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1. 发明专利

TWI695511B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI695511B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107122525
申请日：2013-07-18
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥純一 , KOEZUKA,JUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI,TOSHINARI , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI,KATSUAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI,SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/31

2. 发明专利

TW201842627A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201842627A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107113966
申请日：2018-04-25
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 松林大介 , MATSUBAYASHI, DAISUKE , 加藤清 , KATO, KIYOSHI , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 長修平 , NAGATSUKA, SHUHEI
IPC分类号： H01L21/82 , H01L23/522 , H05K3/46
摘要：本發明提供一種能夠實現高積體化的半導體裝置。該半導體裝置包括第一、第二電晶體、第一、第二電容器，其中，第一電晶體包括第一絕緣體上的氧化物、氧化物上的第二絕緣體、第二絕緣體上的第一導電體、第一導電體上的第三絕緣體、與第二絕緣體、第一導電體及第三絕緣體接觸的第四絕緣體、以及與第四絕緣體接觸的第五絕緣體，第二電晶體包括第一絕緣體上的氧化物、氧化物上的第六絕緣體、第六絕緣體上的第二導電體、第二導電體上的第七絕緣體、與第六絕緣體、第二導電體及第七絕緣體接觸的第八絕緣體、以及與第八絕緣體接觸的第九絕緣體，第一電容器包括氧化物、氧化物上的第十絕緣體、以及第十絕緣體上的第三導電體，第二電容器包括氧化物、氧化物上的第十一絕緣體、以及第十一絕緣體上的第四導電體。
简体摘要：本发明提供一种能够实现高积体化的半导体设备。该半导体设备包括第一、第二晶体管、第一、第二电容器，其中，第一晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第二绝缘体、第二绝缘体上的第一导电体、第一导电体上的第三绝缘体、与第二绝缘体、第一导电体及第三绝缘体接触的第四绝缘体、以及与第四绝缘体接触的第五绝缘体，第二晶体管包括第一绝缘体上的氧化物、氧化物上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第二导电体、第二导电体上的第七绝缘体、与第六绝缘体、第二导电体及第七绝缘体接触的第八绝缘体、以及与第八绝缘体接触的第九绝缘体，第一电容器包括氧化物、氧化物上的第十绝缘体、以及第十绝缘体上的第三导电体，第二电容器包括氧化物、氧化物上的第十一绝缘体、以及第十一绝缘体上的第四导电体。

3. 发明专利

TWI695510B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI695510B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW106125761
申请日：2013-07-18
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/31

4. 发明专利

TWI692812B 半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI692812B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW104130187
申请日：2015-09-11
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 遠藤佑太 , ENDO, YUTA , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/311 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI684279B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI684279B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105132071
申请日：2011-07-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40

6. 发明专利

TWI600156B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI600156B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW100123345
申请日：2011-07-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/78693

7. 发明专利

TWI570810B 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI570810B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW101138437
申请日：2012-10-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 日向野聡 , HIGANO, SATOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02071 , H01L21/32136 , H01L21/465 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869

8. 发明专利

TW201409708A 半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201409708A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102125753
申请日：2013-07-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：肥純一 , KOEZUKA, JUNICHI , 佐佐木俊成 , SASAKI, TOSHINARI , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/31
CPC分类号： H01L29/78606 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/1339 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2201/121 , G06F3/0412 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/15 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/7869
摘要：本發明的一個方式抑制在將氧化物半導體用於半導體膜的電晶體上包括層間絕緣膜的半導體裝置的電特性的變動。本發明的一個方式包括：在半導體膜上的由源極電極及汲極電極形成的步階區域具有空隙部，且作為成分包含氧化矽的第一絕緣膜；以及以堵住第一絕緣膜的空隙部的方式與第一絕緣膜接觸地設置且作為成分包含氮化矽的第二絕緣膜。藉由採用該結構，可以防止產生在第一絕緣膜中的空隙部進一步擴大到外側。
简体摘要：本发明的一个方式抑制在将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管上包括层间绝缘膜的半导体设备的电特性的变动。本发明的一个方式包括：在半导体膜上的由源极电极及汲极电极形成的步阶区域具有空隙部，且作为成分包含氧化硅的第一绝缘膜；以及以堵住第一绝缘膜的空隙部的方式与第一绝缘膜接触地设置且作为成分包含氮化硅的第二绝缘膜。借由采用该结构，可以防止产生在第一绝缘膜中的空隙部进一步扩大到外侧。

9. 发明专利

TW201724515A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201724515A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126627
申请日：2016-08-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：笹川慎也 , SASAGAWA, SHINYA , 浜田崇 , HAMADA, TAKASHI , 下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 岡本悟 , OKAMOTO, SATORU , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/465 , H01L21/47573 , H01L21/47635 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/42372 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648
摘要：本發明提供一種微型電晶體。提供一種寄生電容小的電晶體。提供一種頻率特性高的電晶體。提供一種通態電流大的電晶體。提供一種包括該電晶體的半導體裝置。提供一種集成度高的半導體裝置。一種半導體裝置，包括氧化物半導體、第二絕緣體、第二導電體、第三導電體、第四導電體、第五導電體、以及埋入在形成於第二絕緣體、第二導電體、第三導電體、第四導電體及第五導電體的開口部中的第一導電體及第一絕緣體，第二導電體具有其側面及底面與第四導電體接觸的區域，第三導電體具有其側面及底面與第五導電體接觸的區域。
简体摘要：本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体设备。提供一种集成度高的半导体设备。一种半导体设备，包括氧化物半导体、第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体、第五导电体、以及埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体，第二导电体具有其侧面及底面与第四导电体接触的区域，第三导电体具有其侧面及底面与第五导电体接触的区域。

10. 发明专利

TWI587406B 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法有权
简体标题：半导体设备以及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TWI587406B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105134062
申请日：2012-10-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 日向野聡 , HIGANO, SATOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L29/22 , H01L29/7869

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