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1. 发明专利

TWI651439B 石英玻璃坩堝及其製造方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TWI651439B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW106131334
申请日：2017-09-13
申请人：日商勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 福井正德 , FUKUI, MASANORI
IPC分类号： C30B15/10

2. 发明专利

TW201812119A 石英玻璃坩堝及其製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TW201812119A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106131334
申请日：2017-09-13
申请人：日商勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 福井正德 , FUKUI, MASANORI
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
摘要：本發明之課題在於提供一種可耐受多重提拉等極長時間之單晶提拉步驟的石英玻璃坩堝及其製造方法。本發明之石英玻璃坩堝1具備：高含鋁層14B，其包含鋁平均濃度相對較高之石英玻璃，且係以構成石英玻璃坩堝1之外表面10b之方式設置；及低含鋁層14A，其包含鋁平均濃度低於高含鋁層14B之石英玻璃，且設置於高含鋁層14B之內側；低含鋁層14A包含不透明層11，該不透明層11包含含有大量微小氣泡之石英玻璃，高含鋁層14B包含氣泡含有率較不透明層11降低之透明或半透明之石英玻璃。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可耐受多重提拉等极长时间之单晶提拉步骤的石英玻璃坩埚及其制造方法。本发明之石英玻璃坩埚1具备：高含铝层14B，其包含铝平均浓度相对较高之石英玻璃，且系以构成石英玻璃坩埚1之外表面10b之方式设置；及低含铝层14A，其包含铝平均浓度低于高含铝层14B之石英玻璃，且设置于高含铝层14B之内侧；低含铝层14A包含不透明层11，该不透明层11包含含有大量微小气泡之石英玻璃，高含铝层14B包含气泡含有率较不透明层11降低之透明或半透明之石英玻璃。

3. 发明专利

TW202004165A 石英坩堝的透過率測定方法及裝置审中-公开
简体标题：石英坩埚的透过率测定方法及设备
公开(公告)号：TW202004165A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117069
申请日：2019-05-17
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：清水泰順 , SHIMIZU, YASUNOBU , 高梨啓一 , TAKANASHI, KEIICHI , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 福井正徳 , FUKUI, MASANORI
IPC分类号： G01N21/59 , C30B15/10
摘要：本發明的課題係在於提供可正確測定石英坩堝的透過率的測定方法及測定裝置。本發明的解決手段係從配置在石英坩堝的一方的牆面1Wa側的光源5，向石英坩堝的既定測定點照射平行光，在石英坩堝的另一方的牆面1Wb側，以另一方的牆面1Wb上的平行光的出射點P為中心的同心圓C0上的複數位置配置檢測器6，以複數位置測定石英坩堝的穿透光的受光等級，基於上述複數位置所測定的穿透光的複數受光等級，求得在既定測定點的石英坩堝的透過率
简体摘要：本发明的课题系在于提供可正确测定石英坩埚的透过率的测定方法及测定设备。本发明的解决手段系从配置在石英坩埚的一方的墙面1Wa侧的光源5，向石英坩埚的既定测定点照射平行光，在石英坩埚的另一方的墙面1Wb侧，以另一方的墙面1Wb上的平行光的出射点P为中心的同心圆C0上的复数码置配置检测器6，以复数码置测定石英坩埚的穿透光的受光等级，基于上述复数码置所测定的穿透光的复数受光等级，求得在既定测定点的石英坩埚的透过率

4. 发明专利

TW202030383A 石英玻璃坩堝、及使用此之矽單結晶的製造方法、石英玻璃坩堝的紅外線透過率測定方法及其製造方法审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚、及使用此之硅单结晶的制造方法、石英玻璃坩埚的红外线透过率测定方法及其制造方法
公开(公告)号：TW202030383A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108146392
申请日：2019-12-18
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：北原賢 , KITAHARA, KEN , 福井正徳 , FUKUI, MASANORI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 片野智一 , KATANO, TOMOKAZU , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C03B20/00
摘要：提供可以提高氧濃度低的矽單結晶製造良率的石英玻璃坩堝。具有圓筒狀的側壁部10a、底部10b、連結側壁部10a與底部10b的轉角部10c之石英玻璃坩堝1，包括：透明層11，由不含氣泡的石英玻璃構成；氣泡層12，在透明層11的外側形成，以包含多數氣泡的石英玻璃構成；以及半熔化層13，在氣泡層12的外側形成，原料二氧化矽粉以半熔化狀態凝固。除去半熔化層13的狀態下的轉角部10c的紅外線透過率是25〜51%，除去半熔化層13的狀態下的轉角部10c的紅外線透過率比側壁部10a的紅外線透過率低，除去半熔化層13的狀態下的側壁部10a的紅外線透過率比底部10b的紅外線透過率低。
简体摘要：提供可以提高氧浓度低的硅单结晶制造良率的石英玻璃坩埚。具有圆筒状的侧壁部10a、底部10b、链接侧壁部10a与底部10b的转角部10c之石英玻璃坩埚1，包括：透明层11，由不含气泡的石英玻璃构成；气泡层12，在透明层11的外侧形成，以包含多数气泡的石英玻璃构成；以及半熔化层13，在气泡层12的外侧形成，原料二氧化硅粉以半熔化状态凝固。除去半熔化层13的状态下的转角部10c的红外线透过率是25〜51%，除去半熔化层13的状态下的转角部10c的红外线透过率比侧壁部10a的红外线透过率低，除去半熔化层13的状态下的侧壁部10a的红外线透过率比底部10b的红外线透过率低。

5. 发明专利

TWI399465B 矽單晶之製造方法、矽單晶拉引裝置及石英玻璃坩堝有权
简体标题：硅单晶之制造方法、硅单晶拉引设备及石英玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI399465B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW099117061
申请日：2010-05-27
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：福井正德 , FUKUI, MASANORI , 渡邊英樹 , WATANABE, HIDEKI , 高瀨伸光 , TAKASE, NOBUMITSU
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/30 , C30B15/20 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06

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