的整數、ε表示0~6的整數、ζ表示6~16的整數、η表示0~4的整數、θ表示0~2的整數、ι表示0~6的整數。其中，α~ι表示滿足5α=2(β+γ+δ+θ)+ε+ζ+ι的整數) MA(μ4-O)B(μ3-O)C(μ-O)D(μ-OtBu)E(OtBu)F (1) (式中，M表示鈮原子或鉭原子。A、B、C、D、E、F分別表示10、1、8、8、0、16或9、1、5、9、1、14的數值)
简体摘要：本发明提供一种用作制作第五族金属氧化物膜所使用的制膜用材料的通式(A)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物、较佳是通式(1)、化学式(3)、化学式(4)或化学式(5)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物及其制造方法。制造通式(A)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物、较佳是通式(1)、化学式(3)、化学式(4)或化学式(5)所表示的第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物，更借由含有第五族金属侧氧基-烷侧氧基错合物与有机溶剂而制备制膜用材料溶液，使用制膜用材料溶液而制作第五族金属氧化物膜。Mα(μ4-O)β(μ3-O)γ(μ-O)δ(μ-ORA)ε(ORA)ζ(RAOH)ηXθYι (A) (式中，M表示铌原子或钽原子。RA表示C1~C6的烷基。X表示亦可经苯基取代的C1~C8的伸烷基二氧基。Y表示亦可经卤素原子取代的C2~C8的羧基或乙酰丙酮基。α表示3~10的整数、β表示0或1、γ表示0~8的整数、δ表示2~9的整数、ε表示0~6的整数、ζ表示6~16的整数、η表示0~4的整数、θ表示0~2的整数、ι表示0~6的整数。其中，α~ι表示满足5α=2(β+γ+δ+θ)+ε+ζ+ι的整数) MA(μ4-O)B(μ3-O)C(μ-O)D(μ-OtBu)E(OtBu)F (1) (式中，M表示铌原子或钽原子。A、B、C、D、E、F分别表示10、1、8、8、0、16或9、1、5、9、1、14的数值)

10. 发明专利

TW201326185A 製膜用材料、ＩＶ族金屬氧化物膜及伸乙烯基二醯胺（ｖｉｎｙｌｅｎｄｉａｍｉｄｅ）錯合體审中-公开
简体标题：制膜用材料、ＩＶ族金属氧化物膜及伸乙烯基二酰胺（ｖｉｎｙｌｅｎｄｉａｍｉｄｅ）错合体
公开(公告)号：TW201326185A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101132361
申请日：2012-09-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 岩永宏平 , IWANAGA, KOHEI , 淺野祥生 , ASANO, SACHIO , 川火田貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 平井聰里 , HIRAI, SATORI , 原田美德 , HARADA, YOSHINORI , 新井一喜 , ARAI, KAZUYOSHI , 多田賢一 , TADA, KENICHI
IPC分类号： C07F7/00 , C23C16/40
CPC分类号： C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/006 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
摘要：本發明之課題係以提供一在低溫下製作在作為半導體元件或光學元件為有用的IV族金屬氧化物膜之方法。本發明為關於，在將溶解於有機溶媒中的製膜用材料塗佈於基板之表面，並藉由進行熱處理或紫外線照射處理，或該雙方之處理來製作IV族金屬氧化物膜之方法中，作為製膜用材料係使用使具有特定構造的伸乙烯基二醯胺錯合體與氧氣、空氣、臭氧、水、過氧化氫等之氧化劑反應而得到的製膜用材料。
简体摘要：本发明之课题系以提供一在低温下制作在作为半导体组件或光学组件为有用的IV族金属氧化物膜之方法。本发明为关于，在将溶解于有机溶媒中的制膜用材料涂布于基板之表面，并借由进行热处理或紫外线照射处理，或该双方之处理来制作IV族金属氧化物膜之方法中，作为制膜用材料系使用使具有特定构造的伸乙烯基二酰胺错合体与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等之氧化剂反应而得到的制膜用材料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式