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1. 发明专利

TWI701254B 取代環戊二烯鈷錯合物及其製造方法、以及含鈷薄膜的製作方法有权
简体标题：取代环戊二烯钴错合物及其制造方法、以及含钴薄膜的制作方法
公开(公告)号：TWI701254B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105141306
申请日：2016-12-14
申请人：日商東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：小礒尚之 , KOISO, NAOYUKI , 山本有紀 , YAMAMOTO, YUKI , 尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 早川哲平 , HAYAKAWA, TEPPEI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C07F7/18 , C23C16/18

2. 发明专利

TW201602120A 鈷錯合物及其製造方法、含有鈷的薄膜及其製作方法审中-公开
简体标题：钴错合物及其制造方法、含有钴的薄膜及其制作方法
公开(公告)号：TW201602120A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104118222
申请日：2015-06-05
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 公益財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH INSTITUTE
发明人：尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 摩庭篤 , MANIWA, ATSUSHI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 河野和久 , KAWANO, KAZUHISA , 小礒尙之 , KOISO, NAOYUKI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC分类号： C07F15/06 , C07C11/12 , C07C11/167 , C07C11/18 , C07C13/23 , C07C13/263 , C07F17/02 , C07F19/00 , C23C16/18
摘要：本發明提供一種於在不使用氧化性氣體的條件下製作含有鈷的薄膜時有用的鈷錯合物。本發明的鈷錯合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的醯基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基醯亞胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氫原子或成為一體而形成碳數1～4的伸烷基的基團；RD 、RE 、RF 及RG 分別獨立地表示氫原子或碳數1～4的烷基；其中於m為2時，將RA 為醯基（II）、1-三氟甲基-1-矽烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；於RA 為N-烷基醯亞胺基（IV）時，將RB 及RC 為成為一體而形成亞甲基的基團的情形除外），（式中，RH 表示氫原子或可經氟原子取代的碳數1～6的烷基），（式中，RH 與通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳數1～4的烷基）（RJ 表示碳數1～6的烷基；RK表示可經二(碳數1～3的烷基)胺基取代的碳數1～6的烷基），（式中，RM 表示氫原子或碳數1～4的烷基；RL 表示碳數1～4的烷基；波浪線表示E/Z幾何異構物的任一種或該些幾何異構物的混合物）。
简体摘要：本发明提供一种于在不使用氧化性气体的条件下制作含有钴的薄膜时有用的钴错合物。本发明的钴错合物是由通式（I）所表示。（式中，RA 表示通式（II）所表示的酰基、通式（III）所表示的1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基、通式（IV）所表示的N-烷基酰亚胺基或通式（V）所表示的烯基，m表示0或2；RB 及RC 表示氢原子或成为一体而形成碳数1～4的伸烷基的基团；RD 、RE 、RF 及RG 分别独立地表示氢原子或碳数1～4的烷基；其中于m为2时，将RA 为酰基（II）、1-三氟甲基-1-硅烷氧基烷基（III）及烯基（V）的情形除外；于RA 为N-烷基酰亚胺基（IV）时，将RB 及RC 为成为一体而形成亚甲基的基团的情形除外），（式中，RH 表示氢原子或可经氟原子取代的碳数1～6的烷基），（式中，RH 与通式（II）的RH 表示相同含意；RI 表示碳数1～4的烷基）（RJ 表示碳数1～6的烷基；RK表示可经二(碳数1～3的烷基)胺基取代的碳数1～6的烷基），（式中，RM 表示氢原子或碳数1～4的烷基；RL 表示碳数1～4的烷基；波浪线表示E/Z几何异构物的任一种或该些几何异构物的混合物）。

3. 发明专利

TW201728597A 取代環戊二烯鈷錯合物及其製造方法、含鈷薄膜及其製作方法、以及半導體器件审中-公开
简体标题：取代环戊二烯钴错合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法、以及半导体器件
公开(公告)号：TW201728597A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105141306
申请日：2016-12-14
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION
发明人：小礒尚之 , KOISO, NAOYUKI , 山本有紀 , YAMAMOTO, YUKI , 尾池浩幸 , OIKE, HIROYUKI , 早川哲平 , HAYAKAWA, TEPPEI , 古川泰志 , FURUKAWA, TAISHI , 多田賢一 , TADA, KEN-ICHI
IPC分类号： C07F15/06 , C07F7/18 , C23C16/18
CPC分类号： C07F15/06 , C07F17/00 , C07F19/00 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
摘要：本發明提供一種對於在不使用氧化性氣體的條件下製作含鈷薄膜而言有用的鈷錯合物。一種鈷錯合物，其由通式（1） [化1]（式中，R1表示通式（2） [化2]（式中，R6、R7及R8分別獨立地表示碳數1～6的烷基）所表示的矽烷氧基；R2表示氫原子、碳數1～6的烷基或通式（2）所表示的矽烷氧基；R3、R4及R5分別獨立地表示氫原子或碳數1～6的烷基；L表示碳數4～10的二烯）所示。
简体摘要：本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜而言有用的钴错合物。一种钴错合物，其由通式（1） [化1]（式中，R1表示通式（2） [化2]（式中，R6、R7及R8分别独立地表示碳数1～6的烷基）所表示的硅烷氧基；R2表示氢原子、碳数1～6的烷基或通式（2）所表示的硅烷氧基；R3、R4及R5分别独立地表示氢原子或碳数1～6的烷基；L表示碳数4～10的二烯）所示。

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