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1. 发明专利

TWI642694B 硏磨墊及其製造方法有权
简体标题：研磨垫及其制造方法
公开(公告)号：TWI642694B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW104108872
申请日：2015-03-20
申请人：日商富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS, INC.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOUKI , 高橋大介 , TAKAHASHI, DAISUKE
IPC分类号： C08G71/04 , B24D3/32 , B24B37/24 , H01L21/304 , C08J5/14 , C08J9/04 , B29C44/02 , B29K75/00 , B29K105/04 , B29L31/16

2. 发明专利

TW201321493A 研磨墊及其製造方法审中-公开
简体标题：研磨垫及其制造方法
公开(公告)号：TW201321493A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101138109
申请日：2012-10-16
申请人：富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS, INC.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOUKI , 宮澤文雄 , MIYAZAWA, FUMIO
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： B24B37/24 , C08G18/3814 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08K2201/005 , H01L21/31053 , C08G18/10 , C08G18/6685 , C08G18/3206
摘要：提供一種研磨墊及其製造方法，該研磨墊可改善使用先前的硬質（乾式）研磨墊時產生的刮痕的問題，且研磨速率或研磨均勻性優異，不僅可滿足一次研磨而且亦可滿足精加工研磨。本發明是一種半導體裝置研磨用的研磨墊，上述研磨墊具備研磨層，上述研磨層具有包含大致球狀氣泡的聚胺基甲酸酯聚脲樹脂成形體，上述研磨墊的特徵在於：上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂成形體的獨泡率為60%~98%，上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂成形體的損失彈性模數E''相對於儲存彈性模數E'的比例（損失彈性模數/儲存彈性模數）tanδ為0.15~0.30，上述儲存彈性模數E'為1MPa~100MPa，且上述聚胺基甲酸酯聚脲樹脂成形體的密度D為0.4g/cm3~0.8g/cm3。
简体摘要：提供一种研磨垫及其制造方法，该研磨垫可改善使用先前的硬质（干式）研磨垫时产生的刮痕的问题，且研磨速率或研磨均匀性优异，不仅可满足一次研磨而且亦可满足精加工研磨。本发明是一种半导体设备研磨用的研磨垫，上述研磨垫具备研磨层，上述研磨层具有包含大致球状气泡的聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体，上述研磨垫的特征在于：上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的独泡率为60%~98%，上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的损失弹性模数E''相对于存储弹性模数E'的比例（损失弹性模数/存储弹性模数）tanδ为0.15~0.30，上述存储弹性模数E'为1MPa~100MPa，且上述聚胺基甲酸酯聚脲树脂成形体的密度D为0.4g/cm3~0.8g/cm3。

3. 发明专利

TW201538567A 硏磨墊及其製造方法审中-公开
简体标题：研磨垫及其制造方法
公开(公告)号：TW201538567A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104108872
申请日：2015-03-20
申请人：富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS, INC.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOUKI , 高橋大介 , TAKAHASHI, DAISUKE
IPC分类号： C08G71/04 , B24D3/32 , B24B37/24 , H01L21/304 , C08J5/14 , C08J9/04 , B29C44/02 , B29K75/00 , B29K105/04 , B29L31/16
CPC分类号： B24B37/24 , B24D11/003 , C08G18/10 , C08G18/12 , C08G18/14 , C08G18/1808 , C08G18/3206 , C08G18/3243 , C08G18/4804 , C08G18/4854 , C08G18/6674 , C08G18/7621 , C08G2101/0083 , C08J9/00 , C08J2205/05 , C08J2205/052 , C08J2375/08 , H01L21/02024 , C08G18/3814
摘要：本發明提供一種可對被研磨物賦予高的平坦性，且亦可抑制損傷發生的研磨墊及其製造方法。研磨墊在表面具備包含獨立氣泡及連續氣泡的發泡胺基甲酸酯片，所述發泡胺基甲酸酯片以滿足以下要件(1)~要件(3)的方式構成：(1)連續氣泡率(將獨立氣泡及連續氣泡的合計體積設為100體積%時的連續氣泡的體積比例)為20體積%~80體積%；(2)在依據JIS K7244-4進行測定(初始負荷為20g、測定頻率為1Hz、溫度為26℃、拉伸模式、應變範圍為0.01%~0.1%)時，吸水狀態下的損耗係數tanδ與乾燥狀態下的損耗係數tanδ之比[tanδ(濕潤/乾燥)比]為1.3~1.7；及(3)在依據ASTM D2240進行測定時，蕭氏DO硬度為60~80。
简体摘要：本发明提供一种可对被研磨物赋予高的平坦性，且亦可抑制损伤发生的研磨垫及其制造方法。研磨垫在表面具备包含独立气泡及连续气泡的发泡胺基甲酸酯片，所述发泡胺基甲酸酯片以满足以下要件(1)~要件(3)的方式构成：(1)连续气泡率(将独立气泡及连续气泡的合计体积设为100体积%时的连续气泡的体积比例)为20体积%~80体积%；(2)在依据JIS K7244-4进行测定(初始负荷为20g、测定频率为1Hz、温度为26℃、拉伸模式、应变范围为0.01%~0.1%)时，吸水状态下的损耗系数tanδ与干燥状态下的损耗系数tanδ之比[tanδ(湿润/干燥)比]为1.3~1.7；及(3)在依据ASTM D2240进行测定时，萧氏DO硬度为60~80。

4. 发明专利

TWI553108B 研磨墊及其製造方法有权
简体标题：研磨垫及其制造方法
公开(公告)号：TWI553108B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101138109
申请日：2012-10-16
申请人：富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS, INC.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOUKI , 宮澤文雄 , MIYAZAWA, FUMIO
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： B24B37/24 , C08G18/3814 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/00 , C08G2101/0066 , C08K2201/005 , H01L21/31053 , C08G18/10 , C08G18/6685 , C08G18/3206

5. 发明专利

TWI543846B 研磨墊及其製造方法有权
简体标题：研磨垫及其制造方法
公开(公告)号：TWI543846B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101113248
申请日：2012-04-13
申请人：富士紡控股股份有限公司 , FUJIBO HOLDINGS INC.
发明人：糸山光紀 , ITOYAMA, KOUKI , 宮澤文雄 , MIYAZAWA, FUMIO
IPC分类号： B24B37/24 , C08J5/14
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/22 , C08G18/10 , C08G18/4854 , C08G18/7621 , C08G2101/0008 , C08J9/12 , C08J2207/00 , C08J2375/04 , H01L21/304 , C08G18/3814 , C08G18/4829

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