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1. 发明专利

TW202030786A 降低載體磨耗的矽晶圓之研磨方法及其使用之研磨液审中-公开
简体标题：降低载体磨耗的硅晶圆之研磨方法及其使用之研磨液
公开(公告)号：TW202030786A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108133967
申请日：2019-09-20
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：山口隼人 , YAMAGUCHI, HAYATO , 棚次悠介 , TANATSUGU, YUSUKE , 石水英一郎 , ISHIMIZU, EIICHIRO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
摘要：本發明提供一種研磨方法，其係藉由使用保持矽晶圓的載體的研磨裝置來進行該矽晶圓的研磨的方法，並且可降低載體磨耗。一種研磨方法，其係前述研磨裝置所使用的研磨液以0.1質量%～5質量%的二氧化矽濃度含有二氧化矽粒子，該二氧化矽粒子含有：以BET法測得的平均一次粒徑為4nm～30nm的粒徑，藉由電子束穿透投影像所求得的長軸的平均粒徑定為(X2)nm，以BET法測得的平均一次粒徑定為(X1)nm時，(X2/X1)比為1.2～1.8的二氧化矽粒子(A)；及以BET法測得的平均一次粒徑為超過30nm且在50nm以下的粒徑，藉由電子束穿透投影像所求得的長軸的平均粒徑定為(X2)nm，以BET法測得的平均一次粒徑定為(X1)nm時，(X2/X1)比為1.2～1.8的二氧化矽粒子(B)，前述二氧化矽粒子(A)：前述二氧化矽粒子(B)的質量比為100：0～85：15。
简体摘要：本发明提供一种研磨方法，其系借由使用保持硅晶圆的载体的研磨设备来进行该硅晶圆的研磨的方法，并且可降低载体磨耗。一种研磨方法，其系前述研磨设备所使用的研磨液以0.1质量%～5质量%的二氧化硅浓度含有二氧化硅粒子，该二氧化硅粒子含有：以BET法测得的平均一次粒径为4nm～30nm的粒径，借由电子束穿透投影像所求得的长轴的平均粒径定为(X2)nm，以BET法测得的平均一次粒径定为(X1)nm时，(X2/X1)比为1.2～1.8的二氧化硅粒子(A)；及以BET法测得的平均一次粒径为超过30nm且在50nm以下的粒径，借由电子束穿透投影像所求得的长轴的平均粒径定为(X2)nm，以BET法测得的平均一次粒径定为(X1)nm时，(X2/X1)比为1.2～1.8的二氧化硅粒子(B)，前述二氧化硅粒子(A)：前述二氧化硅粒子(B)的质量比为100：0～85：15。

2. 发明专利

TW202030281A 使用高水親和性的研磨粒子之研磨用組成物审中-公开
简体标题：使用高水亲和性的研磨粒子之研磨用组成物
公开(公告)号：TW202030281A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108139633
申请日：2019-11-01
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：三井滋 , MITSUI, SHIGERU , 西村透 , NISHIMURA, TOHRU , 石水英一郎 , ISHIMIZU, EIICHIRO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供使用於裝置晶圓之CMP研磨之可高研磨速度與可抑制缺陷發生之研磨用組成物。一種研磨用組成物，其係包含氧化矽粒子之研磨用組成物，該氧化矽粒子基於膠體狀氧化矽分散液，其分散液之脈衝NMR之測定值Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)為0.15~0.7，且該氧化矽粒子之形狀係數SF1=(將粒子最大徑設為直徑之圓的面積)/(投影面積)為1.20~1.80。Rsp係表示水親和性之指標，Rav係膠體狀氧化矽分散液之緩和時間倒數，Rb係膠體狀氧化矽分散液中氧化矽粒子除外之空白水溶液之緩和時間倒數。膠體狀氧化矽分散液藉由動態光散射法測定之平均粒徑為40~200nm，該分散液中之氧化矽粒子藉由氮氣吸附法測定之平均一次粒徑為10~80nm。
简体摘要：本发明提供使用于设备晶圆之CMP研磨之可高研磨速度与可抑制缺陷发生之研磨用组成物。一种研磨用组成物，其系包含氧化硅粒子之研磨用组成物，该氧化硅粒子基于胶体状氧化硅分散液，其分散液之脉冲NMR之测定值Rsp=(Rav-Rb)/(Rb)为0.15~0.7，且该氧化硅粒子之形状系数SF1=(将粒子最大径设为直径之圆的面积)/(投影面积)为1.20~1.80。Rsp系表示水亲和性之指针，Rav系胶体状氧化硅分散液之缓和时间倒数，Rb系胶体状氧化硅分散液中氧化硅粒子除外之空白水溶液之缓和时间倒数。胶体状氧化硅分散液借由动态光散射法测定之平均粒径为40~200nm，该分散液中之氧化硅粒子借由氮气吸附法测定之平均一次粒径为10~80nm。

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