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1. 发明专利

TWI600156B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI600156B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW100123345
申请日：2011-07-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/78693

2. 发明专利

TWI545765B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI545765B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101138256
申请日：2012-10-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長隆之 , CHO, TAKAYUKI , 越岡俊介 , KOSHIOKA, SHUNSUKE , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869

3. 发明专利

TW201324778A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201324778A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101138256
申请日：2012-10-17
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：長隆之 , CHO, TAKAYUKI , 越岡俊介 , KOSHIOKA, SHUNSUKE , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要：本發明的一個方式的課題是提供一種具有使用氧化物半導體的電晶體的可靠性高的半導體裝置。在設置在玻璃基板上的底閘極結構的交錯型電晶體的半導體裝置中，在閘極電極層上設置依次層疊其組成彼此不同的第一閘極絕緣膜及第二閘極絕緣膜的閘極絕緣膜。或者在底閘極結構的交錯型的電晶體中，在玻璃基板和閘極電極層之間設置保護絕緣膜。將在第一閘極絕緣膜與第二閘極絕緣膜之間的介面處或在閘極電極層與閘極絕緣膜之間的介面處的包含在玻璃基板中的金屬元素的濃度設定為5×1018atoms/cm3以下(較佳為1×1018atoms/cm3以下)。
简体摘要：本发明的一个方式的课题是提供一种具有使用氧化物半导体的晶体管的可靠性高的半导体设备。在设置在玻璃基板上的底闸极结构的交错型晶体管的半导体设备中，在闸极电极层上设置依次层叠其组成彼此不同的第一闸极绝缘膜及第二闸极绝缘膜的闸极绝缘膜。或者在底闸极结构的交错型的晶体管中，在玻璃基板和闸极电极层之间设置保护绝缘膜。将在第一闸极绝缘膜与第二闸极绝缘膜之间的界面处或在闸极电极层与闸极绝缘膜之间的界面处的包含在玻璃基板中的金属元素的浓度设置为5×1018atoms/cm3以下(较佳为1×1018atoms/cm3以下)。

4. 发明专利

TWI684279B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI684279B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW105132071
申请日：2011-07-01
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40

5. 发明专利

TW201703263A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201703263A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105132071
申请日：2011-07-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 廣橋拓也 , HIROHASHI, TAKUYA , 栃林克明 , TOCHIBAYASHI, KATSUAKI , 中澤安孝 , NAKAZAWA, YASUTAKA , 橫山雅俊 , YOKOYAMA, MASATOSHI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/78693
摘要：所揭示之發明的目的之一在於：對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性以使其具有高可靠性。提供一種半導體裝置，該半導體裝置具有如下的疊層結構：閘極絕緣層；與閘極絕緣層的其中一個表面相接觸的第一閘極電極；與閘極絕緣層的另一個表面相接觸且設置在與第一閘極電極重疊的區域中的氧化物半導體層；以及與氧化物半導體層相接觸的源極電極、汲極電極以及氧化物絕緣層，其中，氧化物半導體層的氮濃度為2×1019atoms/cm3或更低，並且源極電極及汲極電極包含鎢、鉑以及鉬中的任何一者或多者。
简体摘要：所揭示之发明的目的之一在于：对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性以使其具有高可靠性。提供一种半导体设备，该半导体设备具有如下的叠层结构：闸极绝缘层；与闸极绝缘层的其中一个表面相接触的第一闸极电极；与闸极绝缘层的另一个表面相接触且设置在与第一闸极电极重叠的区域中的氧化物半导体层；以及与氧化物半导体层相接触的源极电极、汲极电极以及氧化物绝缘层，其中，氧化物半导体层的氮浓度为2×1019atoms/cm3或更低，并且源极电极及汲极电极包含钨、铂以及钼中的任何一者或多者。

6. 发明专利

TW201216471A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201216471A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100123345
申请日：2011-07-01
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：山崎舜平 , 高橋正弘 , 廣橋拓也 , 栃林克明 , 中澤安孝 , 橫山雅俊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/78693
摘要：所揭示之發明的目的之一在於：對使用氧化物半導體的半導體裝置賦予穩定的電特性以使其具有高可靠性。提供一種半導體裝置，該半導體裝置具有如下的疊層結構：閘極絕緣層；與閘極絕緣層的其中一個表面相接觸的第一閘極電極；與閘極絕緣層的另一個表面相接觸且設置在與第一閘極電極重疊的區域中的氧化物半導體層；以及與氧化物半導體層相接觸的源極電極、汲極電極以及氧化物絕緣層，其中，氧化物半導體層的氮濃度為2×10 19 atoms/cm 3 或更低，並且源極電極及汲極電極包含鎢、鉑以及鉬中的任何一者或多者。
简体摘要：所揭示之发明的目的之一在于：对使用氧化物半导体的半导体设备赋予稳定的电特性以使其具有高可靠性。提供一种半导体设备，该半导体设备具有如下的叠层结构：闸极绝缘层；与闸极绝缘层的其中一个表面相接触的第一闸极电极；与闸极绝缘层的另一个表面相接触且设置在与第一闸极电极重叠的区域中的氧化物半导体层；以及与氧化物半导体层相接触的源极电极、汲极电极以及氧化物绝缘层，其中，氧化物半导体层的氮浓度为2×10 19 atoms/cm 3 或更低，并且源极电极及汲极电极包含钨、铂以及钼中的任何一者或多者。

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