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1. 发明专利

TW202030786A 降低載體磨耗的矽晶圓之研磨方法及其使用之研磨液审中-公开
简体标题：降低载体磨耗的硅晶圆之研磨方法及其使用之研磨液
公开(公告)号：TW202030786A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108133967
申请日：2019-09-20
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：山口隼人 , YAMAGUCHI, HAYATO , 棚次悠介 , TANATSUGU, YUSUKE , 石水英一郎 , ISHIMIZU, EIICHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：本發明提供一種研磨方法，其係藉由使用保持矽晶圓的載體的研磨裝置來進行該矽晶圓的研磨的方法，並且可降低載體磨耗。一種研磨方法，其係前述研磨裝置所使用的研磨液以0.1質量%～5質量%的二氧化矽濃度含有二氧化矽粒子，該二氧化矽粒子含有：以BET法測得的平均一次粒徑為4nm～30nm的粒徑，藉由電子束穿透投影像所求得的長軸的平均粒徑定為(X2)nm，以BET法測得的平均一次粒徑定為(X1)nm時，(X2/X1)比為1.2～1.8的二氧化矽粒子(A)；及以BET法測得的平均一次粒徑為超過30nm且在50nm以下的粒徑，藉由電子束穿透投影像所求得的長軸的平均粒徑定為(X2)nm，以BET法測得的平均一次粒徑定為(X1)nm時，(X2/X1)比為1.2～1.8的二氧化矽粒子(B)，前述二氧化矽粒子(A)：前述二氧化矽粒子(B)的質量比為100：0～85：15。
简体摘要：本发明提供一种研磨方法，其系借由使用保持硅晶圆的载体的研磨设备来进行该硅晶圆的研磨的方法，并且可降低载体磨耗。一种研磨方法，其系前述研磨设备所使用的研磨液以0.1质量%～5质量%的二氧化硅浓度含有二氧化硅粒子，该二氧化硅粒子含有：以BET法测得的平均一次粒径为4nm～30nm的粒径，借由电子束穿透投影像所求得的长轴的平均粒径定为(X2)nm，以BET法测得的平均一次粒径定为(X1)nm时，(X2/X1)比为1.2～1.8的二氧化硅粒子(A)；及以BET法测得的平均一次粒径为超过30nm且在50nm以下的粒径，借由电子束穿透投影像所求得的长轴的平均粒径定为(X2)nm，以BET法测得的平均一次粒径定为(X1)nm时，(X2/X1)比为1.2～1.8的二氧化硅粒子(B)，前述二氧化硅粒子(A)：前述二氧化硅粒子(B)的质量比为100：0～85：15。

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