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1. 发明专利

TW201921120A 含有具有硬化性官能基之化合物的階差基板被覆組成物审中-公开
简体标题：含有具有硬化性官能基之化合物的阶差基板被覆组成物
公开(公告)号：TW201921120A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107132207
申请日：2018-09-13
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：德永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 緒方裕斗 , OGATA, HIROTO , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 中島誠 , NAKAJIMA, MAKOTO
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明之課題為提供形成具有對圖型之填充性與平坦化性的被膜之階差基板被覆組成物。其解決手段為一種階差基板被覆組成物，其係含有主劑與溶劑，以光照射而硬化，或者於光照射中或光照射後以30℃至300℃之加熱而硬化之階差基板被覆組成物，其中主劑含有下述化合物(A)、化合物(B)，或該等之混合物，化合物(A)為包含下述式(A-1)或式(A-2)：之部分構造的化合物，化合物(B)為包含選自由下述式(B-1)至式(B-5)表示之部分構造所成之群的至少一個部分構造，或包含由式(B-6)表示之部分構造與式(B-7)或式(B-8)表示之部分構造的組合所構成之部分構造的化合物，該組成物之固體成分中之上述主劑的含量為95質量%至100質量%。
简体摘要：本发明之课题为提供形成具有对图型之填充性与平坦化性的被膜之阶差基板被覆组成物。其解决手段为一种阶差基板被覆组成物，其系含有主剂与溶剂，以光照射而硬化，或者于光照射中或光照射后以30℃至300℃之加热而硬化之阶差基板被覆组成物，其中主剂含有下述化合物(A)、化合物(B)，或该等之混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)：之部分构造的化合物，化合物(B)为包含选自由下述式(B-1)至式(B-5)表示之部分构造所成之群的至少一个部分构造，或包含由式(B-6)表示之部分构造与式(B-7)或式(B-8)表示之部分构造的组合所构成之部分构造的化合物，该组成物之固体成分中之上述主剂的含量为95质量%至100质量%。

2. 发明专利

TW202018419A 聚合物主鏈中含有雜原子之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：聚合物主链中含有杂原子之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW202018419A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108125779
申请日：2019-07-22
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：上林哲 , KAMIBAYASHI, SATOSHI , 水落龍太 , MIZUOCHI, RYUTA , 佐久間大輔 , SAKUMA, DAISUKE , 遠藤雅久 , ENDO, MASAHISA , 西田登喜雄 , NISHITA, TOKIO , 遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 遠藤勇樹 , ENDO, YUKI , 岸岡高広 , KISHIOKA, TAKAHIRO
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/02 , C07D303/16 , H01L21/027
摘要：本發明提供尤其具有高乾蝕刻速度之阻劑下層膜、該阻劑下層膜形成組成物、阻劑圖型形成方法及半導體裝置之製造方法。該阻劑下層膜形成組成物包含環氧加成物形成化合物與以下述式(1)所示的化合物之環氧加成生成物及溶劑； [式(1)中，A1表示至少1個氫原子可被鹵素原子取代且被氧原子、硫原子、二硫基、磺醯基、羰基或亞胺基所中斷之碳原子數2～10的直鏈或分支伸烷基]。
简体摘要：本发明提供尤其具有高干蚀刻速度之阻剂下层膜、该阻剂下层膜形成组成物、阻剂图型形成方法及半导体设备之制造方法。该阻剂下层膜形成组成物包含环氧加成物形成化合物与以下述式(1)所示的化合物之环氧加成生成物及溶剂； [式(1)中，A1表示至少1个氢原子可被卤素原子取代且被氧原子、硫原子、二硫基、磺酰基、羰基或亚胺基所中断之碳原子数2～10的直链或分支伸烷基]。

3. 发明专利

TW201920524A 含有交聯性化合物之光硬化性段差基板被覆組成物审中-公开
简体标题：含有交联性化合物之光硬化性段差基板被覆组成物
公开(公告)号：TW201920524A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107127725
申请日：2018-08-09
申请人：日商日產化學股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL CORPORATION
发明人：遠藤貴文 , ENDO, TAKAFUMI , 徳永光 , TOKUNAGA, HIKARU
IPC分类号： C09D163/10 , C08G59/14 , C09D7/40 , B05D3/06 , G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明的課題係提供一種形成具有對圖型之填充性與平坦化性之被膜的段差基板被覆組成物。本發明的解決手段為一種上述組成物，其係包含：包含部分構造(I)與部分構造(II)之化合物(E)、溶劑(F)，及交聯性化合物(H)，且該部分構造(II)係包含藉由環氧基與質子發生化合物的反應所產生之羥基之光硬化性段差基板被覆組成物，該部分構造(I)係選自由下述式(1-1)~式(1-5)所成之群組中之至少一個部分構造，或由式(1-6)與式(1-7)或式(1-8)的組合所成之部分構造，部分構造(II)為下述式(2-1)或式(2-2)之部分構造。化合物(E)中，以成為0≦(環氧基)/(羥基)≦0.5之莫耳比包含環氧基與羥基，且以成為0.01≦(部分構造(II))/(部分構造(I)+部分構造(II))≦0.8之莫耳比包含部分構造(II)。
简体摘要：本发明的课题系提供一种形成具有对图型之填充性与平坦化性之被膜的段差基板被覆组成物。本发明的解决手段为一种上述组成物，其系包含：包含部分构造(I)与部分构造(II)之化合物(E)、溶剂(F)，及交联性化合物(H)，且该部分构造(II)系包含借由环氧基与质子发生化合物的反应所产生之羟基之光硬化性段差基板被覆组成物，该部分构造(I)系选自由下述式(1-1)~式(1-5)所成之群组中之至少一个部分构造，或由式(1-6)与式(1-7)或式(1-8)的组合所成之部分构造，部分构造(II)为下述式(2-1)或式(2-2)之部分构造。化合物(E)中，以成为0≦(环氧基)/(羟基)≦0.5之莫耳比包含环氧基与羟基，且以成为0.01≦(部分构造(II))/(部分构造(I)+部分构造(II))≦0.8之莫耳比包含部分构造(II)。

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