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1. 发明专利

TWI695513B 半導體裝置及電子裝置有权
简体标题：半导体设备及电子设备
公开(公告)号：TWI695513B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW105108819
申请日：2016-03-22
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 塚本陽子 , TSUKAMOTO, YOKO
IPC分类号： H01L29/786

2. 发明专利

TW201836020A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201836020A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107103370
申请日：2018-01-31
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 長修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8258
摘要：半導體裝置包括：包括彼此相鄰的第一區域和第二區域以及以夾著所述第一區域及所述第二區域的方式設置的第三區域和第四區域的第一氧化物；第一區域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一絕緣體；第一絕緣體上的第一導電體；設置在第二氧化物上及第一絕緣體及第一導電體的側面上的第二絕緣體；設置於第二區域上及第二絕緣體的側面上的第三絕緣體；隔著第三絕緣體設置在第二區域上且隔著第三絕緣體設置在第二絕緣體的側面上的第二導電體；覆蓋第一氧化物、第二氧化物、第一絕緣體、第一導電體、第二絕緣體、第三絕緣體及第二導電體並與第三區域及第四區域接觸的第四絕緣體。
简体摘要：半导体设备包括：包括彼此相邻的第一区域和第二区域以及以夹着所述第一区域及所述第二区域的方式设置的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；设置在第二氧化物上及第一绝缘体及第一导电体的侧面上的第二绝缘体；设置于第二区域上及第二绝缘体的侧面上的第三绝缘体；隔着第三绝缘体设置在第二区域上且隔着第三绝缘体设置在第二绝缘体的侧面上的第二导电体；覆盖第一氧化物、第二氧化物、第一绝缘体、第一导电体、第二绝缘体、第三绝缘体及第二导电体并与第三区域及第四区域接触的第四绝缘体。

3. 发明专利

TWI693719B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI693719B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW105113548
申请日：2016-04-29
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

4. 发明专利

TWI692812B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI692812B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW104130187
申请日：2015-09-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI663639B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI663639B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW107136184
申请日：2011-08-02
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：野田耕生 , NODA,KOSEI , 遠藤佑太 , ENDO,YUTA , 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/3065

6. 发明专利

TWI650803B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI650803B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104107755
申请日：2015-03-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 野田耕生 , NODA, KOSEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/786 , H01L51/50

7. 发明专利

TWI644434B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI644434B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW103114244
申请日：2014-04-18
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：野田耕生 , NODA, KOSEI , 佐藤優一 , SATO, YUICHI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

8. 发明专利

TW201828470A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201828470A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106134675
申请日：2017-10-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 澤井寛美 , SAWAI, HIROMI , 木村肇 , KIMURA, HAJIME
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/22 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L21/20 , H01L21/336
摘要：本發明提供一種高性能且可靠性高的半導體裝置。本發明是一種半導體裝置，該半導體裝置包括第一氧化物、源極電極、汲極電極、第一氧化物、源極電極及汲極電極上的第二氧化物、第二氧化物上的閘極絕緣膜、以及閘極絕緣膜上的閘極電極，源極電極與第一氧化物電連接，汲極電極與第一氧化物電連接，第一氧化物及第二氧化物包含In、元素M（M是Al、Ga、Y或Sn）、Zn，第一氧化物及第二氧化物包含比元素M原子多的In原子，第一氧化物的In、Zn及元素M的原子個數比和第二氧化物的In、Zn及元素M的原子個數比相等或近似。
简体摘要：本发明提供一种高性能且可靠性高的半导体设备。本发明是一种半导体设备，该半导体设备包括第一氧化物、源极电极、汲极电极、第一氧化物、源极电极及汲极电极上的第二氧化物、第二氧化物上的闸极绝缘膜、以及闸极绝缘膜上的闸极电极，源极电极与第一氧化物电连接，汲极电极与第一氧化物电连接，第一氧化物及第二氧化物包含In、元素M（M是Al、Ga、Y或Sn）、Zn，第一氧化物及第二氧化物包含比元素M原子多的In原子，第一氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比和第二氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比相等或近似。

9. 发明专利

TW201834249A 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201834249A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106143008
申请日：2017-12-07
申请人：日商半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 及川欣聡 , OIKAWA, YOSHIAKI
IPC分类号： H01L29/51 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括：基板上的第一導電體、第一導電體上的第一絕緣體、第一絕緣體上的氧化物、氧化物上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第二導電體、第二導電體上的第三絕緣體、與第二絕緣體的側面、第二導電體的側面及第三絕緣體的側面接觸的第四絕緣體、以及與氧化物、第一絕緣體及第四絕緣體接觸的第五絕緣體。第一絕緣體和第五絕緣體在氧化物一側的周邊區域中接觸。氧化物包括形成有通道的第一區域、相鄰於第一區域的第二區域、相鄰於第二區域的第三區域以及相鄰於第三區域的第四區域。第一區域具有比第二區域、第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第二區域具有比第三區域及第四區域高的電阻，並與第二導電體重疊。第三區域具有比第四區域高的電阻，並與第四絕緣體重疊。
简体摘要：本发明提供一种电特性良好的半导体设备。本发明的半导体设备包括：基板上的第一导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体的侧面、第二导电体的侧面及第三绝缘体的侧面接触的第四绝缘体、以及与氧化物、第一绝缘体及第四绝缘体接触的第五绝缘体。第一绝缘体和第五绝缘体在氧化物一侧的周边区域中接触。氧化物包括形成有信道的第一区域、相邻于第一区域的第二区域、相邻于第二区域的第三区域以及相邻于第三区域的第四区域。第一区域具有比第二区域、第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第二区域具有比第三区域及第四区域高的电阻，并与第二导电体重叠。第三区域具有比第四区域高的电阻，并与第四绝缘体重叠。

10. 发明专利

TW201834244A 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201834244A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106139359
申请日：2017-11-14
申请人：日商半導體能源硏究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 徳丸亮 , TOKUMARU, RYO
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/108 , H01L21/4757 , H01L21/443 , H01L21/02
摘要：本發明提供一種電特性良好的半導體裝置。本發明是一種包括第一電晶體和第二電晶體的半導體裝置。第一電晶體包括：基板上的第一導電體；其上的第一絕緣體；其上的第一氧化物；其上的第二絕緣體；具有與第二絕緣體的側面大致對齊的側面且在第二絕緣體上的第二導電體；具有與第二導電體的側面大致對齊的側面且在第二導電體上的第三絕緣體；接觸於第二絕緣體的側面、第二導電體的側面及第三絕緣體的側面的第四絕緣體；以及接觸於第一氧化物及第四絕緣體的第五絕緣體。第二電晶體包括：第三導電體；其至少一部分與第三導電體重疊的第四導電體；以及第三導電體與第四導電體之間的第二氧化物。第三導電體及第四導電體電連接於第一導電體。
简体摘要：本发明提供一种电特性良好的半导体设备。本发明是一种包括第一晶体管和第二晶体管的半导体设备。第一晶体管包括：基板上的第一导电体；其上的第一绝缘体；其上的第一氧化物；其上的第二绝缘体；具有与第二绝缘体的侧面大致对齐的侧面且在第二绝缘体上的第二导电体；具有与第二导电体的侧面大致对齐的侧面且在第二导电体上的第三绝缘体；接触于第二绝缘体的侧面、第二导电体的侧面及第三绝缘体的侧面的第四绝缘体；以及接触于第一氧化物及第四绝缘体的第五绝缘体。第二晶体管包括：第三导电体；其至少一部分与第三导电体重叠的第四导电体；以及第三导电体与第四导电体之间的第二氧化物。第三导电体及第四导电体电连接于第一导电体。

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