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1. 发明专利

TWI674627B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI674627B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：TW107110224
申请日：2018-03-26
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：廣田侯然 , HIROTA, KOSA , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 中宇禰功一 , NAKAUNE, KOICHI , 玉利南菜子 , TAMARI, NANAKO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065

2. 发明专利

TW201839847A 電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TW201839847A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107110224
申请日：2018-03-26
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：廣田侯然 , HIROTA, KOSA , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 中宇禰功一 , NAKAUNE, KOICHI , 玉利南菜子 , TAMARI, NANAKO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明的目的在於提供把半導體基板等晶圓進行電漿蝕刻的電漿處理方法，除去由於晶圓的蝕刻處理而堆積於處理室內的金屬與非金屬之複合堆積物，可以減低堆積物導致異物的發生之電漿處理方法。　　本發明，係在處理室內電漿蝕刻試樣而電漿清潔前述處理室內之電漿處理方法，特徵為具有：將前述試樣進行特定枚數電漿蝕刻的蝕刻步驟、前述蝕刻步驟後，使用電漿除去含有金屬元素的堆積膜之金屬除去步驟、使用與前述金屬除去步驟之電漿不同的電漿來除去含有非金屬元素的堆積膜之非金屬除去步驟；反覆進行2次以上前述金屬除去步驟與前述非金屬除去步驟。
简体摘要：本发明的目的在于提供把半导体基板等晶圆进行等离子蚀刻的等离子处理方法，除去由于晶圆的蚀刻处理而堆积于处理室内的金属与非金属之复合堆积物，可以减低堆积物导致异物的发生之等离子处理方法。　　本发明，系在处理室内等离子蚀刻试样而等离子清洁前述处理室内之等离子处理方法，特征为具有：将前述试样进行特定枚数等离子蚀刻的蚀刻步骤、前述蚀刻步骤后，使用等离子除去含有金属元素的堆积膜之金属除去步骤、使用与前述金属除去步骤之等离子不同的等离子来除去含有非金属元素的堆积膜之非金属除去步骤；反复进行2次以上前述金属除去步骤与前述非金属除去步骤。

3. 发明专利

TWI528452B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI528452B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102124738
申请日：2013-07-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 廣田侯然 , HIROTA, KOUSA , 福地功祐 , FUKUCHI, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G01B11/0616 , G01B11/0683 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201438094A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201438094A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102124738
申请日：2013-07-10
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 廣田侯然 , HIROTA, KOUSA , 福地功祐 , FUKUCHI, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , G01B11/0616 , G01B11/0683 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明的課題是在於提供一種在蝕刻處理中精密地檢測出處理對象的膜的殘餘厚度之電漿處理裝置或方法。其解決手段是在處理中檢測出自前述晶圓表面取得的複數的波長的干涉光的強度，自前述處理中的任意的時刻所檢測出的前述複數的波長的干涉光的強度來檢測出該等的時間微分的時間序列資料，利用有關前述複數的波長的前述時間序列資料來檢測出以波長作為參數的實微分波形圖案資料，利用比較此實微分波形圖案資料與檢測用微分波形圖案資料的結果來算出前述任意的時刻的殘餘膜厚度，該檢測用微分波形圖案資料是利用以在前述晶圓的處理之前預先具有2個不同底層膜的厚度之膜構造的前述處理對象的膜的殘餘厚度及前述干涉光的波長作為參數的基本微分波形圖案資料來作成，利用此殘餘膜厚度來判定朝前述處理的目標的到達。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种在蚀刻处理中精密地检测出处理对象的膜的残余厚度之等离子处理设备或方法。其解决手段是在处理中检测出自前述晶圆表面取得的复数的波长的干涉光的强度，自前述处理中的任意的时刻所检测出的前述复数的波长的干涉光的强度来检测出该等的时间微分的时间串行数据，利用有关前述复数的波长的前述时间串行数据来检测出以波长作为参数的实微分波形图案数据，利用比较此实微分波形图案数据与检测用微分波形图案数据的结果来算出前述任意的时刻的残余膜厚度，该检测用微分波形图案数据是利用以在前述晶圆的处理之前预先具有2个不同底层膜的厚度之膜构造的前述处理对象的膜的残余厚度及前述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据来作成，利用此残余膜厚度来判定朝前述处理的目标的到达。

5. 发明专利

TWI442468B 電漿處理裝置及電漿處理方法失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI442468B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW098105258
申请日：2009-02-19
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 廣田侯然 , HIROTA, KOSA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31122

6. 发明专利

TW201505094A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201505094A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103101818
申请日：2014-01-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：福地功祐 , FUKUCHI, KOUSUKE , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 廣田侯然 , HIROTA, KOSA
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/3065 , H01L22/26
摘要：提供一種電漿處理裝置或電漿處理方法，可從在基板上所形成之遮罩材料減低影響而高精度地檢測蝕刻量。 [解決手段] 一種電漿處理裝置，對於與將預先作成之使用以來自前述複數的膜層中之至少一者的膜之波長作為參數的干涉光之強度圖案與以與來自另一膜之光相關的波長作為參數之強度圖案所檢測之複數的圖案與在前述處理對象膜的處理中所檢測之來自前述處理室內之光的強度圖案進行比較下所獲得之差成為最小之前述複數的圖案之中的一個對應之膜厚度與目標的膜厚度進行比較，而判定前述處理對象膜之厚度到達前述目標的膜厚度。
简体摘要：提供一种等离子处理设备或等离子处理方法，可从在基板上所形成之遮罩材料减低影响而高精度地检测蚀刻量。 [解决手段] 一种等离子处理设备，对于与将预先作成之使用以来自前述复数的膜层中之至少一者的膜之波长作为参数的干涉光之强度图案与以与来自另一膜之光相关的波长作为参数之强度图案所检测之复数的图案与在前述处理对象膜的处理中所检测之来自前述处理室内之光的强度图案进行比较下所获得之差成为最小之前述复数的图案之中的一个对应之膜厚度与目标的膜厚度进行比较，而判定前述处理对象膜之厚度到达前述目标的膜厚度。

7. 发明专利

TWI384540B 試料之蝕刻處理方法有权
简体标题：试料之蚀刻处理方法
公开(公告)号：TWI384540B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW098104358
申请日：2009-02-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：廣田侯然 , HIROTA, KOUSA , 西森康博 , NISHIMORI, YASUHIRO , 內田丈滋 , UCHIDA, HIROSHIGE
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32972 , H01J37/32862 , H01J37/32935

8. 发明专利

TW201635377A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201635377A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104130145
申请日：2015-09-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：臼井建人 , USUI, TATEHITO , 廣田侯然 , HIROTA, KOSA , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU , 福地功祐 , FUKUCHI, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32926 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/26
摘要：本發明係一種電漿處理裝置及電漿處理方法，其課題為於處理中精密地檢測處理對象的膜之殘餘膜厚度，而使處理的產率提升者。解決手段為預先加以形成於載置在真空容器內部之處理室內的晶圓上面之膜構造，使用形成包含處理對象的膜及加以配置於其下方的基底膜之膜構造於前述處理室內之電漿而處理之電漿處理方法，其中，具備：將在任意的前述晶圓上之前述膜構造的處理中所得到之干擾光的波長作為參數之強度的實際圖案與將在前述任意的晶圓之處理之前，處理預先具有前述處理對象的膜及前述基底膜之3個以上之不同厚度之前述基底膜之膜構造所得到之前述干擾光的波長作為參數之強度的圖案之中，使用比較合成2個之檢測用圖案的資料與前述實際圖案的資料之結果而算出前述任意之晶圓的處理中之時刻的前述處理對象的膜之蝕刻量之步驟。
简体摘要：本发明系一种等离子处理设备及等离子处理方法，其课题为于处理中精密地检测处理对象的膜之残余膜厚度，而使处理的产率提升者。解决手段为预先加以形成于载置在真空容器内部之处理室内的晶圆上面之膜构造，使用形成包含处理对象的膜及加以配置于其下方的基底膜之膜构造于前述处理室内之等离子而处理之等离子处理方法，其中，具备：将在任意的前述晶圆上之前述膜构造的处理中所得到之干扰光的波长作为参数之强度的实际图案与将在前述任意的晶圆之处理之前，处理预先具有前述处理对象的膜及前述基底膜之3个以上之不同厚度之前述基底膜之膜构造所得到之前述干扰光的波长作为参数之强度的图案之中，使用比较合成2个之检测用图案的数据与前述实际图案的数据之结果而算出前述任意之晶圆的处理中之时刻的前述处理对象的膜之蚀刻量之步骤。

9. 发明专利

TWI416626B 電漿的處理方法及電漿處理裝置有权
简体标题：等离子的处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI416626B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW099144758
申请日：2010-12-20
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：廣田侯然 , HIROTA, KOUSA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192

10. 发明专利

TWI593020B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI593020B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104130145
申请日：2015-09-11
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：臼井建人 , USUI, TATEHITO , 廣田侯然 , HIROTA, KOSA , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU , 福地功祐 , FUKUCHI, KOUSUKE
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L22/20 , H01J37/32926 , H01J37/32963 , H01J37/32972 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L21/67253 , H01L22/12 , H01L22/26

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