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1. 发明专利

TW202014458A 複合粒子及其製造方法审中-公开
简体标题：复合粒子及其制造方法
公开(公告)号：TW202014458A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108119355
申请日：2019-06-04
申请人：日商帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：藻寄貴也 , MOYORI, TAKAYA , 畳開真之 , CHOKAI, MASAYUKI , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 前田譲章 , MAEDA, MASANORI
IPC分类号： C08K3/02 , C08K3/38 , C08K9/00 , C08L77/02
摘要：本發明的課題為提供具有充分的絕緣性與高的熱傳導性之複合粒子，以及提供操作性及成形性優良的複合粒子。其解決手段為無機填料之一次粒子凝集而成的不定形之複合粒子且其係一次粒子係經熱可塑性樹脂被覆的複合粒子，及其製造方法，以及成形體及其製造方法。
简体摘要：本发明的课题为提供具有充分的绝缘性与高的热传导性之复合粒子，以及提供操作性及成形性优良的复合粒子。其解决手段为无机填料之一次粒子凝集而成的不定形之复合粒子且其系一次粒子系经热可塑性树脂被覆的复合粒子，及其制造方法，以及成形体及其制造方法。

2. 发明专利

TWI488321B 半導體層合體、半導體裝置、及該等之製造方法有权
简体标题：半导体层合体、半导体设备、及该等之制造方法
公开(公告)号：TWI488321B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW100145547
申请日：2011-12-09
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：富澤由香 , TOMIZAWA, YUKA , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 今村哲也 , IMAMURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L31/072 , H01L21/324 , H01L31/18
CPC分类号： H01L29/36 , C01B33/02 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02686 , H01L21/2254 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521

3. 发明专利

TW201628066A 摻雜方法以及摻雜用層合體审中-公开
简体标题：掺杂方法以及掺杂用层合体
公开(公告)号：TW201628066A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104128404
申请日：2015-08-28
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：今村哲也 , IMAMURA, TETSUYA , 富澤由香 , TOMIZAWA, YUKA , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , B05D7/24 , B05D3/06
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明為提供一種能夠省去對基材塗布塗布型擴散劑之步驟的摻雜方法以及使用於此之摻雜用層合體。本發明之摻雜方法包含：將具有透明基材(10)以及層合於透明基材上之光吸收性摻雜劑膜(20)的摻雜用層合體(100)層合於半導體層或基材，使光吸收性摻雜劑膜(10)在半導體層或基材(30)之面上，且通過透明基材(10)對光吸收性摻雜劑膜(20)照射光(50)，並將來自光吸收性摻雜劑膜(20)之摻雜劑摻雜於半導體層或基材(30)上。本發明之摻雜用層合體(100)具有透明基材(10)、以及層合於透明基材上之光吸收性摻雜劑膜(20)。
简体摘要：本发明为提供一种能够省去对基材涂布涂布型扩散剂之步骤的掺杂方法以及使用于此之掺杂用层合体。本发明之掺杂方法包含：将具有透明基材(10)以及层合于透明基材上之光吸收性掺杂剂膜(20)的掺杂用层合体(100)层合于半导体层或基材，使光吸收性掺杂剂膜(10)在半导体层或基材(30)之面上，且通过透明基材(10)对光吸收性掺杂剂膜(20)照射光(50)，并将来自光吸收性掺杂剂膜(20)之掺杂剂掺杂于半导体层或基材(30)上。本发明之掺杂用层合体(100)具有透明基材(10)、以及层合于透明基材上之光吸收性掺杂剂膜(20)。

4. 发明专利

TW201511086A 半導體層合體、半導體裝置、及該等之製造方法审中-公开
简体标题：半导体层合体、半导体设备、及该等之制造方法
公开(公告)号：TW201511086A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103142836
申请日：2011-12-09
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：富澤由香 , TOMIZAWA, YUKA , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 今村哲也 , IMAMURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L21/20 , H01L31/04 , C30B13/22
CPC分类号： H01L29/36 , C01B33/02 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02686 , H01L21/2254 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法。且，本發明提供可使用該方法獲得之半導體裝置、及該方法中可使用之分散體。製造半導體裝置(500a)之本發明方法包含下述步驟(a)~(c)，且第一摻雜劑注入層(52)之結晶方位係與由半導體元件所成之半導體層或基材(10)之結晶方位相同：(a)於層或基材之特定部位施用含有經摻雜之粒子之分散體，(b)使施用之分散體乾燥，成為未燒結之摻雜劑注入層，以及(c)藉由對未燒結之摻雜劑注入層進行光照射，利用p型或n型摻雜劑來摻雜層或基材之特定部位，同時燒結未燒結之摻雜劑注入層，成為與層或基材一體化之摻雜劑注入層。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法。且，本发明提供可使用该方法获得之半导体设备、及该方法中可使用之分散体。制造半导体设备(500a)之本发明方法包含下述步骤(a)~(c)，且第一掺杂剂注入层(52)之结晶方位系与由半导体组件所成之半导体层或基材(10)之结晶方位相同：(a)于层或基材之特定部位施用含有经掺杂之粒子之分散体，(b)使施用之分散体干燥，成为未烧结之掺杂剂注入层，以及(c)借由对未烧结之掺杂剂注入层进行光照射，利用p型或n型掺杂剂来掺杂层或基材之特定部位，同时烧结未烧结之掺杂剂注入层，成为与层或基材一体化之掺杂剂注入层。

5. 发明专利

TW200400216A 聚碳酸酯系配向薄膜及相位差薄膜审中-公开
公开(公告)号：TW200400216A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092107284
申请日：2003-03-31
申请人：帝人股份有限公司 TEIJIN LIMITED
发明人：內山昭彥 , 小野雄平 , 池田吉紀
IPC分类号： C08G , B29D
CPC分类号： B32B27/08 , B32B27/365 , B32B2307/42 , B32B2307/516 , B32B2307/518 , B32B2369/00 , C08G64/06 , C08J5/18 , C08J2369/00 , G02B5/3083 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1041 , Y10T428/31507
摘要：本發明係由具有芴環，玻璃化溫度為165℃以上之特定之聚碳酸酯所構成之薄膜，以90℃、熱處理500小時後之熱收縮率為0.1％以下，波長450nm之薄膜面內相位差R(450)對波長550nm之薄膜面內相位差R(550)之比為1～1.06之間之單軸或雙軸配向薄膜。此薄膜可用於垂直配向方式等之高品質液晶顯示裝置，且可作為解決框邊問題之相位差薄膜用。
简体摘要：本发明系由具有芴环，玻璃化温度为165℃以上之特定之聚碳酸酯所构成之薄膜，以90℃、热处理500小时后之热收缩率为0.1％以下，波长450nm之薄膜面内相位差R(450)对波长550nm之薄膜面内相位差R(550)之比为1～1.06之间之单轴或双轴配向薄膜。此薄膜可用于垂直配向方式等之高品质液晶显示设备，且可作为解决框边问题之相位差薄膜用。

6. 发明专利

TWI580683B 有機半導體溶液及有機半導體膜有权
简体标题：有机半导体溶液及有机半导体膜
公开(公告)号：TWI580683B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102129284
申请日：2013-08-15
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 河野梓 , KOHNO, AZUSA
IPC分类号： C07D495/04 , C07D495/18
CPC分类号： C07D495/04 , C07D495/18 , H01L51/0003 , H01L51/0068 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566

7. 发明专利

TWI556440B 半導體層疊體及其製造方法，半導體裝置的製造方法，半導體裝置，摻雜劑組成物，摻雜劑注入層，以及摻雜層的形成方法有权
简体标题：半导体层叠体及其制造方法，半导体设备的制造方法，半导体设备，掺杂剂组成物，掺杂剂注入层，以及掺杂层的形成方法
公开(公告)号：TWI556440B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW102111562
申请日：2013-03-29
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：今村哲也 , IMAMURA, TETSUYA , 富澤由香 , TOMIZAWA, YUKA , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/0257 , H01L21/02436 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0259 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02694 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/2257 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/78666 , H01L29/78696 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , H01L31/208 , Y02E10/547 , Y02P70/521

8. 发明专利

TWI492948B 新穎之加成化合物、縮合多環芳香族化合物之精製及製造方法，有機半導體膜形成用溶液，及新穎之α－二酮化合物有权
简体标题：新颖之加成化合物、缩合多环芳香族化合物之精制及制造方法，有机半导体膜形成用溶液，及新颖之α－二酮化合物
公开(公告)号：TWI492948B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW099128877
申请日：2010-08-27
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED , 國立大學法人廣島大學 , HIROSHIMA UNIVERSITY
发明人：池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 城尚志 , SHIRO, TAKASHI , 瀧宮和男 , TAKIMIYA, KAZUO
IPC分类号： C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/30
CPC分类号： C07D495/04 , C07D495/08 , C07D495/18 , C07D495/22 , C07D513/18 , H01L51/0053 , H01L51/0074 , H01L51/0545

9. 发明专利

TW201511313A 半導體層合體、半導體裝置、及該等之製造方法审中-公开
简体标题：半导体层合体、半导体设备、及该等之制造方法
公开(公告)号：TW201511313A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103142835
申请日：2011-12-09
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：富澤由香 , TOMIZAWA, YUKA , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI , 今村哲也 , IMAMURA, TETSUYA
IPC分类号： H01L31/072 , H01L21/324 , H01L31/18
CPC分类号： H01L29/36 , C01B33/02 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02686 , H01L21/2254 , H01L29/045 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種半導體裝置之製造方法。且，本發明提供可使用該方法獲得之半導體裝置、及該方法中可使用之分散體。製造半導體裝置(500a)之本發明方法包含下述步驟(a)~(c)，且第一摻雜劑注入層(52)之結晶方位係與由半導體元件所成之半導體層或基材(10)之結晶方位相同：(a)於層或基材之特定部位施用含有經摻雜之粒子之分散體，(b)使施用之分散體乾燥，成為未燒結之摻雜劑注入層，以及(c)藉由對未燒結之摻雜劑注入層進行光照射，利用p型或n型摻雜劑來摻雜層或基材之特定部位，同時燒結未燒結之摻雜劑注入層，成為與層或基材一體化之摻雜劑注入層。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备之制造方法。且，本发明提供可使用该方法获得之半导体设备、及该方法中可使用之分散体。制造半导体设备(500a)之本发明方法包含下述步骤(a)~(c)，且第一掺杂剂注入层(52)之结晶方位系与由半导体组件所成之半导体层或基材(10)之结晶方位相同：(a)于层或基材之特定部位施用含有经掺杂之粒子之分散体，(b)使施用之分散体干燥，成为未烧结之掺杂剂注入层，以及(c)借由对未烧结之掺杂剂注入层进行光照射，利用p型或n型掺杂剂来掺杂层或基材之特定部位，同时烧结未烧结之掺杂剂注入层，成为与层或基材一体化之掺杂剂注入层。

10. 发明专利

TW201736954A 感光性樹脂組成物及半導體裝置製造方法审中-公开
简体标题：感光性树脂组成物及半导体设备制造方法
公开(公告)号：TW201736954A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105142282
申请日：2016-12-20
申请人：帝人股份有限公司 , TEIJIN LIMITED
发明人：添田淳史 , SOEDA, JUNSHI , 池田吉紀 , IKEDA, YOSHINORI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/266
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/265 , H01L21/266
摘要：本發明係提供一種具有高溫耐熱性及導電性，無對半導體基材產生金屬雜質之疑慮，可形成圖型，並可適用於低成本且高溫之離子植入程序的感光性樹脂組成物及使用此種組成物的半導體裝置之製造方法。本發明之感光性樹脂組成物係含有感光性樹脂、以及導電性材料及/或半導體材料的粒子。又，製造半導體裝置的本發明之方法係包含：將本發明之感光性樹脂組成物的膜之圖型(11)形成於半導體層或基材(2)上之步驟；對感光性樹脂組成物的膜之圖型進行燒成，而形成離子植入用遮罩(13)之步驟；透過離子植入用遮罩的圖型開口部(12)，對半導體層或基材(2)植入離子之步驟；及去除離子植入用遮罩(13)之步驟。
简体摘要：本发明系提供一种具有高温耐热性及导电性，无对半导体基材产生金属杂质之疑虑，可形成图型，并可适用于低成本且高温之离子植入进程的感光性树脂组成物及使用此种组成物的半导体设备之制造方法。本发明之感光性树脂组成物系含有感光性树脂、以及导电性材料及/或半导体材料的粒子。又，制造半导体设备的本发明之方法系包含：将本发明之感光性树脂组成物的膜之图型(11)形成于半导体层或基材(2)上之步骤；对感光性树脂组成物的膜之图型进行烧成，而形成离子植入用遮罩(13)之步骤；透过离子植入用遮罩的图型开口部(12)，对半导体层或基材(2)植入离子之步骤；及去除离子植入用遮罩(13)之步骤。

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